本申请涉及真空,尤其是一种绝缘气针及射频离子源。
背景技术:
1、射频离子源是一种应用领域十分广泛,在离子束溅射、离子束刻蚀、表面处理及辅助沉积等方面均可使用的离子源。射频离子源通过电感耦合原理在放电室中产生等离子体,并由离子光学系统形成离子束流。在向射频离子源的放电室导入工作气体时,通常会先经过绝缘气针处理,绝缘气针将工作气体以层流的形式,稳定均匀的进入放电室,以提高等离子体的均匀性。
2、目前,市面上的绝缘气针,射频线圈产生的电磁波容易在绝缘气针内部发生气体放电,导致供气不稳定,影响了射频离子源的工作稳定甚至熄灭。
技术实现思路
1、本申请的目的旨在解决上述的技术缺陷之一,提供一种绝缘气针及射频离子源,提升绝缘气针抗干扰能力,实现稳定供气。
2、一种绝缘气针,应用于射频离子源,包括:串联连接的进气管、气针本体以及出气管;其中,所述进气管以及出气管分别连接在气针本体两端;
3、所述气针本体包括:导气件、绝缘件、第一电极、第二电极以及电磁屏蔽层;所述绝缘件包裹导气件,所述第一电极和第二电极分别设置在导气件的两端;所述电磁屏蔽层罩设在绝缘件外侧;所述第一电极和第二电极形成电场;
4、在工作状态下,工作气体从所述进气管进入导气件,并由所述出气管输出到射频离子源的放电室中。
5、在一个实施例中,所述第一电极包括设于导气件的进气管一端的第一金属帽;
6、所述第二电极包括设于导气件的出气管一端的第二金属帽;
7、所述电磁屏蔽层包括第一金属套筒;其中,所述第一金属套筒直径小的一端连接第一金属帽,直径大的一端延伸至所述第二金属帽的外侧,并与第二金属帽保持一定距离。
8、在一个实施例中,所述第一金属帽与第一金属套筒为一体化结构设计。
9、在一个实施例中,所述导气件包括柱状本体;其中,所述柱状本体外侧设有螺旋的气道;
10、所述柱状本体的气道两端分别连接所述进气管及出气管。
11、在一个实施例中,所述绝缘件包括绝缘陶瓷套筒;
12、所述绝缘陶瓷套筒长度与所述柱状本体一致,且密封套设在柱状本体的气道外侧。
13、在一个实施例中,所述第一金属帽接地,所述第二金属帽连接屏栅极电源。
14、在一个实施例中,所述气针本体为加长结构设计。
15、一种射频离子源,包括:射频线圈,绝缘气针,以及放电室;
16、所述射频线圈设于放电室外,向放电室内部导入射频能量电离工作气体;所述绝缘气针设于放电室底部。
17、在一个实施例中,所述出气管穿过放电室底部的密封接口插入到放电室内的电离区域,对进入放电室的工作气体进行绝缘隔离处理。
18、在一个实施例中,所述射频线圈设置在放电室的底部。
19、本申请具有如下有益效果:
20、可以阻挡射频线圈产生的电磁波经过气体流动区,避免工作气体在绝缘气针的内部发生气体放电,提升绝缘气针的抗干扰能力,保证供气稳定;进一步的,气针本体可以采用加长结构设计,从而更好的抑制放电室产生的等离子体扩散至绝缘气针内。
21、本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出,这些将从下面的描述中变得明显,或通过本申请的实践了解到。
1.一种绝缘气针(01),应用于射频离子源(100),其特征在于,包括:串联连接的进气管(11)、气针本体(12)以及出气管(13);其中,所述进气管(11)以及出气管(13)分别连接在气针本体(12)两端;
2.根据权利要求1所述的绝缘气针(01),其特征在于,所述第一电极(123)包括设于导气件(121)的进气管(11)一端的第一金属帽(3a);
3.根据权利要求2所述的绝缘气针(01),其特征在于,所述第一金属帽(3a)与第一金属套筒(5c)为一体化结构设计。
4.根据权利要求2所述的绝缘气针(01),其特征在于,所述导气件(121)包括柱状本体(210);其中,所述柱状本体(210)外侧设有螺旋的气道(6d);
5.根据权利要求4所述的绝缘气针(01),其特征在于,所述绝缘件(122)包括绝缘陶瓷套筒;
6.根据权利要求2所述的绝缘气针(01),其特征在于,所述第一金属帽(3a)接地,所述第二金属帽(4b)连接屏栅极电源。
7.根据权利要求1-6任一项所述的绝缘气针(01),其特征在于,所述气针本体(12)为加长结构设计。
8.一种射频离子源(100),其特征在于,包括:射频线圈(03),权利要求1-6任一项所述的绝缘气针(01),以及放电室(02);
9.根据权利要求8所述的射频离子源(100),其特征在于,所述出气管(13)穿过放电室(02)底部的密封接口插入到放电室(02)内的电离区域,对进入放电室(02)的工作气体进行绝缘隔离处理。
10.根据权利要求9所述的射频离子源(100),其特征在于,所述射频线圈(03)设置在放电室(02)的底部。