阵列基板及其制备方法、显示面板与流程

本申请涉及显示，特别是涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。

背景技术：

1、随着光电显示技术及半导体制造技术的发展，搭配薄膜晶体管(thin filmtransistor，简称tft)的液晶显示面板(tft-lcd)或者有机发光二极管显示面板(tft-oled)已经成为显示器件的主流。

2、为了减少光罩制程，显示面板的阵列基板大多采用4道黄光制程制备，即将半导体层与源漏极及数据线所在的金属层同时制作，以降低成本、缩短工艺时间、增加产能。但是，现有的4道黄光制程中，第二金属层m2作为tft源极和漏极层，需要使用半透过掩膜板(halftone mask，简称htm)进行两次干刻(dry etch)及两次湿刻(wet etch)，业内一般称之为2w2d工艺，该工艺需要同时形成m2和半导体层图形，从而省去半导体层黄光制程，其中htm较普通光罩的成本更高，且2w2d也较为复杂。

技术实现思路

1、本申请旨在提供一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示面板，其可以省去半透过掩膜板，同时仅用一次湿刻及一次干刻即可通过4道黄光制程制备阵列基板，降低制作成本。

2、第一方面，本申请实施例提出了一种阵列基板的制备方法，包括：在衬底基板上形成图案化的第一金属层，第一金属层包括栅极；在第一金属层上沉积形成栅绝缘层；在栅绝缘层上沉积形成第一半导体层；在第一半导体层上形成牺牲层；在牺牲层上沉积形成第二半导体层；在第二半导体层上形成图案化且透明的第二金属层；在第二金属层上涂布光阻层，对光阻层曝光显影，形成光阻图案；以光阻图案为遮挡对第二金属层进行湿法刻蚀，以形成的源极、漏极及位于源极和漏极之间的沟道区，且源极、沟道区及漏极之间分别形成有间隙；以光阻图案为遮挡对第二半导体层至第一半导体层之间的膜层进行干法刻蚀，以将沟道区以外未被光阻图案和第二金属层遮挡的膜层蚀刻干净，且将间隙对应的第一半导体层蚀刻掉部分厚度；采用激光照射沟道区对应的牺牲层，使得激光经栅极反射后聚焦在牺牲层，以将栅极对应的沟道区上方的牺牲层分解；剥离掉沟道区对应的第二半导体层、第二金属层及光阻图案。

3、在一种可能的实施方式中，牺牲层的材质包括重掺杂的半导体或者导电聚酰亚胺。

4、在一种可能的实施方式中，第一半导体层的厚度为100μm-1000μm。

5、在一种可能的实施方式中，源极与沟道区之间及沟道区与漏极之间的间隙小于1μm。

6、在一种可能的实施方式中，湿法刻蚀的蚀刻酸液为草酸、硫酸、盐酸中的任一者。

7、在一种可能的实施方式中，干法刻蚀的蚀刻气体为六氟化硫、氯气、氧气、三氟化氮中的至少一者。

8、在一种可能的实施方式中，在牺牲层上沉积形成第二半导体层之后、在第二半导体层上形成图案化的第二金属层之前，制备方法还包括：在第二半导体层上沉积形成重掺杂半导体层。

9、在一种可能的实施方式中，在剥离掉沟道区对应的第二半导体层、第二金属层及光阻图案之后，制备方法还包括：在第二金属层上沉积一层钝化层；在钝化层上沉积一层导电薄膜，通过干法刻蚀使导电薄膜形成像素电极。

10、第二方面，本申请实施例还提出了一种阵列基板，采用如前所述的阵列基板的制备方法制备而成。

11、第三方面，本申请实施例还提出了一种显示面板，包括：如前所述的阵列基板；对置基板，与阵列基板相对设置；以及液晶层，设置于阵列基板与对置基板之间。

12、本申请实施例提供的阵列基板及其制备方法、显示面板，通过在第一半导体层与第二半导体层之间设置牺牲层，并在第二半导体层上形成图案化且透明的第二金属层，在第二金属层上涂布光阻层，对光阻层曝光显影，形成光阻图案，以光阻图案为遮挡对第二金属层进行一次湿法刻蚀以及对第二半导体层至第一半导体层之间的膜层进行一次干法刻蚀；然后通过激光照射牺牲层，使得激光经栅极反射后聚焦在牺牲层，以将栅极对应的沟道区上方的牺牲层分解，剥离掉沟道区对应的第二半导体层、第二金属层及光阻图案，从而完成第二金属层及半导体层的制备，与相关技术中采用半色调掩膜板及两次干刻两次湿刻(2w2d)的工艺相比，本申请可以省去半色调掩膜板，仅采用一次干刻一次湿刻(1w1d)，即可通过4道黄光制程制备阵列基板，降低制作成本。

技术特征：

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述牺牲层的材质包括重掺杂的半导体或者导电聚酰亚胺。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一半导体层的厚度为100μm-1000μm。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述源极与所述沟道区之间及所述沟道区与所述漏极之间的间隙小于1μm。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的蚀刻酸液为草酸、硫酸、盐酸中的任一者。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述干法刻蚀的蚀刻气体为六氟化硫、氯气、氧气、三氟化氮中的至少一者。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述牺牲层上沉积形成第二半导体层之后、在所述第二半导体层上形成图案化的第二金属层之前，还包括：

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在剥离掉所述沟道区对应的第二半导体层、第二金属层及光阻图案之后，所述制备方法还包括：

9.一种阵列基板，其特征在于，采用如权利要求1至8任一项所述的阵列基板的制备方法制备而成。

10.一种显示面板，其特征在于，包括：

技术总结
本申请涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板，该制备方法包括：在衬底基板上依次沉积形成图案化的第一金属层、栅绝缘层、第一半导体层；在第一半导体层上形成牺牲层；在牺牲层上沉积形成第二半导体层；在第二半导体层上形成透明的第二金属层；在第二金属层上涂布光阻层，对光阻层曝光显影，形成光阻图案；以光阻图案为遮挡对第二金属层进行湿法刻蚀；以光阻图案为遮挡对第二半导体层至第一半导体层之间的膜层进行干法刻蚀，以将第一半导体层蚀刻掉部分厚度；采用激光照射沟道区对应的牺牲层，将牺牲层分解；剥离掉沟道区对应的第二半导体层、第二金属层及光阻图案。本申请可以简化黄光制程工艺，节约制作成本。

技术研发人员：蒲洋,叶利丹
受保护的技术使用者：惠科股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/5/27