一种接合结构的制作方法

本申请的实施例涉及一种接合结构。

背景技术：

1、纳米线的形成包括对金属层进行蚀刻以将金属层蚀刻出多条纳米线。如图1a至图1c所示，在图1a中，在基底13上设置有焊盘12，并且金属层11设置在焊盘12上，在对金属层11进行蚀刻以将金属层11蚀刻出多条纳米线15(其中，示出了残留的纳米线底部15’)的过程中，由于在蚀刻中是由上往下提供蚀刻化学物质(液体及气体)14，当蚀刻化学物质14同时接触到金属层11的同一水平上表面区域时，接触到金属层11的中心区域c’的蚀刻会往边缘区域p’流动，如路径d所示，再加上边缘区域p’上方的蚀刻化学物质14，导致蚀刻后的金属层11上表面中心区域c’的纳米线15较长，边缘区域p’较短，从而导致后续与另一焊盘17(设置在基底18上)上的纳米线16(其中，示出了残留的纳米线底部16’)对接来形成接合结构10时无法电连接至相对侧的另一焊盘17或纳米线16，参见图1c中的区域a和a’中，从而导致接合结构10的电性降低。

2、综上，在现有的接合结构10中，可能在焊盘17至焊盘12的纳米线15和纳米线16的接合中，在制造过程中总是在焊盘17和12的边缘区域p’由于纳米线15和16较短而出现连接失配问题，即，无法连接。因此，由于接触面积小，使得接合结构10电性能差或失效。

3、这些问题是由于：在电镀和蚀刻工艺过程中产生大量的化学物质14。此外，在焊盘17和12的边缘区域p’，这些纳米线15和16是分散的，因为没有构造边界，从而出现连接失配问题。因此，急需提供一种电性能较好的接合结构10。

技术实现思路

1、为了解决上述问题，本申请通过控制设置凸块上的纳米线在相应的凸块的中心区域和边缘区域的长度来解决相应纳米线在边缘区域连接失配问题。

2、本申请的实施例提供了一种接合结构，包括：第一凸块，包括第一上表面，所述第一上表面包括第一区和低于所述第一区的第二区；第一线，位于所述第一区上方；以及第二线，位于所述第二区上方，其中，所述第一线的长度小于所述第二线的长度。

3、在一些实施例中，所述第一线包括远离所述第一区的第一端部，所述第二线包括远离所述第二区的第二端部，其中，所述第一端部与所述第二端部处于第一水平。

4、在一些实施例中，所述第一线的延伸方向与所述第二线的延伸方向不同。

5、在一些实施例中，该接合结构还包括：第二凸块，包括面向所述第一上表面的第二下表面，所述第二下表面包括第三区和高于所述第三区的第四区；第三线，位于所述第三区下方；以及第四线，位于所述第四区下方，其中，所述第三线的长度小于所述第四线的长度。

6、在一些实施例中，所述第三线包括远离所述第三区的第三端部，所述第四线包括远离所述第四区的第四端部，其中，所述第三端部与所述第四端部处于第二水平。

7、在一些实施例中，所述第三线的延伸方向与所述第四线的延伸方向不同。

8、在一些实施例中，所述第一线与所述第三线接触，并且所述第二线与所述第四线接触。

9、在一些实施例中，所述第一线与所述第三线的接触角度大于所述第二线与所述第四线的接触角度。

10、在一些实施例中，所述第一凸块与所述第二凸块的形状相同或不同。

11、在一些实施例中，该接合结构还包括：第一载体，设置在所述第一凸块下方；第一焊盘，设置在所述第一载体的远离所述第一凸块的背侧表面处，其中，所述第一凸块从所述第一载体上方穿过所述第一载体延伸至所述第一焊盘。

12、在一些实施例中，在俯视图中，所述第一凸块的设置在所述第一载体上方的部分具有正方形、圆形、多边形、不规则形和/或条形形状。

13、在一些实施例中，所述第一凸块的设置在所述第一载体上方的部分的最大高度小于所述第一凸块的设置在所述介电层中的部分的高度。

14、在一些实施例中，所述第一凸块的设置在所述第一载体上方的部分的最大高度大于所述第一凸块的设置在所述介电层中的部分的高度，其中，所述第一凸块的设置在所述第一载体上方的部分为柱结构。

15、在一些实施例中，所述第一凸块的设置在所述第一载体上方的部分的最大高度大于所述第一凸块的设置在所述介电层中的部分的高度，其中，所述第一凸块的设置在所述第一载体上方的部分为阶梯结构。

16、在一些实施例中，所述阶梯结构具有第一部分和位于所述第一部分上方的第二部分，其中，在俯视图中，所述第二部分的覆盖区小于所述第一部分的覆盖区。

17、在一些实施例中，该接合结构还包括：第一载体，设置在所述第一凸块下方；第一焊盘，嵌入在所述第一载体中，其中，所述第一焊盘的顶面从所述第一载体的靠近所述第一凸块的前侧表面暴露，其中，所述第一凸块设置在所述第一焊盘上方，并且其中，所述第一焊盘延伸超出所述第一凸块的横向范围。

18、在一些实施例中，该接合结构还包括：第一载体，设置在所述第一凸块下方；第一焊盘，设置在所述第一载体的靠近所述第一凸块的前侧表面上方，其中，所述第一凸块设置在所述第一焊盘上方，并且其中，所述第一焊盘延伸超出所述第一凸块的横向范围。

19、本申请的实施例还提供了一种接合结构，包括：第一凸块，包括第一上表面，所述第一上表面包括第一区和围绕所述第一区的第二区；第一线，位于所述第一区上方；以及第二线，位于所述第二区上方，其中，所述第一线的远离所述第一区的第一端部和所述第二线的远离所述第二区的第二端部处于同一水平。

20、在一些实施例中，所述第一区高于所述第二区，并且所述第一线的长度小于所述第二线的长度。

21、在一些实施例中，所述第一线的延伸方向与所述第二线的延伸方向不同。

22、本申请提供的接合结构可以具有更稳定的结构和更好的电性能。

技术特征：

1.一种接合结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的接合结构，其特征在于，所述第一线包括远离所述第一区的第一端部，所述第二线包括远离所述第二区的第二端部，其中，所述第一端部与所述第二端部处于第一水平。

3.根据权利要求2所述的接合结构，其特征在于，所述第一线的延伸方向与所述第二线的延伸方向不同。

4.根据权利要求1所述的接合结构，其特征在于，还包括：

5.根据权利要求4所述的接合结构，其特征在于，所述第三线包括远离所述第三区的第三端部，所述第四线包括远离所述第四区的第四端部，其中，所述第三端部与所述第四端部处于第二水平。

6.根据权利要求4所述的接合结构，其特征在于，所述第三线的延伸方向与所述第四线的延伸方向不同。

7.根据权利要求4所述的接合结构，其特征在于，所述第一线与所述第三线接触，并且所述第二线与所述第四线接触。

8.根据权利要求7所述的接合结构，其特征在于，所述第一线与所述第三线的接触角度大于所述第二线与所述第四线的接触角度。

9.根据权利要求1所述的接合结构，其特征在于，还包括：

10.根据权利要求9所述的接合结构，其特征在于，所述第一凸块的设置在所述第一载体上方的部分的最大高度大于所述第一凸块的设置在介电层中的部分的高度，

技术总结
本申请的一些实施例提供了接合结构，包括：第一凸块，包括第一上表面，第一上表面包括第一区和低于第一区的第二区；第一线，位于第一区上方；以及第二线，位于第二区上方，其中，第一线的长度小于第二线的长度。本申请提供的接合结构可以具有更稳定的结构和更好的电性能。

技术研发人员：吕文隆
受保护的技术使用者：日月光半导体制造股份有限公司
技术研发日：20231215
技术公布日：2025/1/28