接触器快速退磁装置及系统的制作方法

本技术实施例涉及接触器，尤其涉及一种接触器快速退磁装置及系统。

背景技术：

1、接触器释放速度与电寿命有紧密的关系，释放速度越快触头承载电流的时间越短，寿命越长。现有方式通过消耗线圈内部电流进行退磁，当接触器额定工作电压越高，采用吸收线圈的电子元件耐压也很高，器件选择难，且成本高。

技术实现思路

1、本实用新型提供一种接触器快速退磁装置及系统，以提高接触器退磁的速度，以延长接触器寿命，减小退磁设计的成本。

2、第一方面，本实用新型实施例提供了一种接触器快速退磁装置，该接触器快速退磁装置包括在同一铁芯上同向或反向绕制的第一线圈和第二线圈、第一开关模块、第二开关模块以及控制模块；

3、所述第一线圈与所述第一开关模块连接，所述第一开关模块与所述控制模块连接，所述第二线圈与所述第二开关模块连接，所述第二开关模块与所述控制模块连接；

4、所述控制模块用于在接触器释放时通过所述第一开关模块和所述第二开关模块控制所述第一线圈产生的磁力和所述第二线圈产生的磁力相抵消，使接触器加快释放。

5、可选地，所述第一线圈的第一端与第一固定电位连接，所述第一线圈的第二端通过所述第一开关模块与第二固定电位连接；

6、所述第二线圈的第一端通过所述第二开关模块与第四固定电位连接，所述第二线圈的第二端与所述第三固定电位连接。

7、可选地，所述第一线圈的第一端与第一固定电位连接，所述第一线圈的第二端通过所述第一开关模块与第二固定电位连接；

8、所述第二线圈的第一端和第二端均通过所述第二开关模块分别与第三固定电位和第四固定电位连接。

9、可选地，所述第一开关模块包括第一晶体管；

10、所述第一晶体管的控制端与所述控制模块连接，所述第一晶体管的第一极与所述第一线圈的第二端连接，所述第一晶体管的第二极与所述第二固定电位连接。

11、可选地，所述第一晶体管为p型金属氧化物半导体场效应晶体管或n型金属氧化物半导体场效应晶体管。

12、可选地，所述第二开关模块包括第二晶体管；

13、所述第二晶体管的控制端与所述控制模块连接，所述第二晶体管的第一极与所述第二线圈的第一端连接，所述第二晶体管的第二极与所述第四固定电位连接。

14、可选地，所述第二晶体管为p型金属氧化物半导体场效应晶体管或n型金属氧化物半导体场效应晶体管。

15、可选地，所述第二开关模块包括第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管以及第六晶体管；

16、所述第三晶体管的控制端、所述第四晶体管的控制端、所述第五晶体管的控制端以及所述第六晶体管的控制端均与所述控制模块连接；

17、所述第三晶体管的第一极和所述第四晶体管的第一极均与所述第三固定电位连接，所述第三晶体管的第二极和所述第五晶体管的第一极均与所述第二线圈的第一端连接，所述第四晶体管的第二极和所述第六晶体管的第一极均与所述第二线圈的第二端连接，所述第五晶体管的第二极和所述第六晶体管的第二极均与所述第四固定电位连接。

18、可选地，所述第三晶体管为p型金属氧化物半导体场效应晶体管或n型金属氧化物半导体场效应晶体管；

19、所述第四晶体管为p型金属氧化物半导体场效应晶体管或n型金属氧化物半导体场效应晶体管；

20、所述第五晶体管为p型金属氧化物半导体场效应晶体管或n型金属氧化物半导体场效应晶体管；

21、所述第六晶体管为p型金属氧化物半导体场效应晶体管或n型金属氧化物半导体场效应晶体管。

22、第二方面，本实用新型实施例还提供了一种接触器快速退磁系统，该接触器快速退磁系统包括接触器开关和本实用新型任意实施例所提供的接触器快速退磁系统。

23、本实用新型提出的一种接触器快速退磁装置，控制模块通过第一开关模块和第二开关模块控制在同一铁芯上同向或反向绕制的第一线圈产生的磁力和第二线圈产生的磁力相抵消，以加快接触器释放。由此，本方案接触器快速退磁装置相比于现有技术设置吸收线圈的电子元件进行消磁的装置，可以提高接触器退磁的速度，以延长接触器寿命，减小退磁设计的成本。

技术特征：

1.一种接触器快速退磁装置，其特征在于，包括在同一铁芯上同向或反向绕制的第一线圈和第二线圈、第一开关模块、第二开关模块以及控制模块；

2.根据权利要求1所述的接触器快速退磁装置，其特征在于，所述第一线圈的第一端与第一固定电位连接，所述第一线圈的第二端通过所述第一开关模块与第二固定电位连接；

3.根据权利要求1所述的接触器快速退磁装置，其特征在于，所述第一线圈的第一端与第一固定电位连接，所述第一线圈的第二端通过所述第一开关模块与第二固定电位连接；

4.根据权利要求2或3所述的接触器快速退磁装置，其特征在于，所述第一开关模块包括第一晶体管；

5.根据权利要求4所述的接触器快速退磁装置，其特征在于，所述第一晶体管为p型金属氧化物半导体场效应晶体管或n型金属氧化物半导体场效应晶体管。

6.根据权利要求2所述的接触器快速退磁装置，其特征在于，所述第二开关模块包括第二晶体管；

7.根据权利要求6所述的接触器快速退磁装置，其特征在于，所述第二晶体管为p型金属氧化物半导体场效应晶体管或n型金属氧化物半导体场效应晶体管。

8.根据权利要求3所述的接触器快速退磁装置，其特征在于，所述第二开关模块包括第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管以及第六晶体管；

9.根据权利要求8所述的接触器快速退磁装置，其特征在于，所述第三晶体管为p型金属氧化物半导体场效应晶体管或n型金属氧化物半导体场效应晶体管；

10.一种接触器快速退磁系统，其特征在于，包括接触器开关和权利要求1-9任一项所述的接触器快速退磁装置。

技术总结
本技术实施例公开了一种接触器快速退磁装置及系统，涉及接触器技术领域。该接触器快速退磁装置包括在同一铁芯上同向或反向绕制的第一线圈和第二线圈、第一开关模块、第二开关模块以及控制模块；第一线圈与第一开关模块连接，第一开关模块与控制模块连接，第二线圈与第二开关模块连接，第二开关模块与控制模块连接；控制模块用于在接触器释放时通过第一开关模块和第二开关模块控制第一线圈产生的磁力和第二线圈产生的磁力相抵消，使接触器加快释放。本方案接触器快速退磁装置相比于现有技术设置吸收线圈的电子元件进行消磁的装置，可以提高接触器退磁的速度，以延长接触器寿命，减小退磁设计的成本。

技术研发人员：欧佳嵘,朱可,洪传生,沈超,王加春,宋健,刘启强
受保护的技术使用者：上海正泰智能科技有限公司
技术研发日：20231116
技术公布日：2024/6/20