一种微带转波导结构的制作方法

文档序号:39072269发布日期:2024-08-17 22:50阅读:4来源:国知局
一种微带转波导结构的制作方法

本公开涉及通信,具体而言,涉及一种微带转波导结构。


背景技术:

1、在高频窄带通信系统中,微带转波导结构是用来减小pcb插损的重要结构。传统的结构中,在封装的基板上加装特定形状的金属盖来获得反射腔,但是这样的结构成本高,加工精度差,装配精度差,并且气密性差,不适于高频应用。随着通信频率越来越高,需要可靠性和精密程度更高的微带转波导结构。


技术实现思路

1、为了解决上述技术问题,根据本公开的一方面,提供了一种微带转波导结构,包括封装基板,其包括上层基板和下层基板,该上层基板包括一层或多层基板,并且上层基板的顶面铺设金属层;第一组过孔,设置为穿过所述封装基板并且紧密排列成一周,该第一组过孔之间的孔壁间隙小于工作波长的八分之一,其围绕的所述封装基板的部分形成不具有金属层的介质腔;微带转波导探针,其设置在所述下层基板上,并且微带转波导探针的探针部分设置在所述介质腔内。

2、根据本公开的实施例的微带转导波结构,可选地,所述微带转波导探针包括设置在所述介质腔之外的微带线,所述微带转波导结构还包括围绕该微带线的第二组过孔,第二组过孔之间的孔壁间隙小于工作波长的八分之一,该第二组过孔穿过所述下层基板的介质,与所述下层基板的底部的金属层连接,并且穿过所述上层基板的一部分。

3、根据本公开的实施例的微带转导波结构,可选地,所述第一组过孔与所述上层基板的顶部的金属层和下层基板的底部的金属层连接,所述下层基板的底部在对应于所述介质腔的位置不具有金属层。

4、根据本公开的实施例的微带转导波结构,可选地所述第一组过孔和第二组过孔为激光过孔。

5、根据本公开的实施例的微带转导波结构,可选地,所述上层基板的厚度根据工作波长确定。

6、根据本公开的实施例的微带转导波结构,可选地,所述微带转波导结构的工作频率在60ghz以上。

7、根据本公开的实施例的微带转导波结构,可选地,所述微带转波导结构与波导上下贴合,所述介质腔的位置对应于波导的腔体。

8、本实用新型与现有技术相比至少具有以下优点:本实用新型的实施例中的微带转导波结构可以用紧密排布的金属过孔模拟理想的金属壁,结合封装基板替代现有技术中的金属盖结构。通过利用基板工艺的高精度特性,有效减少了加工误差和装配误差,解决了现有技术中的结构精度差、气密性差等缺点,同时省去了导电胶材料。

9、此外,与现有技术中的金属盖相比,使用陶瓷基板用作介质腔可以大大减少微带转波导结构的厚度。随着激光过孔工艺的进步和高介电常数的陶瓷材料的演进,本公开的微带转波导结构还可以适用于更宽的频率范围。

10、实施本公开的任一装置并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。本公开的其它特征和优点将在随后的说明书实施例中阐述,并且,部分地从说明书实施例中变得显而易见,或者通过实施本公开而了解。本公开实施例的目的和优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所指出的结构来实现和获得。



技术特征:

1.一种微带转波导结构,其特征在于包括

2.如权利要求1所述的微带转波导结构,其特征在于所述微带转波导探针包括设置在所述介质腔外的微带线,所述微带转波导结构包括围绕该微带线的第二组过孔,第二组过孔之间的孔壁间隙小于工作波长的八分之一,该第二组过孔穿过所述下层基板的介质,与所述下层基板的底部的金属层连接,并且穿过所述上层基板的一部分。

3.如权利要求1所述的微带转波导结构,其特征在于所述第一组过孔与所述上层基板的顶部的金属层和下层基板的底部的金属层连接,所述下层基板的底部在对应于所述介质腔的位置不具有金属层。

4.如权利要求2所述的微带转波导结构,其特征在于所述第一组过孔和第二组过孔为激光过孔。

5.如权利要求1所述的微带转波导结构,其特征在于所述上层基板的厚度根据工作波长确定。

6.如权利要求1所述的微带转波导结构,其特征在于微带转波导结构的工作频率在60ghz以上。

7.如权利要求1所述的微带转波导结构,其特征在于微带转波导结构与波导上下贴合,所述介质腔的位置对应于波导的腔体。


技术总结
本技术提供一种微带转波导结构,其特征在于包括封装基板,其包括上层基板和下层基板,该上层基板包括一层或多层基板,并且该上层基板的顶面铺设金属层;第一组过孔,设置为穿过所述封装基板并且紧密排列成一周,该第一组过孔之间的孔壁间隙小于工作波长的八分之一,其围绕的所述封装基板的部分形成不具有金属层的介质腔;微带转波导探针,其设置在所述下层基板上,并且其一部分设置在所述介质腔内。本技术的实施例中的微带转导波结构利用过孔和封装基板实现更高的精度和可靠性,适用于更宽更高的频率范围。

技术研发人员:周祝明
受保护的技术使用者:芯潮流(珠海)科技有限公司
技术研发日:20231229
技术公布日:2024/8/16
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