气相生长装置的制作方法

本发明涉及对基板进行膜的堆积及热处理等处理的气相生长装置。

背景技术：

1、在气相生长装置中，通过向腔室的内部导入包含膜的原料的工艺气体，在基板上形成膜。

2、在气相生长装置的腔室中，有时为了在形成膜的过程中监视基板的温度、基板的翘曲、基板的反射率等而设置观察口。使用具有透光性窗的观察口和设置在腔室的外部的测定器，能够光学地测定基板的温度、基板的翘曲、基板的反射率等。

3、来自包含原料的工艺气体的副生成物有时会附着在观察口的透光性窗上。如果在透光性窗上附着副生成物，则透光性窗的光的透射率变化。如果透光性窗的光的透射率变化，则光学测定的精度降低，因此是不优选的。因而，期望抑制副生成物向透光性窗的附着，并抑制光学测定的精度的降低。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、专利文献1：日本特开2013-38196号公报

技术实现思路

1、发明要解决的课题

2、本发明要解决的课题在于提供一种抑制光学测定的精度的降低的气相生长装置。

3、用于解决课题的手段

4、本发明的一个方式的气相生长装置具备：腔室，在上部具有头部，在内部进行晶片的处理；工艺气体供给部，设置于上述头部，向上述腔室的内部供给工艺气体；凹部，设置在上述头部的上表面；透光性部件，包括被上述凹部包围的部分，上述部分的侧面与上述凹部的侧面的第1间隔大于上述部分的底面与上述凹部的底面的第2间隔；气体导入部，设置于上述头部，向上述凹部的侧面与上述部分的侧面之间导入气体；以及多个气体供给部，设置于上述头部，将上述凹部与上述腔室连通，向上述腔室的内部供给上述气体。

5、发明效果

6、根据本发明，能够实现抑制光学测定的精度的劣化的气相生长装置。

技术特征：

1.一种气相生长装置，具备：

2.根据权利要求1所述的气相生长装置，其中，

3.根据权利要求1所述的气相生长装置，其中，

4.根据权利要求2所述的气相生长装置，其中，

5.根据权利要求1所述的气相生长装置，其中，

6.根据权利要求2所述的气相生长装置，其中，

7.根据权利要求1所述的气相生长装置，其中，

8.根据权利要求2所述的气相生长装置，其中，

技术总结
实施方式的气相生长装置具备：腔室，在上部具有头部，在内部进行晶片的处理；工艺气体供给部，设置于头部，向腔室的内部供给工艺气体；凹部，设置在头部的上表面；透光性部件，包括被凹部包围的部分，部分的侧面与凹部的侧面的第1间隔大于部分的底面与凹部的底面的第2间隔；气体导入部，设置于头部，向凹部的侧面与部分的侧面之间导入气体；以及多个气体供给部，设置于头部，将凹部与腔室连通，向腔室的内部供给气体。

技术研发人员：醍醐佳明,铃木邦彦
受保护的技术使用者：纽富来科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2025/3/3