封装体装置的制作方法

本技术实施例是有关于一种封装体装置。

背景技术：

1、由于各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的整合密度持续提高，半导体行业已经历了快速发展。在很大程度上，整合密度的提高源于最小特征尺寸的重复减小，此使得更多组件能够整合于给定面积中。随着缩小电子装置的需求的增长，对更小且更具创造性的半导体管芯封装技术的需求浮现。此种封装系统的一个实例是层叠封装(package-on-package，pop)技术。在pop装置中，顶部半导体封装堆叠于底部半导体封装的顶部上，以提供高整合程度及高组件密度。pop技术通常能够得到生产在印刷电路板(printed circuit board，pcb)上占用面积小且具有增强功能的半导体装置。

技术实现思路

1、本实用新型实施例提供一种封装体装置，包括：集成电路管芯，附接至衬底；盖体，附接至所述集成电路管芯；密封剂，位于所述盖体上；间隔件结构，相邻于所述集成电路管芯而附接至所述衬底；以及冷却盖，附接至所述间隔件结构，其中所述冷却盖在所述盖体之上延伸，其中所述冷却盖藉由所述密封剂而附接至所述盖体。

2、本实用新型实施例提供一种封装体装置，包括：第一衬底；第二衬底，连接至所述第一衬底；间隔件结构，附接至所述第一衬底，其中所述间隔件结构包围所述第二衬底；半导体装置，连接至所述第二衬底；环结构，附接至所述第二衬底，其中所述环结构包围所述半导体装置；以及冷却盖，附接至所述间隔件结构，其中所述冷却盖与所述环结构及所述半导体装置垂直地分离。

技术特征：

1.一种封装体装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的封装体装置，其特征在于，更包括位于所述衬底上的环结构，其中所述环结构位于所述间隔件结构与所述集成电路管芯之间。

3.根据权利要求1所述的封装体装置，其特征在于，其中所述盖体包括多个沟道。

4.根据权利要求1所述的封装体装置，其特征在于，其中所述间隔件结构包括垂直部分及水平部分，其中所述水平部分的顶表面与所述冷却盖接触。

5.根据权利要求1所述的封装体装置，其特征在于，其中所述冷却盖的在所述盖体之上延伸的部分具有较所述冷却盖的附接至所述间隔件结构的部分大的厚度。

6.根据权利要求1所述的封装体装置，其特征在于，更包括将所述冷却盖压靠于所述间隔件结构上的框架。

7.一种封装体装置，其特征在于，包括：

8.根据权利要求7所述的封装体装置，其特征在于，其中所述间隔件结构的一部分在所述冷却盖的底表面与所述环结构的顶表面之间延伸。

9.根据权利要求7所述的封装体装置，其特征在于，更包括附接至所述半导体装置的盖体，其中所述冷却盖附接至所述盖体。

10.根据权利要求7所述的封装体装置，其特征在于，其中所述冷却盖的底部是平整的。

技术总结
本技术实施例提供一种封装体装置。封装体装置包括：集成电路管芯，附接至衬底；盖体，附接至集成电路管芯；密封剂，位于盖体上；间隔件结构，相邻于集成电路管芯而附接至衬底；以及冷却盖，附接至间隔件结构，其中冷却盖在盖体之上延伸，其中冷却盖藉由密封剂而附接至盖体。在实施例中，所述装置包括位于衬底上的环结构，其中环结构位于间隔件结构与集成电路管芯之间。

技术研发人员：邵栋梁,余振华,郭鸿毅,黄钰昇
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：20230908
技术公布日：2024/5/16