一种大容量的圆柱和方形卷绕电池极片和卷绕电池的制作方法

文档序号:37672933发布日期:2024-04-18 20:45阅读:14来源:国知局
一种大容量的圆柱和方形卷绕电池极片和卷绕电池的制作方法

本技术涉及电池,具体涉及一种大容量的圆柱和方形卷绕电池极片和卷绕电池。


背景技术:

1、随着锂离子电池等二次电池的材料技术和制造工艺的不断突破,二次电池被广泛应用到各个领域,给人们的生产生活带来了各种便利。但在二次电池的大规模生产和应用过程中人们发现,当电池向大容量方向发展时,现有的正负极极片在使用过程中会出现因充放电膨胀和收缩引起应力分布不均而导致正负极极片出现褶皱、裂痕、掉粉、断裂等问题,从而严重影响了电芯的性能和寿命,而电芯作为二次电池的重要组成部件,其直接影响了二次电池的性能和使用寿命,也限制了二次电池的大规模推广应用。


技术实现思路

1、为了克服现有技术存在的上述不足,本实用新型的目的是提供一种大容量的圆柱和方形卷绕电池正负极片和卷绕电池。

2、本实用新型的目的至少通过如下技术方案之一实现。

3、本实用新型提供的大容量的圆柱和方形卷绕电池正负极片,包括:极耳、集流体;所述集流体上设有极片活性物质涂覆区域;所述极耳与集流体连接;所述大容量的圆柱和方形卷绕电池正负极片设置有若干的虚连接带。

4、进一步地,所述虚连接带由若干断裂孔组成。

5、进一步地,所述断裂孔的形状为长条形、折线形、圆形、波浪形中的一种以上。

6、进一步地,所述断裂孔间隔分布。

7、优选地,所述断裂孔等间距间隔分布。

8、进一步优选地,相邻两个的所述断裂孔间隔为间隔为0.2mm~50mm;

9、进一步优选地,相邻两个的所述断裂带之间距离为20~500mm。

10、进一步地,所述虚连接带垂直于所述大容量的圆柱和方形卷绕电池正负极片的长轴方向。

11、进一步地,所述虚连接带同时设置在极片活性物质涂覆区域与集流体没有被极片活性物质涂覆的区域上。

12、本实用新型提供的卷绕电池,包括:

13、隔膜及两个所述的大容量的圆柱和方形卷绕电池正负极片;所述隔膜设置在两个卷绕电池极片之间。

14、与现有技术相比,本实用新型具有如下优点和有益效果:

15、本实用新型提供的大容量的圆柱和方形卷绕电池正负极片,设置有虚连接带,所述虚连接带贯穿集流体和极片活性物质涂覆区域,这可以减少卷芯在生产和使用过程中会出现因应力分布不均而导致极片出现褶皱的问题,避免影响了电池的电性能,提高该电池的使用寿命,特别适用于利用大尺寸极片,有的长得几十米极片的大容量电芯中,制备出来的卷绕电池很好消除内部应力集中的问题,电池性能更好,除此以外,本实用新型提供的电池极片也能适用于叠片电池。



技术特征:

1.一种大容量的圆柱和方形卷绕电池极片,其特征在于,包括:极耳(3)、集流体(2);所述集流体(2)上设有极片活性物质涂覆区域(5);所述极耳(3)与集流体(2)连接;所述大容量的圆柱和方形卷绕电池极片设置有若干的虚连接带(4)。

2.根据权利要求1所述的大容量的圆柱和方形卷绕电池极片,其特征在于,所述虚连接带(4)由若干断裂孔组成。

3.根据权利要求2所述的大容量的圆柱和方形卷绕电池极片,其特征在于,所述断裂孔的形状为长条形、折线形、圆形、波浪形中的一种以上。

4.根据权利要求2所述的大容量的圆柱和方形卷绕电池极片,其特征在于,所述断裂孔间隔分布。

5.根据权利要求4所述的大容量的圆柱和方形卷绕电池极片,其特征在于,所述断裂孔等间距间隔分布。

6.根据权利要求4所述的大容量的圆柱和方形卷绕电池极片,其特征在于,相邻的两个所述断裂孔间隔为0.2mm~50mm。

7.根据权利要求1所述的大容量的圆柱和方形卷绕电池极片,其特征在于,相邻的两个所述虚连接带之间距离为20~500mm。

8.根据权利要求1所述的大容量的圆柱和方形卷绕电池极片,其特征在于,所述虚连接带(4)垂直于所述大容量的圆柱和方形卷绕电池极片的长轴方向。

9.根据权利要求1所述的大容量的圆柱和方形卷绕电池极片,其特征在于,所述虚连接带(4)同时设置在极片活性物质涂覆区域(5)与集流体(2)没有被极片活性物质涂覆的区域上。

10.一种卷绕电池,其特征在于,包括:


技术总结
本技术涉及电池技术领域,具体涉及一种大容量的圆柱和方形卷绕电池极片和卷绕电池。该卷绕电池正负极片,包括:极耳、集流体;所述集流体上设有极片活性物质涂覆区域;所述极耳与集流体连接;所述卷绕电池极片设置有若干的虚连接带。本技术提供的卷绕电池极片,设置有虚连接带,所述虚连接带贯穿集流体和极片活性物质涂覆区域,这可以减少卷芯在生产和充放电循环使用过程中会出现因应力分布不均而导致正负极极片出现褶皱、粉化和析锂或钠的问题,避免影响了电池的电性能,提高该电池的使用寿命。

技术研发人员:王安化,李安家
受保护的技术使用者:上海淋露建筑设计中心
技术研发日:20230831
技术公布日:2024/4/17
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