晶体管封装结构体的封装方法和晶体管封装结构体与流程

本申请涉及半导体封装，具体涉及一种晶体管封装结构体的封装方法和晶体管封装结构体。

背景技术：

1、晶体管封装结构体通常是采用塑封料对安装有芯片的引线框架，即芯片组合件，进行封装得到。然而，由于引线框架与塑封料形成的塑封体的热膨胀系数不同，在持续高温高湿环境下，即当晶体管封装结构体在高温循环或者预烘烤的时候，晶体管封装结构体中的引线框架与塑封结构之间，因引线框架与塑封体两者的热膨胀系数不同，热应力将会从晶体管封装结构体的边缘向引线框架中心渗透，造成引线框架与塑封体之间应力发生变化，从而使塑封体与引线框架之间产生分层。

2、随着封装的质量和可靠性水平越来越受到广大用户的关注。作为评定和考核封装可靠性水平的重要特征参数，湿度敏感等级测试（moisture sensitivity level，msl）已成为其中最重要的试验项目之一。目前在一些条件下需要晶体管封装结构体通过湿度敏感等级1级测试，以确定非气密性固态表面贴装器件对潮气产生应力的敏感度分级，从而使晶体管封装结构体可以被顺利地包装、贮存和运输，以及避免其在回流焊贴装或维修操作中造成损坏。

3、但是采用现有的封装方法得到的晶体管封装结构体的塑封体和引线框架之间的结合力较弱，晶体管封装结构体不能通过湿度敏感等级测试1级的测试。

技术实现思路

1、鉴于此，本申请实施例提供了一种晶体管封装结构体的封装方法和晶体管封装结构体，其能够增加引线框架与塑封体之间的结合力，从而使晶体管封装结构体能够通过msl1级的测试。

2、一方面，本申请实施例提出了一种晶体管封装结构体的封装方法，封装方法包括：组装处理，将芯片通过银浆烧结工艺焊接到引线框架上，以得到芯片组合件，银浆烧结工艺的烧结温度为140℃-250℃，银浆烧结工艺的烧结时间为3h-6h；清洗处理，对芯片组合件进行清洗处理，得到芯片组合件净品；键合处理，利用引线将芯片组合件净品中的芯片与引线框架键合连接在一起形成导电回路，以得到芯片半成品；塑封处理，将芯片半成品放入塑封料中，进行塑封，得到晶体管封装结构体。

3、根据本申请实施例的一个方面，清洗处理的步骤包括湿法清洗工艺和干法清洗工艺中的至少一种。

4、根据本申请实施例的一个方面，湿法清洗工艺包括溶剂清洗技术；溶剂清洗技术包括洗涤步骤、漂洗步骤和干燥步骤。

5、根据本申请实施例的一个方面，洗涤步骤中的溶剂为双溶剂体系；双溶剂体系包括清洗剂和漂洗剂，清洗剂具有还原性；清洗剂和漂洗剂的质量比为3-5；双溶剂体系的温度为50℃-80℃。

6、根据本申请实施例的一个方面，洗涤步骤在超声的条件下进行；超声的功率为400w-1000w，超声的时间为5min-30min。

7、根据本申请实施例的一个方面，干法清洗工艺包括等离子体清洗技术。

8、根据本申请实施例的一个方面，封装方法还包括在组装处理之前的晶圆切割以及在塑封处理之后的固化。

9、又一方面，本申请实施例提出了一种晶体管封装结构体，通过本申请一方面的封装方法制备得到。

10、根据本申请实施例的又一个方面，晶体管封装结构体能够通过湿度敏感等级1级的测试。

11、本申请实施例通过在组装处理和键合处理之间引入清洗处理，从而增加了引线框架与塑封体之间的结合力，使得晶体管封装结构体能够通过msl1级测试。

技术特征：

1.一种晶体管封装结构体的封装方法，其特征在于，所述封装方法包括：

2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述清洗处理的步骤包括湿法清洗工艺和干法清洗工艺中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于，所述湿法清洗工艺包括溶剂清洗技术；

4.根据权利要求3所述的封装方法，其特征在于，所述洗涤步骤中的溶剂为双溶剂体系；

5.根据权利要求3所述的封装方法，其特征在于，所述洗涤步骤在超声的条件下进行；

6.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于，所述干法清洗工艺包括等离子体清洗技术。

7.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述封装方法还包括在组装处理之前的晶圆切割以及在塑封处理之后的固化。

8.一种晶体管封装结构体，其特征在于，通过权利要求1-7任一项所述的封装方法制备得到。

9.根据权利要求8所述的晶体管封装结构体，其特征在于，所述晶体管封装结构体能够通过湿度敏感等级1级的测试。

技术总结
本申请公开了一种晶体管封装结构体的封装方法和晶体管封装结构体。封装方法包括：组装处理，将芯片通过银浆烧结工艺焊接到引线框架上，以得到芯片组合件，银浆烧结工艺的烧结温度为140℃‑250℃，银浆烧结工艺的烧结时间为3h‑6h；清洗处理，对所述芯片组合件进行清洗处理，得到芯片组合件净品；键合处理，利用引线将所述芯片组合件净品中的芯片与引线框架键合连接在一起形成导电回路，以得到芯片半成品；塑封处理，将所述芯片半成品放入塑封料中，进行塑封，得到晶体管封装结构体。本申请实施例提供的晶体管封装结构体的封装方法和晶体管封装结构体，能够增加引线框架与塑封体之间的结合力，从而使晶体管封装结构体能够通过湿度敏感等级1级测试。

技术研发人员：龚锦秀,乐聪,题扬
受保护的技术使用者：瑞能微恩半导体（上海）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/25