减薄倒装产品厚度的封装结构的制作方法

本技术涉及半导体封装，更具体涉及一种减薄倒装产品厚度的封装结构。

背景技术：

1、随着封装技术集成化的不断发展，倒装芯片封装产品大大提高了电子器件集成度，近几年倒装封装结构已经称为高性能封装的互联方法，它的应用得到比较广泛快速的发展，但是倒装芯片封装，芯片正面有bump，芯片翻转bump与管脚键合后形成有一定高度的空间，塑封产品需要将芯片框架等全部包覆形成一定的高度，降低了产品的集成度。并且产品塑封时塑封料流动到芯片与框架中间不均匀，同时框架半蚀刻管脚因需要与芯片上bump的位置匹配，这样框架整体上会存在大片的半蚀刻区域，产品塑封时，也会存在内部空洞填充不满等问题，引发封装中出现各种异常，影响产品品质。

2、现提出一种用于减薄倒装产品封装结构的工艺方法，在芯片翻转倒装在框架上以后，在整体表面刷涂或者浸涂透明保护胶，保护胶固化后可以保护产品表面并起到固定芯片与框架的作用，并且省去塑封的工艺流程，可以在减小产品整体厚度的情况下起到保护产品以及稳定产品运作的作用，同时可以通过透明保护胶直接查验产品内部情况，检验产品封装效果，在提高产品集成度的同时，方便内部排查产品内部异常，提高作业效率。

技术实现思路

1、为了解决上述问题，本实用新型的目的在于提供了一种减少生产工艺、提高产品集成度、方便内部排查产品内部异常、提高作业效率同时减低产品厚度的减薄倒装产品厚度的封装结构。

2、根据本实用新型的一个方面，提供了减薄倒装产品厚度的封装结构，包括：芯片、保护胶、凸块、框架以及电镀层，芯片底部通过若干凸块与框架连接，保护胶包覆框架的顶部和芯片，框架的底部设有电镀层。通过利用保护胶取代现有技术中的塑封层，进而减薄封装结构整体的厚度。

3、在一些实施方式中，框架的厚度最小为0.1mm。

4、在一些实施方式中，芯片厚度最小为70um－90um。

5、在一些实施方式中，凸块的高度最小为90um。

6、在一些实施方式中，保护胶的厚度为25um－50um。

7、在一些实施方式中，保护胶为：环氧树脂、硅胶、聚氨酯、聚酰亚胺、丙烯酸树脂一种或者多种的混合。利用保护胶相较塑封料，保护胶填料含量低透明系数高，防护效果更好。

8、在一些实施方式中，保护胶的工作温度小于200摄氏度。

9、在一些实施方式中，电镀层为：镍钯金或者锡，厚度为：0.531um－20um。利用电镀层便于与其他元件连接。

10、本实用新型通过在芯片翻转倒装在框架上以后，在整体表面刷涂或者浸涂透明保护胶，保护胶固化后可以保护产品表面并起到固定芯片与框架的作用，并且省去塑封的工艺流程，可以在减小产品整体厚度的情况下起到保护产品以及稳定产品运作的作用，同时可以通过透明保护胶直接查验产品内部情况，检验产品封装效果，在提高产品集成度的同时，方便内部排查产品内部异常，提高作业效率。

技术特征：

1.减薄倒装产品厚度的封装结构，其特征在于，包括：芯片、保护胶、凸块、框架以及电镀层，所述芯片底部通过若干凸块与框架连接，所述保护胶包覆框架的顶部和芯片，所述框架的底部设有电镀层；所述保护胶为：环氧树脂、硅胶、聚氨酯、聚酰亚胺、丙烯酸树脂中的一种；所述电镀层为：镍钯金或者锡，厚度为：0.531um。

2.根据权利要求1所述的减薄倒装产品厚度的封装结构，其特征在于，所述框架的厚度最小为0.1mm。

3.根据权利要求2所述的减薄倒装产品厚度的封装结构，其特征在于，所述芯片厚度最小为70um－90um。

4.根据权利要求2所述的减薄倒装产品厚度的封装结构，其特征在于，所述凸块的高度最小为90um。

5.根据权利要求4所述的减薄倒装产品厚度的封装结构，其特征在于，所述保护胶的厚度为25um－50um。

6.根据权利要求1所述的减薄倒装产品厚度的封装结构，其特征在于，所述保护胶的工作温度小于200摄氏度。

技术总结
本技术公开了一种减薄倒装产品厚度的封装结构，包括：芯片、保护胶、凸块、框架以及电镀层，芯片底部通过若干凸块与框架连接，保护胶包覆框架的顶部和芯片，框架的底部设有电镀层。通过利用保护胶取代现有技术中的塑封层，进而减薄封装结构整体的厚度，本技术提供了一种减少生产工艺、提高产品集成度、方便内部排查产品内部异常、提高作业效率同时减低产品厚度的减薄倒装产品厚度的封装结构。

技术研发人员：陈亮,陈雷,徐森
受保护的技术使用者：江苏芯德半导体科技有限公司
技术研发日：20230926
技术公布日：2024/11/4