制造方法和部件与流程

本公开涉及一种制造方法和部件。

背景技术：

1、关于作为等离子体处理装置用的部件的电极，例如通过在将成膜于规定的构件的碳化硅(sic)取出之后将该sic切削加工成所期望的形状(穿设出用于喷出处理气体的多个贯通孔等)来制造。sic具有硬度、耐热性能以及化学稳定性优异的优势，但存在成膜花费时间并且难以加工的缺点。

2、例如，在专利文献1中公开了一种形成在等离子体处理空间中露出且由sic形成的护罩的制造方法。在该护罩的制造中，在石墨的构件形成sic部之后，通过从该sic部去除构件来得到目标形状的护罩。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：美国专利第10096471号说明书

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、本公开提供一种能够高精度地制造具有sic的等离子体处理装置用的部件的技术。

3、用于解决问题的方案

4、根据本公开的一个方式，提供一种等离子体处理装置用的部件的制造方法，该制造方法包括以下工序：工序(a)，准备芯材，所述芯材的形状与所述部件的最终形状相似且比所述最终形状小；工序(b)，通过进行sic的成膜来在所述芯材形成sic层叠部；以及工序(c)，通过至少去除所述sic层叠部的一部分来形成sic层并加工成所述最终形状。

5、发明的效果

6、根据一个方式，能够高精度地制造具有sic的等离子体处理装置用的部件。

技术特征：

1.一种制造方法，是等离子体处理装置用的部件的制造方法，所述制造方法包括以下工序：

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，

3.根据权利要求2所述的制造方法，其中，

4.根据权利要求3所述的制造方法，其中，

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的制造方法，其中，

6.根据权利要求1至4中的任一项所述的制造方法，其中，

7.根据权利要求1至4中的任一项所述的制造方法，其中，

8.根据权利要求1至4中的任一项所述的制造方法，其中，

9.根据权利要求8所述的制造方法，其中，

10.根据权利要求8所述的制造方法，其中，

11.根据权利要求1至4中的任一项所述的制造方法，其中，

12.根据权利要求1至4中的任一项所述的制造方法，其中，

13.一种部件，是等离子体处理装置用的部件，

14.根据权利要求13所述的部件，其中，

15.根据权利要求14所述的部件，其中，

16.根据权利要求14所述的部件，其中，

17.根据权利要求13至16中的任一项所述的部件，其中，

18.根据权利要求17所述的部件，其中，

19.根据权利要求13至16中的任一项所述的部件，其中，

技术总结
等离子体处理装置用的部件的制造方法包括以下工序：工序(A)，准备芯材，所述芯材的形状与所述电极的最终形状相似且比所述最终形状小；工序(B)，通过成膜装置在所述芯材形成SiC层叠部；以及工序(C)，通过至少去除所述SiC层叠部的一部分来形成SiC层并加工成所述最终形状。由此，能够高精度地制造具有SiC的等离子体处理装置用的部件。

技术研发人员：孙亮,佐佐木胜,石原保正,藤井弘,村上贵宏,药师寺秀明
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：
技术公布日：2025/3/16