一种倒装miniLED封装结构及灯珠的制作方法

文档序号:38841913发布日期:2024-07-30 17:40阅读:13来源:国知局
一种倒装mini LED封装结构及灯珠的制作方法

本技术涉及led封装,特别涉及一种倒装mini led封装结构及灯珠。


背景技术:

1、倒装显示mini led由于高对比度,高亮度,高可靠性等优势,逐步应用一些高端显示场景。倒装产品拥有正装无法比拟的优点,现有的倒装基板由于正面不打线,使用锡膏焊接,基板正面除焊盘外,其余全部用黑色哑光油墨覆盖,减少金色焊盘暴露面积,提高封装后灯珠对比度。

2、由于油墨和基板材质差异,受热后两者的热膨胀系数不一样,回流焊后基板严重变形,影响焊接品质及后工序作业,同时模压后整颗灯珠结构分为三层,模压后增加了板材翘曲度及降低了成品灯珠的气密性。


技术实现思路

1、基于此,本实用新型的目的是提供一种倒装mini led封装结构及灯珠,以解决现有技术中的不足。

2、为实现上述目的,本实用新型提供了一种倒装mini led封装结构,包括基板和保护层,所述基板上设置有第一区域,所述第一区域内铺设有线路,所述保护层位于所述第一区域内,且所述保护层覆盖所述线路,所述第一区域与所述基板的边缘留有空隙,所述空隙沿所述第一区域的边缘延伸以包围所述第一区域。

3、本实用新型的有益效果是:通过在基板上设置第一区域,在第一区域内铺设线路,然后通过将保护层设置在第一区域内,将保护层覆盖线路,通过设置第一区域与基板的边缘留有空隙,以及将空隙沿第一区域的边缘延伸以包围第一区域,实现保护层覆盖基板的部分表面,以使当进行封装时,封装胶能够与空隙处的基板直接接触,以提升封装胶与基板之间的结合力,进而提升成品灯珠的气密性,同时,还能利用该空隙对模压后基板的应力进行释放,以降低基板的板材翘曲度。

4、优选的,所述保护层通过向所述线路上涂覆油墨而成。

5、优选的,所述第一区域内设有第一子区域,所述第一子区域内设置有焊盘,所述焊盘与所述线路连接。

6、优选的,所述第一区域内设置有第二子区域,所述第二子区域用于释放所述基板的应力,所述第二子区域与所述第一子区域互不干涉。

7、优选的,所述倒装mini led封装结构还包括led芯片,所述led芯片通过所述焊盘与所述基板连接。

8、优选的,所述倒装mini led封装结构还包括封装层,所述封装层覆盖所述第一区域和所述空隙。

9、优选的,所述封装层采用环氧树脂胶制成,所述封装层的顶部为平面结构。

10、为实现上述目的,本实用新型还提供了一种灯珠,包括上述中所述的倒装miniled封装结构。

11、本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本实用新型的实践了解到。



技术特征:

1.一种倒装mini led封装结构,其特征在于,包括基板和保护层,所述基板上设置有第一区域,所述第一区域内铺设有线路,所述保护层位于所述第一区域内,且所述保护层覆盖所述线路,所述第一区域与所述基板的边缘留有空隙,所述空隙沿所述第一区域的边缘延伸以包围所述第一区域。

2.根据权利要求1所述的倒装mini led封装结构,其特征在于,所述保护层通过向所述线路上涂覆油墨而成。

3.根据权利要求1所述的倒装mini led封装结构,其特征在于,所述第一区域内设有第一子区域,所述第一子区域内设置有焊盘,所述焊盘与所述线路连接。

4.根据权利要求3所述的倒装mini led封装结构,其特征在于,所述第一区域内设置有第二子区域,所述第二子区域用于释放所述基板的应力,所述第二子区域与所述第一子区域互不干涉。

5.根据权利要求3所述的倒装mini led封装结构,其特征在于,所述倒装mini led封装结构还包括led芯片,所述led芯片通过所述焊盘与所述基板连接。

6.根据权利要求1所述的倒装mini led封装结构,其特征在于,所述倒装mini led封装结构还包括封装层,所述封装层覆盖所述第一区域和所述空隙。

7.根据权利要求6所述的倒装mini led封装结构,其特征在于,所述封装层采用环氧树脂胶制成,所述封装层的顶部为平面结构。

8.一种灯珠,其特征在于,包括权利要求1至7任一项所述的倒装mini led封装结构。


技术总结
本技术提供了一种倒装mini LED封装结构及灯珠,所述倒装mini LED封装结构包括基板和保护层,所述基板上设置有第一区域,所述第一区域内铺设有线路,所述保护层位于所述第一区域内,且所述保护层覆盖所述线路,所述第一区域与所述基板的边缘留有空隙,所述空隙沿所述第一区域的边缘延伸以包围所述第一区域。通过本申请,不仅提升封装胶与基板之间的结合力,提升成品灯珠的气密性,同时,还能利用该空隙对模压后基板的应力进行释放,以降低基板的板材翘曲度。

技术研发人员:梁登云,高宝贵
受保护的技术使用者:江西省兆驰光电有限公司
技术研发日:20231201
技术公布日:2024/7/29
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