太阳能电池及其制备方法、光伏组件和光伏系统与流程

本申请涉及太阳能电池，特别是涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件和光伏系统。

背景技术：

1、随着光伏技术的快速发展，晶体硅太阳能电池的转换效率逐年提高。

2、目前，主流的n型topcon(tunnel oxide passivated contact，隧穿氧化层钝化接触)太阳能电池已经形成了巨大的产能占比，其量产电池转换效率也攀升到25.6％左右。但是，市场对于更高转换效率的太阳能电池仍然保有大量的需求。于是，越来越多的公司和科研机构将目光投向了具有更高潜力且与相关技术中topcon太阳能电池的生产工艺路线高度兼容的ibc(interdigitated back contact，全背电极接触)电池上。

技术实现思路

1、基于此，有必要提供一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件和光伏系统。可以减少隧穿层和多晶硅层的沉积工艺，从而大幅降低设备投入和时间成本。

2、第一方面，提供一种太阳能电池的制备方法，包括：

3、提供基底层，所述基底层包括沿其厚度方向相对设置的第一表面和第二表面；

4、在所述基底层的所述第一表面依次层叠形成隧穿层薄膜和本征多晶硅薄膜，所述本征多晶硅薄膜具有第一厚度；

5、在所述本征多晶硅薄膜远离所述基底层的表面形成掺杂第一掺杂元素的第一硅玻璃层；

6、将所述基底层的所述第一表面划分出交叉设置的第一掺杂区和第二掺杂区；

7、将所述第一硅玻璃层对应所述第二掺杂区的部分，以及所述本征多晶硅薄膜对应所述第二掺杂区的第一厚度部分去除，而保留所述第一硅玻璃层对应所述第一掺杂区的部分以及所述本征多晶硅薄膜对应所述第二掺杂区的第二厚度部分；其中，所述第一厚度部分的厚度小于或等于所述第一厚度的1/2；

8、通过加热，使所述第一硅玻璃层中的第一掺杂元素扩散入所述本征多晶硅薄膜对应所述第一掺杂区的部分，形成位于所述第一掺杂区的第一掺杂多晶硅层；

9、在所述第二厚度部分上形成第二掺杂多晶硅层；其中，所述第一掺杂多晶硅层和所述第二掺杂多晶硅层的极性相反。

10、可选地，所述第一厚度为300nm～500nm。

11、可选地，所述第一厚度为400nm。

12、可选地，所述第一厚度部分的厚度为100nm～250nm。

13、可选地，所述第一厚度部分的厚度为200nm。

14、可选地，所述第一硅玻璃层的厚度为50nm～200nm。

15、可选地，所述第一硅玻璃层的厚度为100nm。

16、可选地，所述将所述第一硅玻璃层对应所述第二掺杂区的部分，以及所述本征多晶硅薄膜对应所述第二掺杂区的第一厚度部分去除，包括：

17、采用激光刻蚀去除所述第一硅玻璃层对应所述第二掺杂区的部分；

18、采用碱刻蚀液去除所述本征多晶硅薄膜对应所述第二掺杂区的所述第一厚度部分。

19、可选地，所述在所述第二厚度部分上形成第二掺杂多晶硅层，包括：

20、在所述第一掺杂多晶硅层和所述第二厚度部分上形成掺杂第二掺杂元素的第二硅玻璃层；

21、通过加热，使所述第二硅玻璃层中的第二掺杂元素扩散入所述第二厚度部分，形成所述第二掺杂多晶硅层。

22、第二方面，提供一种太阳能电池，通过如第一方面所述的制备方法制备得到。

23、第三方面，本申请的一些实施例提供一种光伏组件，该光伏组件包括：多个串联和/或并联连接的太阳能电池；

24、至少一个所述太阳能电池为如第二方面所述的太阳能电池。

25、第四方面，本申请的一些实施例提供一种光伏系统，包括如第三方面所述的光伏组件。

26、本申请提供的太阳能电池及其制备方法、光伏组件和光伏系统的有益技术效果如下：

27、仅沉积一次隧穿层和多晶硅层即可制备位于不同区域的p型掺杂多晶硅层和n型掺杂多晶硅层，能够减少隧穿层和多晶硅层的沉积工艺，无需两次多晶硅层和隧穿层沉积，从而可以大幅降低设备投入，并缩短生产周期，节约时间成本，为太阳能电池的工业化量产需求提供保障。

技术特征：

1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一硅玻璃层的厚度为50nm～200nm。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第一硅玻璃层的厚度为100nm。

8.根据权利要求1～7任一项所述的制备方法，其特征在于，所述将所述第一硅玻璃层对应所述第二掺杂区的部分，以及所述本征多晶硅薄膜对应所述第二掺杂区的第一厚度部分去除，包括：

9.根据权利要求1～7任一项所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第二厚度部分上形成第二掺杂多晶硅层，包括：

10.一种太阳能电池，其特征在于，通过如权利要求1～9任一项所述的制备方法制备得到。

11.一种光伏组件，其特征在于，包括：多个串联和/或并联连接的太阳能电池；

12.一种光伏系统，其特征在于，包括如权利要求11所述的光伏组件。

技术总结
本申请涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件和光伏系统。可以减少隧穿层和多晶硅层的沉积工艺，从而大幅降低设备投入和时间成本。一种太阳能电池的制备方法，包括：提供基底层；在基底层的第一表面依次层叠形成隧穿层薄膜和本征多晶硅薄膜；在本征多晶硅薄膜远离基底层的表面形成掺杂第一掺杂元素的第一硅玻璃层；将第一硅玻璃层对应第二掺杂区的部分，以及本征多晶硅薄膜对应第二掺杂区的第一厚度部分去除；通过加热，使第一硅玻璃层中的第一掺杂元素扩散入本征多晶硅薄膜对应第一掺杂区的部分，形成位于第一掺杂多晶硅层；在第二厚度部分上形成第二掺杂多晶硅层。

技术研发人员：杨睿,柳伟,胡匀匀,季雯娴
受保护的技术使用者：天合光能股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/5/12