气体激光装置的腔室、气体激光装置以及电子器件的制造方法与流程

本公开涉及气体激光装置的腔室、气体激光装置以及电子器件的制造方法。

背景技术：

1、近年来，在半导体曝光装置中，随着半导体集成电路的微细化及高集成化，要求分辨率的提高。因此，正在推进从曝光用光源放出的光的短波长化。例如，作为曝光用的气体激光装置，使用输出波长约248nm的激光的krf准分子激光装置、以及输出波长约193nm的激光的arf准分子激光装置。

2、krf准分子激光装置及arf准分子激光装置的自然振荡光的谱线宽度宽至350pm～400pm。因此，若由使krf以及arf激光那样的紫外线透过的材料构成投影透镜，则有时会产生色差。其结果，分辨率可能降低。因此，需要将从气体激光装置输出的激光的谱线宽度窄带化至能够忽略色差的程度。因此，在气体激光装置的激光谐振器内，为了使谱线宽度窄带化，有时具备包含窄带化元件(标准具、光栅等)的窄带化模块(line narrowing module：lnm)。以下，将谱线宽度被窄带化的气体激光装置称为窄带化气体激光装置。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：美国专利第6535540号说明书

6、专利文献2：美国专利第5708676号说明书

技术实现思路

1、本公开的一个方式的气体激光装置的腔室在内部空间封入激光气体，其中，气体激光装置的腔室具备：第一主电极和第二主电极，它们的长度方向沿着规定方向，在内部空间中彼此隔着间隔对置；窗口，其设置在腔室的壁面，使来自内部空间的光透过；以及第一预电离电极，其设置在第一主电极的一个侧方，第一预电离电极具备：第一电介质管；第一预电离内电极，其配置在第一电介质管的内部，沿着第一电介质管的长度方向延伸；和第一预电离外电极，其沿着第一电介质管的长度方向延伸，包括隔着第一间隙与第一电介质管对置的第一端部，第一间隙的至少一部分大于0mm且为0.9mm以下。

2、本公开的一个方式的气体激光装置具备在内部空间封入激光气体的腔室，其中，腔室具备：第一主电极和第二主电极，它们的长度方向沿着规定方向，在内部空间中彼此隔着间隔对置；窗口，其设置在腔室的壁面，使来自内部空间的光透过；以及第一预电离电极，其设置在第一主电极的一个侧方，第一预电离电极具备：第一电介质管；第一预电离内电极，其配置在第一电介质管的内部，沿着第一电介质管的长度方向延伸；和第一预电离外电极，其沿着第一电介质管的长度方向延伸，包括隔着第一间隙与第一电介质管对置的第一端部，第一间隙的至少一部分大于0mm且为0.9mm以下。

3、本公开的一个方式的电子器件的制造方法包括如下过程：利用气体激光装置生成激光；将激光输出到曝光装置；以及在曝光装置内在感光基板上曝光激光，以制造电子器件，气体激光装置的腔室在内部空间封入激光气体，气体激光装置的腔室具备：第一主电极和第二主电极，它们的长度方向沿着规定方向，在内部空间中彼此隔着间隔对置；窗口，其设置在腔室的壁面，使来自内部空间的光透过；以及第一预电离电极，其设置在第一主电极的一个侧方，第一预电离电极具备：第一电介质管；第一预电离内电极，其配置在第一电介质管的内部，沿着第一电介质管的长度方向延伸；和第一预电离外电极，其沿着第一电介质管的长度方向延伸，包括隔着第一间隙与第一电介质管对置的第一端部，第一间隙的至少一部分大于0mm且为0.9mm以下。

技术特征：

1.一种气体激光装置的腔室，其在内部空间封入激光气体，其中，所述气体激光装置的腔室具备：

2.根据权利要求1所述的气体激光装置的腔室，其中，所述第一间隙在所述第一电介质管的长度方向上的全长范围内大于0mm且为0.9mm以下。

3.根据权利要求1所述的气体激光装置的腔室，其中，所述第一间隙的至少一部分为0.2mm以上且0.6mm以下。

4.根据权利要求1所述的气体激光装置的腔室，其中，所述第一预电离电极还具备由电介质构成的多个间隔件，该多个间隔件设置在所述第一电介质管与所述第一端部之间，与所述第一电介质管和所述第一端部相接触。

5.根据权利要求4所述的气体激光装置的腔室，其中，所述多个间隔件分别是与所述第一电介质管相同的材料。

6.根据权利要求4所述的气体激光装置的腔室，其中，所述多个间隔件分别由氧化铝陶瓷或蓝宝石构成。

7.根据权利要求4所述的气体激光装置的腔室，其中，在所述第一端部设置有多个缺口，

8.根据权利要求7所述的气体激光装置的腔室，其中，所述多个间隔件分别与所述多个缺口嵌合。

9.根据权利要求8所述的气体激光装置的腔室，其中，所述多个间隔件分别包括设置于与所述缺口的周面对置的侧面的凹陷，

10.根据权利要求7所述的气体激光装置的腔室，其中，所述多个间隔件分别在所述多个缺口中单独地压接于所述第一端部。

11.根据权利要求1所述的气体激光装置的腔室，其中，所述第一端部沿着所述第一电介质管的外周面的弯曲。

12.根据权利要求1所述的气体激光装置的腔室，其中，所述气体激光装置的腔室还具备第二预电离电极，所述第二预电离电极设置在位于所述第二主电极的所述一个侧方且与所述第一预电离电极对置的位置，

13.根据权利要求12所述的气体激光装置的腔室，其中，所述第一预电离内电极与所述第二预电离内电极电连接，

14.根据权利要求12所述的气体激光装置的腔室，其中，所述气体激光装置的腔室还具备：设置在所述第一主电极的另一个侧方的第三预电离电极；以及设置在位于所述第二主电极的所述另一个侧方且与所述第三预电离电极对置的位置的第四预电离电极，

15.根据权利要求14所述的气体激光装置的腔室，其中，所述第一预电离内电极与所述第二预电离内电极电连接，

16.一种气体激光装置，其具备在内部空间封入激光气体的腔室，其中，

17.根据权利要求16所述的气体激光装置，其中，以使所述第一预电离外电极的电位低于所述第一预电离内电极的电位的方式在所述第一预电离外电极和所述第一预电离内电极之间施加电压。

18.一种电子器件的制造方法，所述制造方法包括如下过程：

技术总结
在内部空间封入激光气体的气体激光装置的腔室具备：第一主电极和第二主电极，它们的长度方向沿着规定方向，在内部空间中彼此隔着间隔对置；窗口，其设置在腔室的壁面，使来自内部空间的光透过；以及第一预电离电极，其设置在第一主电极的一个侧方，第一预电离电极具备：第一电介质管；第一预电离内电极，其配置在第一电介质管的内部，沿着第一电介质管的长度方向延伸；和第一预电离外电极，其沿着第一电介质管的长度方向延伸，包括隔着第一间隙与第一电介质管对置的第一端部，第一间隙的至少一部分大于0mm且为0.9mm以下。

技术研发人员：佐佐木阳一,藤本准一,J·P·赛塞尔,M·V·达德尔森
受保护的技术使用者：极光先进雷射株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/9/17