高导热系数材料的防漏散热改良结构的制作方法

本技术是有关于一种散热结构，尤其是指一种用于对芯片本体上的热源进行散热的高导热系数材料的防漏散热改良结构。

背景技术：

1、目前常见的各式电子元件均朝向微型化方向研发设计，然而各式电子元件因缩小化及效能大幅提升等诸多因素，亦伴随着容易于实际运作过程中产生高热，影响整体运作效能。因此，必需利用已知的微均温板进行散热。现有电子装置的散热结构由散热片设置于电子元件上，再利用风扇单元导引气流至机壳外部。但由于机壳内部的各元件排列紧密，发热源散发的热量无法有效地往外排出，造成机壳内部产生温升效应，加上热量不断累积的恶性循环下，若机壳内部的温度无法保持在正常范围，会影响整个电子装置运作的可靠度及使用寿命，且会造成漏电的问题与超频时温度过高的问题。此外，为提高较好的散热效率，需使用较高导热系数的高导热系数材料层，但高导热系数材料层相变时外溢会导致主机板短路问题，且热源发热位置不均匀也会造成的散热不稳定现象。

2、此外，在逐步进入后摩尔定律时代后，晶圆代工大厂的发展重心，也逐渐从过去追求更先进纳米制程，转向封装技术的创新。由于高度性能计算(high-performancecomputing,hpc)芯片的需求正在急遽增加，因此，数据中心和云端计算基础架构变得至关重要，尤其是可支持新的高性能技术的ai和5g设备。但这些设备面临的挑战是，该设备及其多核心架构的高效能，将会附带有高宽频密度和低延迟的问题。而异质整合成为hpc芯片需求飙升的因素，并为3d(三维)ic封装技术打开崭新的一页。硅通孔技术(tsv)实现die(晶片)与die(晶片)间的垂直互连，通过在si(硅)上打通孔进行芯片间的互连，无需引线键合，有效缩短互连线长度，减少信号传输延迟和损失，提高信号速度和带宽，降低功耗和封装体积，是实现多功能、高性能、高可靠性且更轻、更薄、更小的芯片系统级封装。由于3d tsv封装工艺在设计、量产、测试及供应链等方面还不成熟，且工艺成本较高，且3d tsv封装技术的内部封装的问题会使高导热材料层产生泵出(pump out)现象，进而影响芯片的整体效能。

3、是以，如何解决上述现有技术的问题与缺失，即为相关业者所亟欲研发的课题所在。

技术实现思路

1、本实用新型的主要目的是在于提供一种高导热系数材料的防漏散热改良结构。

2、为达上述目的，本实用新型提供一种高导热系数材料的防漏散热改良结构，尤其是用于对一芯片本体上的一热源进行散热，该高导热系数材料的防漏散热改良结构包括绝缘膜片层、高导热系数热介面材料层、第一柔性材料复合层、第二柔性材料复合层与散热器。绝缘膜片层，其中央区域为一膜片开口，该绝缘膜片层设置于该热源的上面。高导热系数热介面材料层，其本体贴近于该热源且位于该芯片本体的上面，其中该高导热系数热介面材料层设置于该膜片开口。第一柔性材料复合层，其设置于该绝缘膜片层的上面，该第一柔性材料复合层的中央区域为一第一开口，其中该第一柔性材料复合层的两个侧面具有粘性。第二柔性材料复合层，其设置于该绝缘膜片层的下面，该第二柔性材料复合层的中央区域为一第二开口，其中该第二柔性材料复合层的两个侧面具有粘性。散热器，其设置于该第一柔性材料复合层的上面且粘合于该第一柔性材料复合层，该散热器的底部具有一凸台，且该凸台上具有复数个储存凹槽，其中该凸台的厚度为0.1～10毫米且该储存凹槽的深度为0.01～1毫米。

3、在本实用新型的一实施例中，该凸台的尺寸大小对应于该第一开口的尺寸大小。

4、在本实用新型的一实施例中，该膜片开口、该第一开口与该第二开口的每一边尺寸都对应的比该热源的每一边尺寸大0.1～1毫米。

5、在本实用新型的一实施例中，该绝缘膜片层的边缘与热源极性位置具有一个斜角，用以进行辨识安装方向，并具备拉手，用以作为撕下此绝缘膜片层的施开着力点。

6、在本实用新型的一实施例中，该第一柔性材料复合层由上至下为一第一背胶层、一第一泡棉层与一第二背胶层所组合而成。

7、在本实用新型的一实施例中，该第二柔性材料复合层由上至下为一第三背胶层、一第二泡棉层与一第四背胶层所组合而成。

8、在本实用新型的一实施例中，该复数个储存凹槽的每一个的外形为方形。

9、在本实用新型的一实施例中，该复数个储存凹槽的每一个的外形为圆形。

10、在本实用新型的一实施例中，该复数个储存凹槽的每一个的外形为六边形。

11、在本实用新型的一实施例中，高导热系数材料的防漏散热改良结构，还包括一绝缘固化胶、绝缘膏或绝缘泥，其设置于该热源旁的该芯片本体上的小零件上，且位于该高导热系数热介面材料层、该第一柔性材料复合层与该第二柔性材料复合层的周围以包覆起来。

12、综上所述，本实用新型所提供的高导热系数材料的防漏散热改良结构能够达到以下功效：

13、1.降低因为零件电路导电而造成高导热系数材料层组装时的漏电风险；

14、2.解决3d tsv封装技术的内部封装会使高导热材料产生泵出(pump out)的问题；

15、3.解决高功率芯片在运作时降频的问题；

16、4.解决超频时温度过高的问题；

17、5.解决重复性测试时散热不稳定的问题；以及

18、6.提升高导热系数材料实际运用上的可靠度。

19、以下通过具体实施例详加说明，当更容易了解本实用新型的目的、技术内容、特点及其所达成的功效。

技术特征：

1.一种高导热系数材料的防漏散热改良结构，用于对一芯片本体上的一热源进行散热，其特征在于，该高导热系数材料的防漏散热改良结构包括：

2.如权利要求1所述的高导热系数材料的防漏散热改良结构，其特征在于，该凸台的尺寸大小对应于该第一开口的尺寸大小。

3.如权利要求1所述的高导热系数材料的防漏散热改良结构，其特征在于，该膜片开口、该第一开口与该第二开口的每一边尺寸都对应的比该热源的每一边尺寸大0.1～1毫米。

4.如权利要求1所述的高导热系数材料的防漏散热改良结构，其特征在于，该绝缘膜片层的边缘具有至少1个以上安装对位孔位，用以进行安装或对位。

5.如权利要求1所述的高导热系数材料的防漏散热改良结构，其特征在于，该绝缘膜片层的边缘与热源极性位置具有一个斜角，用以进行辨识安装方向，并具备拉手，用以作为撕下此绝缘膜片层的施开着力点。

6.如权利要求1所述的高导热系数材料的防漏散热改良结构，其特征在于，该第一柔性材料复合层由上至下为一第一背胶层、一第一泡棉层与一第二背胶层所组合而成。

7.如权利要求1所述的高导热系数材料的防漏散热改良结构，其特征在于，该第二柔性材料复合层由上至下为一第三背胶层、一第二泡棉层与一第四背胶层所组合而成。

8.如权利要求1所述的高导热系数材料的防漏散热改良结构，其特征在于，该复数个储存凹槽的每一个的外形为方形。

9.如权利要求1所述的高导热系数材料的防漏散热改良结构，其特征在于，该复数个储存凹槽的每一个的外形为圆形。

10.如权利要求1所述的高导热系数材料的防漏散热改良结构，其特征在于，该复数个储存凹槽的每一个的外形为六边形。

11.如权利要求1所述的高导热系数材料的防漏散热改良结构，其特征在于，还包括一绝缘固化胶、绝缘膏或绝缘泥，其材质包括橡胶海绵、泡棉、防火材料或可压缩性材料，其设置于该热源旁的该芯片本体上的小零件上，且位于该高导热系数热介面材料层、该第一柔性材料复合层与该第二柔性材料复合层的周围用以包覆起来。

技术总结
本技术公开一种高导热系数材料的防漏散热改良结构，包括绝缘膜片层、高导热系数热介面材料层、第一柔性材料复合层、第二柔性材料复合层与散热器。绝缘膜片层，其中央区域为一膜片开口。高导热系数热介面材料层，其本体贴近于热源且位于芯片本体的上面。第一柔性材料复合层，其设置于绝缘膜片层的上面，第一柔性材料复合层的中央区域为第一开口。第二柔性材料复合层，其设置于该绝缘膜片层的下面，第二柔性材料复合层的中央区域为一第二开口。散热器设置于第一柔性材料复合层的上面，散热器的底部具有一凸台，且凸台上具有复数个储存凹槽。

技术研发人员：陈正雄
受保护的技术使用者：颀权股份有限公司
技术研发日：20230906
技术公布日：2024/5/8