半导体激光元件的制作方法

本公开涉及半导体激光元件。

背景技术：

1、在专利文献1中记载有一种半导体激光元件，该半导体激光元件在活性层与电子势垒层之间具有非掺杂的p侧组成倾斜层和非掺杂的p侧中间层。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：（日本）特开2020－115539号公报

技术实现思路

1、发明所要解决的技术问题

2、本公开的半导体激光元件的一方式的目的在于得到能够降低载流子的损失的半导体激光元件。

3、用于解决技术问题的技术方案

4、本公开中的半导体激光元件的一方式，所述半导体激光元件朝向上方依次具有分别由氮化物半导体构成的n侧半导体层、活性层以及p侧半导体层，其中，所述p侧半导体层朝向上方依次具有：非掺杂的第一部分，其具有1个以上的半导体层；电子势垒层，其带隙能量比所述第一部分的带隙能量大，含有p型杂质；第二部分，其具有1个以上的含有p型杂质的p型半导体层，所述第一部分具有：第一p侧组成倾斜层，其由inxga1-xn构成，随着朝向上方而in组成比x在0以上且小于1的范围内减少；第二p侧组成倾斜层，其配置在所述第一p侧组成倾斜层与所述电子势垒层之间，由alyga1-yn构成，随着朝向上方而al组成比y在超过0且小于1的范围内增加；中间层，其配置在所述第一p侧组成倾斜层与所述第二p侧组成倾斜层之间，由alzga1-zn构成，al组成比z超过0且小于y。

5、发明效果

6、能够得到可降低载流子的损失的半导体激光元件。

技术特征：

1.一种半导体激光元件，朝向上方依次具有分别由氮化物半导体构成的n侧半导体层、活性层以及p侧半导体层，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的半导体激光元件，其中，所述第一p侧组成倾斜层使组成以第一变化率变化，以使带隙能量随着朝向上方而变大，

3.根据权利要求1或2所述的半导体激光元件，其中，所述第二p侧组成倾斜层上端的al组成比y为0.1以下。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体激光元件，其中，所述第二p侧组成倾斜层的厚度为2nm以上。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体激光元件，其中，所述中间层的al组成比z超过0且为0.01以下。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体激光元件，其中，所述第二p侧组成倾斜层下端的al组成比y超过所述中间层的al组成比z且为0.05以下。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体激光元件，其中，所述中间层为第一中间层，

8.根据权利要求7所述的半导体激光元件，其中，所述第二p侧组成倾斜层的厚度相对于所述第二p侧组成倾斜层的厚度与所述第二中间层的厚度之和的比率为0.5以下。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体激光元件，其中，所述n侧半导体层具有：

10.根据权利要求1～9中任一项所述的半导体激光元件，其中，所述活性层具有：

技术总结
提供一种能够降低载流子的损失的半导体激光元件。半导体激光元件朝向上方依次具有分别由氮化物半导体构成的n侧半导体层、活性层以及p侧半导体层，其中，p侧半导体层具有非掺杂的第一部分、含有p型杂质的电子势垒层、具有1个以上的含有p型杂质的p型半导体层的第二部分，第一部分具有：第一p侧组成倾斜层，其由In<subgt;x</subgt;Ga<subgt;1‑x</subgt;N构成，随着朝向上方而In组成比x在0以上且小于1的范围内减少；第二p侧组成倾斜层，其配置在第一p侧组成倾斜层与电子势垒层之间，由Al<subgt;y</subgt;Ga<subgt;1‑y</subgt;N构成，随着朝向上方而Al组成比y在超过0且小于1的范围内增加；中间层，其配置在第一p侧组成倾斜层与第二p侧组成倾斜层之间，由Al<subgt;z</subgt;Ga<subgt;1‑z</subgt;N构成，Al组成比z超过0且小于y。

技术研发人员：中津嘉隆
受保护的技术使用者：日亚化学工业株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/12/23