一种多层陶瓷电容器中陶瓷芯片的制作方法

本技术涉及一种陶瓷芯片，具体涉及到一种多层陶瓷电容器中陶瓷芯片。

背景技术：

1、多层片式陶瓷电容器(mu lti layer ceramic capacitors)简称mlcc，具有高比容、高可靠性、高耐压、频率特性好等特点，是在电子信息、计算机、自动控制及通讯等领域应用十分广泛的电子器件。随着电子设备及元器件向微型、薄层、混合集成等方向发展以及集成电路表面安装技术的迅速发展，对高性能mlcc的需求与日俱增。近年来，随着电子信息技术的不断进步，电子电路的高密度化，对电子部件小型化的要求高，多层陶瓷电容器的小型化、大容量化迅速发展。同时，多层陶瓷电容器向着介质层薄层化方向发展，需要即使薄层化也要保证电容器的可靠性的介质材料，尤其在高温高压下使用的中高压多层陶瓷电容器的小型化和大容量化，对构成介质层的介质材料的可靠性提出了非常高的要求。

2、钛酸钡(batio3)是mlcc中常用的基体材料，具有较高的介电常数。将钛酸钡应用于mlcc时，通常是将钛酸钡粉体配制成浆料，流延成膜片，再经过电极印刷、叠层、压合、切割形成具有一定形状和尺寸的生坯，然后烧结成瓷。然而，这种方式制造的钛酸钡陶瓷普遍存在抗弯曲能力相对较差的问题，在器件组装及使用过程中，任何可能产生弯曲变形的操作都会导致器件瓷体开裂，从而导致mlcc产品的失效。但是这样的制造方法存在以下问题：由于介质层和内电极层在烧结过程中的收缩差异，容易导致形成的陶瓷芯片易变形，介质层与内电极层之间或介质层与介质层之间产生裂纹或脱层。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种多层陶瓷电容器中陶瓷芯片的结构组成，这种结构组成可以降低陶瓷芯片的形变及介质层之间脱层率。

2、为实现上述目的，这种陶瓷芯片的设置及制备步骤如下：

3、一种多层陶瓷电容器中陶瓷芯片由钛酸钡(batio3)层1、si c陶瓷2和内电极3组成，钛酸钡(batio3)1上依次交替设置sic陶瓷层2和内电3，sic陶瓷层2由聚碳硅烷溶液经预氧化交联、高温裂解后烧结形成，内电极3印刷在si c陶瓷层2上，最外层的内电极3上还设置有一层sic陶瓷层2。

4、所述陶瓷芯片中si c陶瓷层2的层数大于等于3。

5、所述sic陶瓷层2的厚度为0.1μm～2μm。

6、所述陶瓷芯片是将钛酸钡(batio3)陶瓷基片采用浸渍的方法浸渍聚碳硅烷溶液，经预氧化交联、高温裂解后，获得第一层si c陶瓷，之后在第一层sic陶瓷上丝网印刷内电极。

7、在以上步骤的基础上重复进行浸渍、氧化交联、高温裂解以获得第二层sic陶瓷，之后在第二层sic陶瓷上丝网印刷内电极。

8、重复浸渍、氧化交联、高温裂解、丝网印刷步骤以得到更多层印有内电极的si c陶瓷层，层数大于等于3，最外层是没有内电极的si c陶瓷层。

9、上述制备过程较传统陶瓷芯片制备过程省去了叠层、压合这两道工序，也同时避免了这两道工序带来的陶瓷芯片的形变，且给生产企业大大节省了时间和成本。碳化硅是共价键极强的化合物，在高温条件下仍保持较高的键合强度，碳化硅的这种结构特点决定了它高强度、耐高温、抗氧化、优良的化学稳定性以及不被大多数酸碱溶液所腐蚀的一系列优良性能；而且在制备si c陶瓷层过程中采用的浸渍方法，这种方法可以使聚碳硅烷溶液填充到钛酸钡层及后来的每个si c陶瓷层表面的孔洞，并且可包裹住内电极，聚碳硅烷经氧化交联及高温裂解后即形成sic陶瓷层，钛酸钡层与sic陶瓷层、sic陶瓷层与sic陶瓷层及内电极与sic陶瓷层之间贴合更加紧密，从而大大降低了陶瓷芯片介质层之间的脱层率；且有研究表明聚碳硅烷经氧化交联及高温裂解后形成的si c陶瓷层为β-sic晶相，其介电常数高适合用于制造多层陶瓷电容器。

10、优选的，所述单层sic陶瓷层厚度为0.1μm～2μm，通过制备薄层介质材料，可以提高mlcc容量、减小体积，降低生产成本，满足电子通信设备不断小型化大容量的要求。

11、相比现有技术，本实用新型的有益效果在于：本实用新型提供的多层陶瓷电容器中陶瓷芯片其制备过程较传统陶瓷芯片制备过程省去了叠层、压合这两道工序，也同时避免了这两道工序带来的陶瓷芯片的形变，且给生产企业大大节省了时间和成本。在制备sic陶瓷层过程中采用的浸渍方法，使聚碳硅烷溶液填充到钛酸钡层及后来的每个si c陶瓷层表面的孔洞，并且可包裹住内电极，在氧化交联及高温裂解后，钛酸钡层与sic陶瓷层、sic陶瓷层与sic陶瓷层及内电极与sic陶瓷层之间贴合更加紧密，从而大大降低了陶瓷芯片介质层之间的脱层率。

1.一种多层陶瓷电容器中陶瓷芯片，其特征在于，陶瓷芯片由钛酸钡(batio3)层(1)、sic陶瓷层(2)和内电极(3)组成，钛酸钡(batio3)层(1)上依次交替设置sic陶瓷层(2)和内电极(3)，sic陶瓷层(2)由聚碳硅烷溶液经预氧化交联、高温裂解后烧结形成，内电极(3)印刷在sic陶瓷层(2)上，最外层的内电极(3)上还设置有一层sic陶瓷层(2)。

2.根据权利要求1所述多层陶瓷电容器中陶瓷芯片，其特征在于，陶瓷芯片中sic陶瓷层(2)的层数大于等于3。

3.根据权利要求1所述多层陶瓷电容器中陶瓷芯片，其特征在于，所述sic陶瓷层(2)的厚度为0.1μm～2μm。