一种控制装置的制作方法

本申请涉及半导体制造，特别涉及一种控制装置。

背景技术：

1、在半导体晶圆制造过程中，完成蚀刻的晶圆表面会不可避免地附着有蚀刻工艺中产生的工艺废气，这些工艺废气附着在晶圆表面进入下一道工序中，对下一道工艺中晶圆的加工效果产生影响。

2、此外，在蚀刻晶圆的过程中会引入卤族元素的气体，这也使得晶圆表面附着的工艺废气中含有许多卤化物气体，若在传送晶圆的过程中，晶圆所处的环境湿度较高，则附着在晶圆表面的卤化物气体会与环境中的水蒸气发生反应，生成酸性物质，这些酸性物质会腐蚀晶圆的表面，降低晶圆的良率，甚至导致晶圆报废。

3、因此，需要一种用于晶圆传送的控制装置，可以降低晶圆传送过程中晶圆所处环境的湿度并清除晶圆表面附着的废气。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种控制装置，用于传送晶圆，包括：容置腔，用于放置晶圆；供气装置，用于提供气体，所述气体流向所述容置腔；温度调节装置，所述温度调节装置设置在所述供气装置与所述容置腔之间，用于调节从所述供气装置流向所述容置腔的气体的温度；以及排气装置，所述排气装置与所述容置腔的出气口连通，用于从所述容置腔内排出所述气体。

2、在一些实施例中，所述控制装置还包括第一监测器，所述第一监测器与所述容置腔连通，用于监测所述容置腔内的湿度。

3、在一些实施例中，所述控制装置还包括控制器，与所述第一监测器和所述供气装置电连接，所述控制器被配置为：根据所述第一监测器监测到的所述容置腔内的所述湿度控制所述温度调节装置的输出功率以及所述供气装置的气体流量。

4、在一些实施例中，所述控制装置还包括第二监测器，所述第二监测器与所述容置腔连通，用于监测所述容置腔内的温度并将所述温度反馈至所述控制器。

5、在一些实施例中，所述控制器与所述第二监测器电连接，所述控制器还被配置为：根据所述第二监测器监测到的所述容置腔内的所述温度调节所述温度调节装置的输出功率以及所述供气装置的气体流量。

6、在一些实施例中，所述控制装置还包括过滤装置，所述过滤装置设置在所述温度调节装置与所述容置腔之间，用于过滤流向所述容置腔的所述气体。

7、在一些实施例中，所述供气装置、所述温度调节装置、所述过滤装置、所述容置腔通过气体管路依次连通。

8、在一些实施例中，所述排气装置包括排气管路和设置在排气管路上的阀体，所述排气管路与所述容置腔的出气口连通。

9、在一些实施例中，所述排气装置还包括气体处理系统，与所述排气管路连通，用于处理从所述容置腔内排出的所述气体。

10、在一些实施例中，所述容置腔包括至少一个可关闭的开口，用于将所述晶圆移入或移出所述容置腔。

11、本申请提供的控制装置可在传送晶圆的过程中，通过供气装置对放置所述晶圆的容置腔提供气体，以持续置换所述容置腔内部的环境气体，并吹扫所述晶圆表面附着的蚀刻反应产生的废气；此外，所述控制装置还包括温度调节装置，所述温度调节装置可对所述气体进行加热，以降低所述容置腔内的湿度，避免所述废气中的卤化物与水蒸气发生反应生成酸性物质，对所述晶圆造成腐蚀。

技术特征：

1.一种控制装置，用于传送晶圆，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的控制装置，其特征在于，所述控制装置还包括第一监测器，所述第一监测器与所述容置腔连通，用于监测所述容置腔内的湿度。

3.根据权利要求2所述的控制装置，其特征在于，所述控制装置还包括控制器，与所述第一监测器和所述供气装置电连接，所述控制器被配置为：根据所述第一监测器监测到的所述容置腔内的所述湿度控制所述温度调节装置的输出功率以及所述供气装置的气体流量。

4.根据权利要求3所述的控制装置，其特征在于，所述控制装置还包括第二监测器，所述第二监测器与所述容置腔连通，用于监测所述容置腔内的温度并将所述温度反馈至所述控制器。

5.根据权利要求4所述的控制装置，其特征在于，所述控制器与所述第二监测器电连接，所述控制器还被配置为：根据所述第二监测器监测到的所述容置腔内的所述温度调节所述温度调节装置的输出功率以及所述供气装置的气体流量。

6.根据权利要求1所述的控制装置，其特征在于，所述控制装置还包括过滤装置，所述过滤装置设置在所述温度调节装置与所述容置腔之间，用于过滤流向所述容置腔的所述气体。

7.根据权利要求6所述的控制装置，其特征在于，所述供气装置、所述温度调节装置、所述过滤装置、所述容置腔通过气体管路依次连通。

8.根据权利要求1所述的控制装置，其特征在于，所述排气装置包括排气管路和设置在排气管路上的阀体，所述排气管路与所述容置腔的出气口连通。

9.根据权利要求8所述的控制装置，其特征在于，所述排气装置还包括气体处理系统，与所述排气管路连通，用于处理从所述容置腔内排出的所述气体。

10.根据权利要求1所述的控制装置，其特征在于，所述容置腔包括至少一个可关闭的开口，用于将所述晶圆移入或移出所述容置腔。

技术总结
本申请提供一种控制装置，用于传送晶圆，包括：容置腔，用于放置晶圆；供气装置，用于提供气体，所述气体流向所述容置腔；温度调节装置，所述温度调节装置设置在所述供气装置与所述容置腔之间，用于调节从所述供气装置流向所述容置腔的气体的温度；以及排气装置，所述排气装置与所述容置腔的出气口连通，用于从所述容置腔内排出所述气体。所述控制装置在传送晶圆的过程中可以持续置换所述容置腔内部的环境气体，并吹扫晶圆表面附着的废气同时降低晶圆传送过程中晶圆所处环境的湿度，避免所述废气中的卤化物与水蒸气发生反应生成酸性物质，对所述晶圆造成腐蚀。

技术研发人员：卫德强
受保护的技术使用者：中芯北方集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：20231023
技术公布日：2024/6/20