半导体装置以及振动器件的制作方法

本发明涉及半导体装置以及振动器件。

背景技术：

1、在专利文献1中公开了一种半导体装置，在贯通半导体基板的贯通电极中，为了防止在半导体基板与导电层之间产生漏电，形成覆盖形成于贯通孔的内壁的绝缘层的有机绝缘层，在有机绝缘层上形成导电层。

2、专利文献1：日本特开2018-113466号公报

技术实现思路

1、然而，在专利文献1所公开的半导体装置中，有机绝缘层是通过涂布包含有机绝缘材料的溶液而形成的，因此，有时在贯通孔的角部处有机绝缘层的膜厚变薄。

2、本发明的半导体装置的一个方式具有：半导体基板，其包括第一面以及与所述第一面处于正反关系的第二面，形成有从所述第一面贯通至所述第二面的第一贯通孔；第一绝缘层，其配置于所述第一面，包括所述半导体基板侧的第三面以及与所述第三面处于正反关系的第四面，在与所述第一贯通孔重叠的位置形成有第二贯通孔；第二绝缘层，配置于所述第二面，在与所述第一贯通孔重叠的位置形成有第一开口部；以及第一导电层，其通过所述第一开口部从所述第二绝缘层露出；有机绝缘层，其配置于所述第四面、所述第二贯通孔的侧面、所述第一贯通孔的侧面、所述第一开口部的侧面以及所述第一导电层的表面，形成有与所述第一开口部重叠的第二开口部；以及第二导电层，其配置于所述有机绝缘层的表面以及所述第一导电层的表面，所述第二贯通孔的侧面是第一锥面。

3、本发明的振动器件的一个方式具有上述半导体装置。

技术特征：

1.一种半导体装置，其具有：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

5.一种振动器件，其具有：

技术总结
半导体装置以及振动器件，能够减少有机绝缘层的膜厚变薄的情况。半导体装置具备：半导体基板，其包括第一面以及第二面，形成有第一贯通孔；第一绝缘层，其配置于第一面，包括第三面以及第四面，在与第一贯通孔重叠的位置形成有第二贯通孔；第二绝缘层，其配置于第二面，在与第一贯通孔重叠的位置形成有第一开口部；第一导电层，其通过第一开口部从第二绝缘层露出；有机绝缘层，其配置于第四面、第二贯通孔的侧面、第一贯通孔的侧面、第一开口部的侧面以及第一导电层的表面，形成有与第一开口部重叠的第二开口部；以及第二导电层，配置于有机绝缘层的表面以及第一导电层的表面，第二贯通孔的侧面是第一锥面。

技术研发人员：松泽勇介
受保护的技术使用者：精工爱普生株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/8/1