用于将层从源基体转移到目标基体的方法与流程

本公开总体上涉及基于半导体材料制造微电子部件的方法。更具体地，其旨在涉及一种将半导体层从源基体转移到目标基体的方法。

背景技术：

1、在微电子部件制造方法中，层的转移目前用于将高晶体质量的相对薄的半导体层转移到较低晶体质量或由较便宜的材料制成的较厚目标基体上。

2、在转移之后，被转移的层可以用作外延步骤的基底。然后可以在外延层内部和其顶部上形成微电子部件。

3、期望至少部分地克服用于将半导体层从源基体转移到目标基体的已知方法的某些缺点。

4、本文更特别地考虑了转移层的边缘的质量的提高。

技术实现思路

1、一个实施例提供了一种将层从源基体转移到目标基体的方法，该方法包括以下步骤：

2、a)在所述层和/或目标基体的键合表面的中心部分上布置掩蔽盘；

3、b)实施离子蚀刻，以在所述层和/或目标基体的键合表面的未被掩蔽盘覆盖的外围部分的前部形成台阶；

4、c)移除掩蔽盘；

5、d)通过键合材料的离子蚀刻或离子沉积，使所述层的键合表面和目标基体的键合表面活化；并且

6、e)在步骤d)之后，将所述层的键合表面放置成与目标基体的键合表面接触，其中，步骤b)和d)在同一离子处理室中依次实施；并且

7、其中，步骤d)和e)在真空下实施，在两个步骤之间没有破坏真空。

8、根据一个实施例，目标基体和/或源基体跨越第一宽度具有锥形边缘。

9、根据一个实施例，在步骤b)之后，台阶从所述层的边缘和/或从目标基体的边缘延伸跨越大于或等于第一宽度的宽度。

10、根据一个实施例，盘的直径小于源基体的直径和/或小于目标基体的直径。

11、根据一个实施例，该方法包括在步骤e)之后移除源基体的步骤f)。

12、根据一个实施例，步骤f)包括退火步骤，该退火步骤导致在步骤e)结束时获得的组件在将所述层与源基体分开的植入掩埋层的平面中断裂。

13、根据一个实施例，所述层是半导体层。

14、根据一个实施例，该方法包括在步骤f)之后在所述层的与目标基体相对的表面的顶部上外延并与之接触外延的步骤。

15、根据一个实施例，在步骤b)之后，台阶从所述层的键合表面和/或目标基体的键合表面向下延伸到大于700nm的深度。

16、根据一个实施例，步骤d)包括在所述层的键合表面和/或目标基体的表面上沉积键合层。

17、根据一个实施例，键合层的厚度在0.2nm至100nm的范围内，例如在1nm至20nm的范围内。

技术特征：

1.一种将层(15)从源基体(13)转移到目标基体(17)的方法，所述方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述目标基体(17)和/或所述源基体(13)具有跨越第一宽度的锥形边缘。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，在步骤b)之后，所述台阶(29，30)从所述层(15)的边缘和/或从所述目标基体(17)的边缘延伸跨越大于或等于所述第一宽度的宽度。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述盘(31，33)的直径小于所述源基体(13)的直径和/或小于所述目标基体(17)的直径。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其包括在步骤e)之后移除所述源基体(13)的步骤f)。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，步骤f)包括退火步骤，所述退火步骤使得在步骤e)结束时获得的组件在将所述层(15)与所述源基体(13)分开的植入掩埋层的平面中断裂。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，所述层(15)是半导体层。

8.根据权利要求7所述的方法，其包括在步骤f)之后在所述层(15)的与所述目标基体(17)相对的表面的顶部上并与之接触地外延的步骤。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中，在步骤b)之后，所述台阶(31，33)从所述层(15)的键合表面和/或所述目标基体(17)的键合表面向下延伸至大于700nm的深度。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其中，步骤d)包括将键合层(27)沉积到所述层(15)的键合表面上和/或沉积到所述目标基体(17)的键合表面上。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述键合层(27)的厚度在0.2nm至100nm的范围内，例如在1nm至20nm的范围内。

技术总结
本说明书涉及一种将层(15)从源基体(13)转移到目标基体(17)的方法，其包括以下步骤：a)在所述层的键合表面的中心部分和/或目标基体(17)的键合表面的中心部分上布置掩蔽盘；b)实施离子蚀刻，以与所述层(15)的键合表面和/或目标基体(17)的键合表面的未被掩蔽盘覆盖的外围部分相对地形成台阶(29，30)；c)移除掩蔽盘；d)使所述层的键合表面和目标基体(17)的键合表面活化；并且e)将所述层的键合表面与目标基体(17)的键合表面接触。

技术研发人员：朱莉·威迪兹,弗兰克·福内尔
受保护的技术使用者：原子能与替代能源委员会
技术研发日：
技术公布日：2024/12/19