一种可控硅器件的制作方法

文档序号:40215421发布日期:2024-12-06 16:33阅读:6来源:国知局
一种可控硅器件的制作方法

本技术涉及可控硅,尤其涉及一种可控硅器件。


背景技术:

1、可控硅器件是一种半导体器件,也称为硅控整流器件,它是一种具有三个pn结的四层半导体整流器件,可控硅器件能够控制电流的通断,适用于交流电路中的功率控制和开关控制。

2、现有技术中的可控硅不具有收纳引脚的功能,可控硅的引脚比较细长且柔软,在可控硅存放与转运的过程中,可控硅的引脚容易出现弯折甚至断裂的情况,引脚的断裂可能导致电路中出现意外的电气故障,这可能会对设备和人员安全造成威胁,特别是在高电压或高电流应用中,这种问题可能尤为严重,这会限制可控硅器件的实用性。

3、所以,需要设计一种可控硅器件来解决上述问题。


技术实现思路

1、本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的一种可控硅器件。

2、为了实现上述目的,本实用新型采用了如下技术方案:

3、一种可控硅器件,包括外壳,所述外壳的底面开设有若干避让口,所述外壳上安装有若干引脚结构,所述引脚结构包括第一引脚与第二引脚,所述第一引脚与第二引脚之间固定连接,所述外壳的内部设置有安装组件,所述外壳上还设置有收纳组件。

4、作为本实用新型的一种优选技术方案,所述安装组件包括固定片、若干开槽、紧固片、四个螺纹孔与两个紧固螺丝,所述固定片固定在外壳的内面,若干所述开槽均开设在固定片的侧面,四个所述螺纹孔两两一组,并分别开设在固定片与紧固片上,两个所述紧固螺丝分别穿过四个螺纹孔,所述固定片与紧固片之间通过两个紧固螺丝相连接。

5、作为本实用新型的一种优选技术方案,所述收纳组件包括若干容纳槽、两个限位板与两个凸块,若干所述容纳槽均开设在外壳的侧面,两个所述限位板均转动装配在外壳的侧面,两个所述凸块均固定在外壳上,两个所述限位板分别搭设在两个凸块上。

6、作为本实用新型的一种优选技术方案,所述固定片与紧固片均采用导电材料制成。

7、作为本实用新型的一种优选技术方案,所述开槽的形状与第一引脚的形状相适配。

8、作为本实用新型的一种优选技术方案,所述容纳槽的形状与引脚结构的形状相适配。

9、本实用新型具有以下有益效果:

10、通过设置安装组件与收纳组件,引脚结构可以轻松地放置在容纳槽中,然后使用限位板进行限位,这样可以确保引脚结构不会脱落或受损,使其更容易进行有效的收纳,从而避免了在转运和存储过程中对器件或引脚结构的损坏,对可控硅器件起到保护作用。



技术特征:

1.一种可控硅器件,包括外壳(1),其特征在于,所述外壳(1)的底面开设有若干避让口(2),所述外壳(1)上安装有若干引脚结构,所述引脚结构包括第一引脚(3)与第二引脚(4),所述第一引脚(3)与第二引脚(4)之间固定连接,所述外壳(1)的内部设置有安装组件,所述外壳(1)上还设置有收纳组件。

2.根据权利要求1所述的一种可控硅器件,其特征在于,所述安装组件包括固定片(5)、若干开槽(6)、紧固片(7)、四个螺纹孔(8)与两个紧固螺丝(9),所述固定片(5)固定在外壳(1)的内面,若干所述开槽(6)均开设在固定片(5)的侧面,四个所述螺纹孔(8)两两一组,并分别开设在固定片(5)与紧固片(7)上,两个所述紧固螺丝(9)分别穿过四个螺纹孔(8),所述固定片(5)与紧固片(7)之间通过两个紧固螺丝(9)相连接。

3.根据权利要求1所述的一种可控硅器件,其特征在于,所述收纳组件包括若干容纳槽(10)、两个限位板(11)与两个凸块(12),若干所述容纳槽(10)均开设在外壳(1)的侧面,两个所述限位板(11)均转动装配在外壳(1)的侧面,两个所述凸块(12)均固定在外壳(1)上,两个所述限位板(11)分别搭设在两个凸块(12)上。

4.根据权利要求2所述的一种可控硅器件,其特征在于,所述固定片(5)与紧固片(7)均采用导电材料制成。

5.根据权利要求2所述的一种可控硅器件,其特征在于,所述开槽(6)的形状与第一引脚(3)的形状相适配。

6.根据权利要求3所述的一种可控硅器件,其特征在于,所述容纳槽(10)的形状与引脚结构的形状相适配。


技术总结
本技术涉及可控硅技术领域,并公开了一种可控硅器件,包括外壳,所述外壳的底面开设有若干避让口,所述外壳上安装有若干引脚结构,所述引脚结构包括第一引脚与第二引脚,所述第一引脚与第二引脚之间固定连接,所述外壳的内部设置有安装组件,所述外壳上还设置有收纳组件。本技术通过设置安装组件与收纳组件,引脚结构可以轻松地放置在容纳槽中,然后使用限位板进行限位,这样可以确保引脚结构不会脱落或受损,使其更容易进行有效的收纳,从而避免了在转运和存储过程中对器件或引脚结构的损坏,对可控硅器件起到保护作用。

技术研发人员:请求不公布姓名,请求不公布姓名
受保护的技术使用者:深圳市德芯半导体技术有限公司
技术研发日:20231211
技术公布日:2024/12/5
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