一种倍频晶体温控炉结构的制作方法

本技术涉及激光，尤其涉及一种倍频晶体温控炉结构。

背景技术：

1、激光通过倍频晶体生成二次谐波完成频率转换，高温倍频方案中晶体温度对倍频效率影响很大，为了实现激光倍频功率的稳定性，需要对倍频晶体进行高精度的控温。实际使用中，倍频晶体通常采用高精度tec温控器来进行控温，精度能够达到0.01℃甚至0.005℃，但是仍然面临温度调节过程中，制冷制热过快产生的波动调节的状态，影响激光倍频功率稳定性的问题，因此有必要设计一种新的倍频晶体温控炉结构，以减慢倍频晶体温度变化的速度。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于克服现有技术之缺陷，提供了一种倍频晶体温控炉结构，本实用新型至少解决了现有技术中的部分问题。

2、本实用新型是这样实现的：

3、本实用新型提供一种倍频晶体温控炉结构，包括通光壳、加热底座、倍频晶体组件、tec温控器的加热块，所述倍频晶体组件位于所述通光壳和加热底座围合成的腔体内，所述加热底座固定于tec温控器的加热块上，所述通光壳内开设有用于放置倍频晶体组件的收容槽，沿激光射入方向，所述通光壳的两端均安设有窗口片，所述倍频晶体组件包括第一安装块和第二安装块，所述第二安装块通过绝热锥体支撑于所述加热底座上，所述第二安装块远离加热底座的一侧与所述第一安装块固定连接，所述第二安装块上开设有用于放置倍频晶体的安装槽，所述倍频晶体沿激光的射入方向布置，两所述窗口片均正对所述倍频晶体，所述第一安装块远离所述第二安装块的侧面呈弧面，所述弧面的中部与所述通光壳的内壁接触。

4、进一步地，沿激光射入方向，所述倍频晶体组件的两侧与所述收容槽的内壁间具有间隙。

5、进一步地，所述第一安装块和所述第二安装块间通过第一螺钉固定相连。

6、进一步地，所述绝热锥体呈两侧对称的陀螺状，所述绝热锥体一侧的尖端朝向所述第二安装块，所述绝热锥体另一侧的尖端朝向所述加热底座。

7、进一步地，所述第二安装块的底部开设有第一柱状孔，所述绝热锥体一侧的尖端伸入所述第一柱状孔内。

8、进一步地，所述加热底座的顶部开设有第二柱状孔，所述绝热锥体另一侧的尖端伸入所述第二柱状孔内。

9、进一步地，所述绝热锥体有两个，两所述绝热锥体沿激光射入方向间隔设置。

10、进一步地，所述加热底座朝向第二安装块的一侧设有伸入所述收容槽内的凸台，所述绝热锥体位于所述凸台上。

11、进一步地，环绕所述凸台设有用于密封所述收容槽的密封圈。

12、本实用新型具有以下有益效果：

13、1、倍频晶体组件位于密封良好的通光壳内，仅靠两个绝热锥体、以及第一安装块的顶部中间区域，三点完成悬空固定，绝热锥体采用绝热材料制作，使得倍频晶体组件与tec温控器间采用空气隔绝，利用空气热传导特性差的效果，可以减慢温度变化的速度，保证倍频晶体温度的稳定性，进而保证激光倍频功率的稳定性。

14、2、倍频晶体组件与通光壳的收容槽内壁间只有顶部的一点接触，减少了倍频晶体组件与其它部件间的热传导，利于维持倍频晶体温度的稳定性。

技术特征：

1.一种倍频晶体温控炉结构，其特征在于：包括通光壳、加热底座、倍频晶体组件、tec温控器的加热块，所述倍频晶体组件位于所述通光壳和加热底座围合成的腔体内，所述加热底座固定于tec温控器的加热块上，所述通光壳内开设有用于放置倍频晶体组件的收容槽，沿激光射入方向，所述通光壳的两端均安设有窗口片，所述倍频晶体组件包括第一安装块和第二安装块，所述第二安装块通过绝热锥体支撑于所述加热底座上，所述第二安装块远离加热底座的一侧与所述第一安装块固定连接，所述第二安装块上开设有用于放置倍频晶体的安装槽，所述倍频晶体沿激光的射入方向布置，两所述窗口片均正对所述倍频晶体，所述第一安装块远离所述第二安装块的侧面呈弧面，所述弧面的中部与所述通光壳的内壁接触。

2.如权利要求1所述的倍频晶体温控炉结构，其特征在于：沿激光射入方向，所述倍频晶体组件的两侧与所述收容槽的内壁间具有间隙。

3.如权利要求1所述的倍频晶体温控炉结构，其特征在于：所述第一安装块和所述第二安装块间通过第一螺钉固定相连。

4.如权利要求1所述的倍频晶体温控炉结构，其特征在于：所述绝热锥体呈两侧对称的陀螺状，所述绝热锥体一侧的尖端朝向所述第二安装块，所述绝热锥体另一侧的尖端朝向所述加热底座。

5.如权利要求4所述的倍频晶体温控炉结构，其特征在于：所述第二安装块的底部开设有第一柱状孔，所述绝热锥体一侧的尖端伸入所述第一柱状孔内。

6.如权利要求4所述的倍频晶体温控炉结构，其特征在于：所述加热底座的顶部开设有第二柱状孔，所述绝热锥体另一侧的尖端伸入所述第二柱状孔内。

7.如权利要求1所述的倍频晶体温控炉结构，其特征在于：所述绝热锥体有两个，两所述绝热锥体沿激光射入方向间隔设置。

8.如权利要求1所述的倍频晶体温控炉结构，其特征在于：所述加热底座朝向第二安装块的一侧设有伸入所述收容槽内的凸台，所述绝热锥体位于所述凸台上。

9.如权利要求8所述的倍频晶体温控炉结构，其特征在于：环绕所述凸台设有用于密封所述收容槽的密封圈。

技术总结
本技术提供一种倍频晶体温控炉结构，包括通光壳、加热底座、倍频晶体组件、TEC温控器的加热块，所述倍频晶体组件位于所述通光壳和加热底座围合成的腔体内，所述加热底座固定于TEC温控器的加热块上，所述通光壳内开设有用于放置倍频晶体组件的收容槽，沿激光射入方向，所述通光壳的两端均安设有窗口片，所述倍频晶体组件包括第一安装块和第二安装块，所述第二安装块通过绝热锥体支撑于加热底座上，第二安装块远离加热底座的一侧与第一安装块固定连接，第二安装块上开设有用于放置倍频晶体的安装槽，倍频晶体沿激光的射入方向布置，两所述窗口片均正对倍频晶体，第一安装块远离第二安装块的侧面呈弧面，弧面的中部与通光壳的内壁接触。

技术研发人员：向阳,桂良为,江聪,王嵩,张顺
受保护的技术使用者：武汉华日精密激光股份有限公司
技术研发日：20230918
技术公布日：2024/5/19