一种半导体分立器件键合机的制作方法

本技术涉及半导体加工设备，特别涉及一种半导体分立器件键合机。

背景技术：

1、半导体加工设备是半导体产品加工制造过程中使用的各种设备的统称，其中有一种用于分立器件加工的键合机，电子产品根据其导电性能分为导体和绝缘体，半导体介于导体和绝缘体之间，半导体元器件以封装形式又分为分立和集成。

2、半导体分立器件制造中，在对铜框架进行粘片后，需要进行键合，又称打丝，将芯片与管脚进行物理连接，一般使用铝线或铜线。

3、在实际应用中，一般将芯片放置在键合机的铜框架输送机构上的放置框内实现固定，但是由于放置框的尺寸固定，不适应不同尺寸的芯片，更换不同尺寸芯片作业时需要重新拆装相应尺寸的放置框，十分不便，因此提出一种半导体分立器件键合机。

技术实现思路

1、针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种半导体分立器件键合机，解决了不同尺寸的芯片，需要更换不同尺寸芯片作业时需要重新拆装相应尺寸的放置框，十分不便的问题。

2、本实用新型还提供具有上述一种半导体分立器件键合机，包括底座，所述底座上侧固定连接有主体和加工台，所述加工台位于主体右侧，所述加工台上设有滑槽，所述滑槽内转动连接有螺纹杆，所述螺纹杆上螺纹连接有移动块，所述移动块滑动连接滑槽，所述螺纹杆前端固定连接有调节旋钮，所述调节旋钮位于加工台前侧，所述加工台两侧滑动连接有推动板，所述推动板呈u形，且上端固定连接有夹紧板，所述推动板内与加工台相对的一侧之间固定连接有拉簧，所述夹紧板呈l形，两侧所述夹紧板相对的一侧固定连接有橡胶条

3、根据所述的一种半导体分立器件键合机，所述主体右侧固定连接有支撑板，所述支撑板上固定连接有气缸，所述气缸输出端位于支撑板下方，且固定连接有加工设备。

4、根据所述的一种半导体分立器件键合机，所述加工设备位于加工台正上方。

5、根据所述的一种半导体分立器件键合机，所述夹紧板滑动连接加工台上表面。

6、根据所述的一种半导体分立器件键合机，所述移动块上侧固定连接有橡胶垫。

7、根据所述的一种半导体分立器件键合机，所述主体前侧固定连接有控制器。

8、本实用新型具有如下有益效果：

9、本实用新型中，通过在加工台两侧设有夹紧板，在拉簧的作用下使夹紧板相互靠近，将芯片固定，同时可通过调节旋钮带动螺纹杆转动，使芯片与加工设备对齐，便于调节芯片的位置，适用性好。

10、本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。

技术特征：

1.一种半导体分立器件键合机，其特征在于，包括：底座(1)，所述底座(1)上侧固定连接有主体(2)和加工台(6)，所述加工台(6)位于主体(2)右侧，所述加工台(6)上设有滑槽(7)，所述滑槽(7)内转动连接有螺纹杆(9)，所述螺纹杆(9)上螺纹连接有移动块(8)，所述移动块(8)滑动连接滑槽(7)，所述螺纹杆(9)前端固定连接有调节旋钮(10)，所述调节旋钮(10)位于加工台(6)前侧，所述加工台(6)两侧滑动连接有推动板(11)，所述推动板(11)呈u形，且上端固定连接有夹紧板(13)，所述推动板(11)内与加工台(6)相对的一侧之间固定连接有拉簧(12)，所述夹紧板(13)呈l形，两侧所述夹紧板(13)相对的一侧固定连接有橡胶条(14)。

2.根据权利要求1所述的一种半导体分立器件键合机，其特征在于，所述主体(2)右侧固定连接有支撑板(3)，所述支撑板(3)上固定连接有气缸(4)，所述气缸(4)输出端位于支撑板(3)下方，且固定连接有加工设备(5)。

3.根据权利要求2所述的一种半导体分立器件键合机，其特征在于，所述加工设备(5)位于加工台(6)正上方。

4.根据权利要求3所述的一种半导体分立器件键合机，其特征在于，所述夹紧板(13)滑动连接加工台(6)上表面。

5.根据权利要求4所述的一种半导体分立器件键合机，其特征在于，所述移动块(8)上侧固定连接有橡胶垫(15)。

6.根据权利要求5所述的一种半导体分立器件键合机，其特征在于，所述主体(2)前侧固定连接有控制器(16)。

技术总结
本技术公开了一种半导体分立器件键合机，其包括：底座，底座上侧固定连接有主体和加工台，加工台位于主体右侧，加工台上设有滑槽，滑槽内转动连接有螺纹杆，螺纹杆上螺纹连接有移动块，移动块滑动连接滑槽，螺纹杆前端固定连接有调节旋钮，调节旋钮位于加工台前侧，加工台两侧滑动连接有推动板，推动板呈U形，且上端固定连接有夹紧板，推动板内与加工台相对的一侧之间固定连接有拉簧，夹紧板呈L形，两侧夹紧板相对的一侧固定连接有橡胶条。通过上述结构，在加工台两侧设有夹紧板，在拉簧的作用下使夹紧板相互靠近，将芯片固定，同时可通过调节旋钮带动螺纹杆转动，使芯片与加工设备对齐，便于调节芯片的位置，适用性好。

技术研发人员：刘磊,王君昆
受保护的技术使用者：上海拓赛半导体材料有限公司
技术研发日：20231225
技术公布日：2024/8/15