一种散热盖及防翘曲封装结构的制作方法

文档序号:38510131发布日期:2024-07-01 20:14阅读:24来源:国知局
一种散热盖及防翘曲封装结构的制作方法

本技术涉及半导体封装,尤其涉及一种散热盖及防翘曲封装结构。


背景技术:

1、随着半导体行业的快速发展,半导体器件应用日益广泛,对功能的需求日益复杂,因此芯片一方面需要越来越高的集成度,同时也期望功耗能够越做越小。而常规的半导体芯片的封装方式主要有引线键合和倒装芯片接合两种。对于传统的倒装芯片球栅格阵列封装(fcbga),可以直接在芯片背面贴散热盖,且散热盖四周的盖脚(lid foot)由于直接接触基板,对防止翘曲同时有很好的效果。

2、但是由于引线键合芯片和倒装芯片级封装(fccsp)需要塑封的原因,无法直接贴装散热盖。当封装尺寸较大时,高温翘曲会非常严重,封装产品完成后再贴装pcb时会因为高温阶段呈现哭脸,而使得回流降温阶段中间的焊球无法接触焊盘导致无法润湿,进而造成开路,两侧的锡球也会因为距离过近而产生连锡问题,如图1所示。目前常用的解决方法的有两种:

3、1、使环氧塑封料emc厚度尽量小,使得高温下emc和基板的热膨胀系数cte失配降低到一定程度,以此抑制翘曲,但对于芯片上有多层打线情况下线弧较高时不适用;

4、2、使emc厚度尽量大或者增加芯板core厚度,通过增大封装整体的刚性来抑制翘曲,但是厚度过厚也会使得封装内部热阻增大,不利于向外散热。


技术实现思路

1、为解决现有技术中的上述问题中的至少一部分问题,本实用新型提供了一种散热盖,包括:

2、顶盖;

3、可弯曲构件,其连接所述顶盖与支撑构件,且所述可弯曲构件被构造的能够弯折和伸展;以及

4、支撑构件,其包括相互垂直的支持主体和卡块。

5、进一步地,所述支撑构件位于所述顶盖相对的两侧。

6、进一步地,所述支撑构件位于所述顶盖的四周。

7、进一步地,在展开状态下,所述顶盖和所述支持主体齐平,所述卡块垂直于所述顶盖。

8、进一步地,在使用状态下,所述可弯曲构件弯折,所述支持主体与所述顶盖垂直,所述卡块与所述顶盖平行。

9、本实用新型还提供一种防翘曲封装结构,包括:

10、封装结构;以及

11、散热盖,其与所述封装结构连接,且所述散热盖的顶盖以及卡块固定所述封装结构的顶面和底面,所述散热盖的支持主体固定所述封装结构的侧面。

12、进一步地,所述封装结构为引线键合封装结构或倒装芯片级封装结构。

13、进一步地,所述封装结构包括:

14、基板;

15、芯片,其设置在所述基板的正面;以及

16、塑封料,其位于所述基板的正面,并塑封所述芯片。

17、进一步地,所述顶盖与所述塑封料背离所述基板的表面通过导热胶连接,所述支持主体与所述塑封料的侧面及所述基板的侧面通过导热胶连接,所述卡块与所述基板的背面通过导热胶连接。

18、进一步地,所述封装结构还包括:

19、键合引线,其连接所述芯片与所述基板;

20、焊球,其设置在所述基板的背面。

21、本实用新型至少具有下列有益效果:本实用新型的散热盖通过采用多段式的结构实现了较好的防翘曲效果,散热盖既可以通过支撑构件抑制基板和塑封料的xy方向位移,又可以通过顶盖和支撑构件的卡块抑制基板与塑封料在z方向的位移,充分抑制回流时产生的翘曲。而且散热盖四周均和封装结构外侧接触,利用金属的高导热性可以在一定程度降低热阻。



技术特征:

1.一种散热盖,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的散热盖,其特征在于,所述支撑构件位于所述顶盖相对的两侧。

3.根据权利要求1所述的散热盖,其特征在于,所述支撑构件位于所述顶盖的四周。

4.根据权利要求1所述的散热盖,其特征在于,在展开状态下,所述顶盖和所述支持主体齐平,所述卡块垂直于所述顶盖。

5.根据权利要求1所述的散热盖,其特征在于,在使用状态下,所述可弯曲构件弯折,所述支持主体与所述顶盖垂直,所述卡块与所述顶盖平行。

6.一种防翘曲封装结构,其特征在于,包括:

7.根据权利要求6所述的防翘曲封装结构,其特征在于,所述封装结构为引线键合封装结构或倒装芯片级封装结构。

8.根据权利要求6所述的防翘曲封装结构,其特征在于,所述封装结构包括:

9.根据权利要求8所述的防翘曲封装结构,其特征在于,所述顶盖与所述塑封料背离所述基板的表面通过导热胶连接,所述支持主体与所述塑封料的侧面及所述基板的侧面通过导热胶连接,所述卡块与所述基板的背面通过导热胶连接。

10.根据权利要求8所述的防翘曲封装结构,其特征在于,所述封装结构还包括:


技术总结
本技术涉及一种散热盖及防翘曲封装结构,其中散热盖,包括:顶盖;可弯曲构件,其连接所述顶盖与支撑构件,且所述可弯曲构件被构造的能够弯折和伸展;以及支撑构件,其包括相互垂直的支持主体和卡块。本技术的散热盖通过采用多段式的结构实现了较好的防翘曲效果。

技术研发人员:周澄
受保护的技术使用者:华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
技术研发日:20231121
技术公布日:2024/6/30
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