本技术属于电阻器制备领域,具体涉及一种宽频带金刚石芯片电阻器。
背景技术:
1、金刚石芯片电阻器属于功率型器件,采用高热导率金刚石基片作为衬底,相比传统的氧化铝、氮化铝类电阻器而言,金刚石芯片电阻器更加小型化、高功率、集成化,适合高组装密度、有可靠性要求的电子整机中。目前市场上提供的金刚石芯片电阻器产品存在质量等级不高,供货周期过长,价格高等问题,该产品具有体积小,稳定好,功率高的特点,易集成于各种微波电路,可广泛应用于航天、航空、船舶、兵器、雷达、电子对抗等有可靠性要求的电子整机中。在电子信息技术高速发展及产品小型化的趋势下,发展高质量等级的金刚石芯片电阻器,提高关键军用元器件自主可控能力,实现自主研发和自主生产,为军事通信、电子对抗、运载火箭、雷达导航、卫星通信等领域提供资源保障。市面上提供的金刚石芯片电阻器往往小尺寸与大功率无法兼顾,缺少相对应的小尺寸、大功率类型的金刚石芯片电阻器;有待进一步改进。
技术实现思路
1、本实用新型的目的是克服现有技术的缺点,提供一种宽频带金刚石芯片电阻器。
2、本实用新型采用如下技术方案:
3、一种宽频带金刚石芯片电阻器,包括金刚石基板、设置在金刚石基板表面的电阻层,相对设置在电阻层两侧的第一表电极与第二表电极、设置在金刚石基板一侧面与第一表电极连接的端面电极和设置在金刚石基板底面的背电极,所述第一表电极包括从金刚石基板表面侧边向内延伸的主体段和分别从主体段两端向内延伸的两延伸段,两所述延伸段位于电阻层的两侧。
4、进一步的,所述第二表电极包括设置在金刚石基板表面与电阻层一端连接的第一连接段、与第一连接段连接向外延伸的过渡段和与过渡段连接向外延伸的第二连接段。
5、进一步的,所述第二连接段的宽度大于电阻层的宽度,所述第一连接段的宽度大于第二连接段。
6、进一步的,所述过渡段的延伸长度大于第二连接段的延伸长度,所述第二连接段的延伸长度大于第一连接段的延伸长度。
7、进一步的,所述延伸段的延伸长度小于电阻层的长度。
8、进一步的,所述背电极的面积与金刚石基板的底面积相同。
9、由上述对本实用新型的描述可知,与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本申请限定的金刚石芯片电阻器,由金刚石基板、第一表电极、第二表电极、背电极、电阻层组成,金刚石基板基体主要起承载功能,同时具有传导产品工作期间产生的热量的功能,表背电极主要起连接功能层的作用,电阻层的主要起使产品达到预期电性能指标的作用;其中,具体限定第一表电极的结构,由主体段与延伸段配合,形成一个半包围结构,可引入较为可观的耦合容抗消除接地长度带来的寄生电感,减缓电阻体在高频时的阻抗变化量,同时能够起到枝节加载作用,引入特定频点谐振用于消除固定要求下的产品设计中带来的特定频点上的反谐振或者正谐振,做到电路等效的串并容感谐振,且可扩大接地电流有效横截面,有利于降低电极本身金属电阻,减少微带热损耗,增加热传导路径,在一定程度上提高了产品的耐受功率;
10、具体限定第二表电极的结构,通过第一连接段、过渡段和第二连接段的配合,使第二表电极呈工字型设置在金刚石基板表面,起到一定阻抗变换作用,并将电阻体的阻抗变换程度减缓,同时可与第一表电极配合,引入耦合电容消除微带线导体层高频寄生电感以及电阻体在高频下易呈现的正电抗,提高金刚石芯片电阻器的耐压与稳定性;
11、本申请通过优化电阻器的结构,使电阻器能在较小体积上实现大的功率且电性能良好,满足市场上对于小型化、大功率的金刚石芯片电阻器的需要,完成的金刚石芯片电阻器可以在很宽的频段下拥有良好的电性能,提高了金刚石芯片电阻器的耐压与稳定性。
1.一种宽频带金刚石芯片电阻器,其特征在于:包括金刚石基板、设置在金刚石基板表面的电阻层,相对设置在电阻层两侧的第一表电极与第二表电极、设置在金刚石基板一侧面与第一表电极连接的端面电极和设置在金刚石基板底面的背电极,所述第一表电极包括从金刚石基板表面侧边向内延伸的主体段和分别从主体段两端向内延伸的两延伸段,两所述延伸段位于电阻层的两侧。
2.根据权利要求1所述的一种宽频带金刚石芯片电阻器,其特征在于:所述第二表电极包括设置在金刚石基板表面与电阻层一端连接的第一连接段、与第一连接段连接向外延伸的过渡段和与过渡段连接向外延伸的第二连接段。
3.根据权利要求2所述的一种宽频带金刚石芯片电阻器,其特征在于:所述第二连接段的宽度大于电阻层的宽度,所述第一连接段的宽度大于第二连接段。
4.根据权利要求2所述的一种宽频带金刚石芯片电阻器,其特征在于:所述过渡段的延伸长度大于第二连接段的延伸长度,所述第二连接段的延伸长度大于第一连接段的延伸长度。
5.根据权利要求1所述的一种宽频带金刚石芯片电阻器,其特征在于:所述延伸段的延伸长度小于电阻层的长度。
6.根据权利要求1所述的一种宽频带金刚石芯片电阻器,其特征在于:所述背电极的面积与金刚石基板的底面积相同。