本技术涉及半导体加工,尤其涉及一种半导体加工设备。
背景技术:
1、半导体加工设备通常会在传输腔室(简称tm腔室)和工艺腔室(简称pm腔室)之间设置传递通道(简称tm通道),通过该传递通道实现工艺腔室与传输腔室的连通,利用机器人的机械手使传输腔室中的晶圆穿过传递通道被传递至工艺腔室中。
2、由于cvd/ald制程特殊性,工艺腔室中会产生许多副产物,导致颗粒生成,因此工艺腔室也成为整个cvd/ald设备中最脏的模组,传输腔室与工艺腔室的直接相接,工艺腔室中的颗粒容易通过传递通道流向传输腔室,导致传输腔室及llc都有很大被污染的风险。
3、因此,有必要开发一种能有效防止工艺腔室中的颗粒杂质流向传输腔室、以降低传输腔室被污染风险的半导体加工设备。
技术实现思路
1、本实用新型的目的在于提供一种半导体加工设备,以解决现有技术中工艺腔室中颗粒物容易通过传递通道流向传输腔室,造成传输腔室被污染风险较高的问题。
2、为实现上述目的,本实用新型提供一种半导体加工设备,包括工艺腔室、传输腔室、及设置于工艺腔室和传输腔室之间的连通件,所述连通件中设有传递通道,所述传递通道的两端分别与工艺腔室和传输腔室相连通,所述连通件上设有吹气通道,所述吹气通道与传递通道的中部相通。
3、本实用新型的半导体加工设备有益效果为:通过吹气通道向传递通道吹送气体,该气体的气压大于工艺腔室的气压,则吹送的气体会沿传递通道流向工艺腔室,形成沿传递通道吹向工艺腔室的气流,该气流会有效防止工艺腔室中的颗粒通过传递通道流向传输腔室,大大降低了传输腔室被污染的风险,提高了传输腔室的洁净度。
4、优选地,所述吹气通道包括吹气孔、与吹气孔相通的储气空间、及多个间隔分布的分气孔,所述分气孔的两端分别与所述储气空间和所述传递通道相通。通过吹气孔向储气空间吹送气体,储气空间中的气体通过各个间隔分布的分气孔流入传递通道中的不同部位,从而在传递通道中的不同位置处形成流向工艺腔室的气流,提高气流在传递通道中分布的均匀性,进而能更全面地抑制工艺腔室中的颗粒通过传递通道流向传输腔室。
5、优选地,所述分气孔包括第一段气孔和第二段气孔,所述第一段气孔的两端分别与储气空间和第二段气孔的一端相通,所述第二段气孔的另一端与传递通道相通,所述第一段气孔的直径大于第二段气孔的直径。储气空间中的气体依次通过第一段气孔和第二段气孔流向传递通道,由于第一段气孔的直径大于第二段气孔的直径,使得气体流经第二段气孔时流量会减小,形成节流效果,这样分气孔相当于节流孔,能有效防止过多气量从一个分气孔流向传递通道,能促进气量分别通过各个分气孔流向传递通道,实现对流向传递通道气体更均匀的分散作用。
6、优选地,所述连通件包括连通主体和与连通主体固定连接的盖板,所述连通主体上设有所述传递通道和所述分气孔,且所述连通主体上设有储气槽,所述储气槽的空腔构成所述储气空间,所述盖板盖合在储气槽的开口处,且所述盖板上设有所述吹气孔。此种结构设计,使得在加工过程中,可在连通主体上加工出储气槽、多个与储气槽相通的分气孔、及与分气孔相通的传递通道,再将具有吹气孔的盖板盖合在储气槽的开口处,且将盖板与连通主体固定连接,则储气槽的空腔即能作为储气空间,从而就得到了所需的吹气通道,降低了加工难度,并降低了制造成本。
7、优选地,所述盖板朝向连通主体的一表面设有呈环状的第一安装槽,所述第一安装槽中装有第一密封圈,所述第一密封圈与所述连通主体相抵触,且所述第一密封圈环绕在所述储气空间的外围,以利用第一密封圈有效增加盖板与连通主体间的密封性能,防止气体从储气空间与吹气孔连通处泄漏。
8、优选地,所述第一安装槽的底部宽度大于第一安装槽的开口宽度,且所述第一密封圈包括嵌在第一安装槽中的第一密封圈安装部,所述第一密封圈安装部的形状与第一安装槽的形状相同。此种第一安装槽及第一密封圈的结构设计,能有效防止第一密封圈从第一安装槽中脱落,保证第一密封圈稳定地处于设定位置。
9、优选地,所述连通件还包括与盖板可拆卸连接的堵块,所述堵块用于将所述吹气孔封堵住。这样,在需要时,可将堵块拆下,从而能向吹气孔吹气,最终在传递通道中形成流向工艺腔室的气流,起到防止工艺腔室中颗粒通过传递通道流向传输腔室的作用;而在不需向吹气孔吹气时,可将堵块安装至盖板上,以利用堵块将吹气孔封堵住,以防止外界杂质等通过吹气孔进入吹气通道及传递通道中。
10、优选地,所述盖板朝向堵块的一表面上设有第二安装槽,所述第二安装槽中装有第二密封圈,所述第二密封圈环绕在吹气孔的外围,所述第二密封圈与所述堵块相抵触,以增强堵块与盖板间的密封性,保证能将吹气孔有效封堵住。
11、优选地,所述连通件上设有门阀,所述门阀能打开和关闭所述传递通道。
12、优选地,所述吹气通道与传递通道的连通点位于门阀和工艺腔室之间。这样,由吹气通道吹入传递通道的气体沿传递通道流向工艺腔室,则能有效防止工艺腔室中的颗粒沿传递通道流至门阀处,进而也能有效防止工艺腔室中的颗粒对门阀造成污染。
1.一种半导体加工设备,其特征在于,包括工艺腔室(1)、传输腔室(2)、及设置于工艺腔室(1)和传输腔室(2)之间的连通件(3),所述连通件(3)中设有传递通道(31),所述传递通道(31)的两端分别与工艺腔室(1)和传输腔室(2)相连通,所述连通件(3)上设有吹气通道(32),所述吹气通道(32)与传递通道(31)的中部相通。
2.根据权利要求1所述半导体加工设备,其特征在于,所述吹气通道(32)包括吹气孔(321)、与吹气孔(321)相通的储气空间(322)、及多个间隔分布的分气孔(323),所述分气孔(323)的两端分别与所述储气空间(322)和所述传递通道(31)相通。
3.根据权利要求2所述半导体加工设备,其特征在于,所述分气孔(323)包括第一段气孔(3231)和第二段气孔(3232),所述第一段气孔(3231)的两端分别与储气空间(322)和第二段气孔(3232)的一端相通,所述第二段气孔(3232)的另一端与传递通道(31)相通,所述第一段气孔(3231)的直径大于第二段气孔(3232)的直径。
4.根据权利要求2所述半导体加工设备,其特征在于,所述连通件(3)包括连通主体(33)和与连通主体(33)固定连接的盖板(34),所述连通主体(33)上设有所述传递通道(31)和所述分气孔(323),且所述连通主体(33)上设有储气槽,所述储气槽的空腔构成所述储气空间(322),所述盖板(34)盖合在储气槽的开口处,且所述盖板(34)上设有所述吹气孔(321)。
5.根据权利要求4所述半导体加工设备,其特征在于,所述盖板(34)朝向连通主体(33)的一表面设有呈环状的第一安装槽(341),所述第一安装槽(341)中装有第一密封圈,所述第一密封圈与所述连通主体(33)相抵触,且所述第一密封圈环绕在所述储气空间(322)的外围。
6.根据权利要求5所述半导体加工设备,其特征在于,所述第一安装槽(341)的底部宽度大于第一安装槽(341)的开口宽度,且所述第一密封圈包括嵌在第一安装槽(341)中的第一密封圈安装部,所述第一密封圈安装部的形状与第一安装槽(341)的形状相同。
7.根据权利要求4所述半导体加工设备,其特征在于,所述连通件(3)还包括与盖板(34)可拆卸连接的堵块(35),所述堵块(35)用于将所述吹气孔(321)封堵住。
8.根据权利要求7所述半导体加工设备,其特征在于,所述盖板(34)朝向堵块(35)的一表面上设有第二安装槽(342),所述第二安装槽(342)中装有第二密封圈,所述第二密封圈环绕在吹气孔(321)的外围,所述第二密封圈与所述堵块(35)相抵触。
9.根据权利要求1所述半导体加工设备,其特征在于,所述连通件(3)上设有门阀(4),所述门阀(4)能打开和关闭所述传递通道(31)。
10.根据权利要求9所述半导体加工设备,其特征在于,所述吹气通道(32)与传递通道(31)的连通点位于门阀(4)和工艺腔室(1)之间。