一种发光二极管芯片及其制备方法与流程

本发明涉及发光二极管，特别是涉及一种发光二极管芯片以及一种发光二极管芯片的制备方法。

背景技术：

1、led(light-emitting diode，发光二极管)是一种对静电十分灵敏的半导体器材，特别是关于ingan(氮化铟镓)结构的蓝色、翠绿色、白色等发光led，这种结构这种色彩的led对静电愈加灵敏，通常静电电压很高，乃至到达上万伏，led发光管碰上静电很简单会损坏led自身结构，导致发光功能反常，乃至直接损坏。

2、为了避免led应为静电而发生损坏，在现有技术中通常会在led封装器件中添加稳压二极管(zener chip)。在led封装器件增加稳压二极管后，esd(electrostaticprotection，静电保护)能力明显提升，从2kv到大于8kv(10kv、12kv、15kv不等)。但是，传统led封装，如蓝光晶片等led和稳压二极管会反向并联于支架内，因稳压二极管通常使用导电银胶固定并导通，而导电银胶的反射率会低于支架镀银层、塑胶等等，导致最终的led器件亮度会牺牲不等，对于led器件，尤其是作为电池背光的led来说，损失很大。

3、所以如何提供一种具有更高亮度的发光二极管芯片是本领域技术人员急需解决的问题。

技术实现思路

1、本发明的目的是提供一种发光二极管芯片，具有更高的亮度；本发明的另一目的在于提供一种发光二极管芯片的制备方法，所制备而成的发光二极管芯片具有更高的亮度。

2、为解决上述技术问题，本发明提供一种发光二极管芯片，包括：

3、支架；

4、位于支架内的稳压二极管；所述稳压二极管与所述支架电连接且所述稳压二极管通过连接物与所述支架固定连接；

5、位于所述支架内的遮挡层；所述遮挡层覆盖所述稳压二极管以及所述连接物，所述遮挡层背向所述稳压二极管一侧表面对光的反射率大于所述稳压二极管表面对光的反射率以及所述连接物表面对光的反射率；

6、位于所述支架内的发光二极管晶片；所述发光二极管晶片与所述支架电连接。

7、可选的，所述连接物为导电银胶，所述遮挡层为环氧模塑料层。

8、可选的，所述遮挡层为白色遮挡层。

9、可选的，还包括：

10、覆盖所述发光二极管晶片的荧光胶层。

11、可选的，所述支架呈碗状，所述遮挡层覆盖所述支架底部除去与所述发光二极管晶片电连接的焊点之外的区域；所述荧光胶层覆盖所述发光二极管晶片和所述遮挡层。

12、可选的，所述支架表面设置有银层。

13、可选的，所述支架表面设置有镍层，所述镍层表面设置有所述银层。

14、本发明还提供了一种发光二极管芯片的制备方法，包括：

15、获得支架；

16、在所述支架内通过连接物固定稳压二极管，并使所述稳压二极管与所述支架电连接；

17、在所述支架内设置覆盖所述稳压二极管以及所述连接物的遮挡层；所述遮挡层背向所述稳压二极管一侧表面对光的反射率大于所述稳压二极管表面对光的反射率以及所述连接物表面对光的反射率；

18、在所述支架内固定发光二极管晶片；所述发光二极管晶片与所述支架电连接。

19、可选的，在所述支架内设置覆盖所述稳压二极管以及所述连接物的遮挡层包括：

20、在所述支架内压印覆盖所述稳压二极管以及所述连接物的遮挡层前驱体；

21、对所述遮挡层前驱体进行固化，形成所述遮挡层。

22、可选的，所述遮挡层为白色遮挡层，在所述支架内固定发光二极管晶片之后，还包括：

23、在所述支架内点荧光胶，形成覆盖所述发光二极管晶片的荧光胶层。

24、本发明所提供的一种发光二极管芯片，包括：支架；位于支架内的稳压二极管；所述稳压二极管与所述支架电连接且所述稳压二极管通过连接物与所述支架固定连接；位于所述支架内的遮挡层；所述遮挡层覆盖所述稳压二极管以及所述连接物，所述遮挡层背向所述稳压二极管一侧表面对光的反射率大于所述稳压二极管表面对光的反射率以及所述连接物表面对光的反射率；位于所述支架内的发光二极管晶片；所述发光二极管晶片与所述支架电连接。

25、通过设置遮挡层来挡住稳压二极管以及连接物，可以避免对光反射率较低的稳压二极管以及连接物的暴露。同时由于遮挡层表面对光的反射率较大，从而可以有效增加发光二极管芯片的发光亮度。

26、本发明还提供了一种发光二极管芯片的制备方法，同样具有上述有益效果，在此不再进行赘述。

技术特征：

1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述连接物为导电银胶，所述遮挡层为环氧模塑料层。

3.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述遮挡层为白色遮挡层。

4.根据权利要求3所述的发光二极管芯片，其特征在于，还包括：

5.根据权利要求4所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述支架呈碗状，所述遮挡层覆盖所述支架底部除去与所述发光二极管晶片电连接的焊点之外的区域；所述荧光胶层覆盖所述发光二极管晶片和所述遮挡层。

6.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述支架表面设置有银层。

7.根据权利要求6所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述支架表面设置有镍层，所述镍层表面设置有所述银层。

8.一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，包括：

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述支架内设置覆盖所述稳压二极管以及所述连接物的遮挡层包括：

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述遮挡层为白色遮挡层，在所述支架内固定发光二极管晶片之后，还包括：

技术总结
本发明公开了一种发光二极管芯片及其制备方法，应用于发光二极管技术领域，包括：支架；位于支架内的稳压二极管；所述稳压二极管与所述支架电连接且所述稳压二极管通过连接物与所述支架固定连接；位于所述支架内的遮挡层；所述遮挡层覆盖所述稳压二极管以及所述连接物，所述遮挡层背向所述稳压二极管一侧表面对光的反射率大于所述稳压二极管表面对光的反射率以及所述连接物表面对光的反射率；位于所述支架内的发光二极管晶片；所述发光二极管晶片与所述支架电连接。通过设置遮挡层来挡住稳压二极管以及连接物，可以避免稳压二极管以及连接物的暴露。同时由于遮挡层表面对光的反射率较大，从而可以有效增加发光二极管芯片的发光亮度。

技术研发人员：何静静
受保护的技术使用者：盐城东山精密制造有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/5/6