一种电容版图结构、MOM电容、集成电路及半导体元件的制作方法

本技术涉及电容版图，尤指一种电容版图结构、mom电容、集成电路及半导体元件。

背景技术：

1、现有的mom电容版图采用的是插指结构，上、下极板使用同层金属，每层金属的形状和结构完全一致，同一极板的不同层金属在极板两端用接触孔相互导通，电容的容值由两个极板同层金属的平行截面产生。但是，由于没有隔离，上、下极板对地都会产生寄生电容，寄生电容的存在会影响电路的性能。

技术实现思路

1、本实用新型的目的是提供一种电容版图结构、mom电容、集成电路及半导体元件，解决现有技术中上、下极板对地都会产生寄生电容，影响电路性能的问题。

2、本实用新型提供的技术方案如下：

3、本实用新型提供一种电容版图结构，由若干单位电容组成，所述单位电容包括上极板和下极板，

4、所述上极板连接高层金属，所述下极板连接高层金属和低层金属，

5、所述上极板的高层金属和所述下极板的高层金属之间形成插指结构，且所述上极板的高层金属相对于地位于所述下极板的低层金属的上方，使所述上极板的高层金属与地之间通过所述下极板的低层金属进行隔离。

6、通过设置上极板由高层金属组成，下极板由高层金属和低层金属组成，上极板的高层金属和下极板的高层金属之间形成插指结构，能够实现电容容值的产生，而下极板的下层金属存在，且设置下层金属位于上极板的高层金属与地之间，能够使通电时上极板不会对地产生寄生电容，从而提高电路的充放电效率和稳定性。

7、在一些实施方式中，所述单位电容均包含两个所述下极板，且两个所述下极板分别位于对应的所述上极板的两侧，

8、所述上极板的两侧分别连接有朝向对应的所述下极板的高层金属，所述下极板均连接有朝向所述上极板的高层金属，所述上极板和两个对应的所述下极板之间均形成电容有效区。

9、通过在一个单位电容中设置两个下极板，且分别位于上极板的两侧，并形成两个电容有效区，能够使原本较长的金属插指分成两个较短的金属插指，在不影响电容容值的情况下，提高充电容的放电效率。

10、在一些实施方式中，所述上极板和所述下极板均对应连接若干层高层金属，每一层对应的两个高层金属在同一平面上，且均形成所述插指结构；

11、同一极板相邻层的高层金属之间通过第一导孔导通。

12、在一些实施方式中，所述单位电容中两个所述下极板的低层金属之间通过横跨所述单位电容的第一低层金属线导通，且各个所述下极板中低层金属与相邻的高层金属之间通过第二导孔导通，使所述单位电容中的两个所述下极板导通。

13、在一些实施方式中，所述下极板的低层金属中还包括与所述上极板的高层金属形状相同、位置对应的若干第二低层金属线，使所述上极板的高层金属与地之间通过所述第二低层金属线进行隔离。

14、在一些实施方式中，所述上极板和所述下极板的高层金属均包括若干平行设置的指状金属，且同一层的所述指状金属之间形成所述插指结构；

15、所述指状金属的宽度大于预设宽度，且所述指状金属的长度小于预设长度。

16、在一些实施方式中，各个所述单位电容呈阵列排布，

17、与各个所述单位电容上极板连接的第一走线从上方接入所述电容版图结构，与各个所述单位电容下极板连接的第二走线从侧方接入所述电容版图结构，且所述第一走线均垂直于所述第二走线。

18、另外，本实用新型还提供一种mom电容，包括上述的电容版图结构。

19、另外，本实用新型还提供一种集成电路，包括上述的mom电容。

20、另外，本实用新型还提供一种半导体元件，包括上述的mom电容。

21、通过本实用新型提供的一种电容版图结构、mom电容、集成电路及半导体元件，能够消除上极板对地的寄生电容，从而提高电路的充放电效率和稳定性，提高包含该容版图结构的电路的性能。

技术特征：

1.一种电容版图结构，由若干单位电容组成，其特征在于，所述单位电容包括上极板和下极板，

2.根据权利要求1所述的一种电容版图结构，其特征在于，所述单位电容均包含两个所述下极板，且两个所述下极板分别位于对应的所述上极板的两侧，

3.根据权利要求2所述的一种电容版图结构，其特征在于，所述上极板和所述下极板均对应连接若干层高层金属，每一层对应的两个高层金属在同一平面上，且均形成所述插指结构；

4.根据权利要求3所述的一种电容版图结构，其特征在于，所述单位电容中两个所述下极板的低层金属之间通过横跨所述单位电容的第一低层金属线导通，且各个所述下极板中低层金属与相邻的高层金属之间通过第二导孔导通，使所述单位电容中的两个所述下极板导通。

5.根据权利要求4所述的一种电容版图结构，其特征在于，所述下极板的低层金属中还包括与所述上极板的高层金属形状相同、位置对应的若干第二低层金属线，使所述上极板的高层金属与地之间通过所述第二低层金属线进行隔离。

6.根据权利要求3-5任一项所述的一种电容版图结构，其特征在于，所述上极板和所述下极板的高层金属均包括若干平行设置的指状金属，且同一层的所述指状金属之间形成所述插指结构；

7.根据权利要求6所述的一种电容版图结构，其特征在于，各个所述单位电容呈阵列排布，

8.一种mom电容，其特征在于，包括权利要求1-7任一项所述的电容版图结构。

9.一种集成电路，其特征在于，包括权利要求8所述的mom电容。

10.一种半导体元件，其特征在于，包括权利要求8所述的mom电容。

技术总结
本技术提供了一种电容版图结构、MOM电容、集成电路及半导体元件，电容版图结构由若干单位电容组成，所述单位电容包括上极板和下极板，所述上极板连接高层金属，所述下极板连接高层金属和低层金属，所述上极板的高层金属和所述下极板的高层金属之间形成插指结构，且所述上极板的高层金属相对于地位于所述下极板的低层金属的上方，使所述上极板的高层金属与地之间通过所述下极板的低层金属进行隔离。该方案能够去除上极板对地的寄生电容，从而提高电路的充放电效率和稳定性。

技术研发人员：唐德宇
受保护的技术使用者：毫厘智能科技（江苏）有限公司
技术研发日：20230912
技术公布日：2024/4/29