发光二极管的制备方法及制品与流程

本公开涉及光电子制造，特别涉及一种发光二极管的制备方法及制品。

背景技术：

1、发光二极管(light emitting diode，led)因具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，目前已经被广泛应用于背光、照明、景观等各个光源领域。

2、相关技术中，在衬底上形成多个发光结构，发光结构包括依次层叠的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，通过磁控溅射工艺在第二半导体层上形成透明导电层，然后在露出第一半导体层的台面上和透明导电层上分别形成第一电极和第二电极。

3、然而，由于磁控溅射设备的局限，衬底上不同区域中发光结构上形成的透明导电层存在厚度不均匀的问题。在衬底的中心区域的发光结构上形成的透明导电层的厚度大于在衬底的边缘区域的发光结构上形成的透明导电层的厚度。衬底上不同区域中透明导电层的厚度不均，会导致在衬底上不同区域得到的led的电压的一致性较差。

技术实现思路

1、本公开实施例提供了一种发光二极管的制备方法及制品，能提高led的电压的一致性。所述技术方案如下：

2、一方面，提供了一种发光二极管的制备方法，包括：提供一衬底，所述衬底具有相连的中心区域和环形区域，所述环形区域围绕所述中心区域；在所述衬底上形成多个发光结构，所述发光结构包括沿远离所述衬底的方向依次层叠的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，所述发光结构具有从所述第二半导体层的远离所述多量子阱层的表面向所述第一半导体层延伸的台面；在所述第二半导体层的第一表面所在的一侧形成透明导电层，所述中心区域中所述透明导电层的厚度大于所述环形区域中所述透明导电层的厚度；在所述台面上形成第一电极，并在所述透明导电层上形成第二电极，所述中心区域中所述第二电极和所述透明导电层的接触面的面积小于所述环形区域中所述第二电极和所述透明导电层的接触面的面积。

3、可选地，所述中心区域中所述第二电极和所述透明导电层的接触面的面积与所述环形区域中所述第二电极和所述透明导电层的接触面的面积的比值为0.5至0.7。

4、可选地，所述第二电极和所述透明导电层的接触面为圆形，所述环形区域中所述第二电极和所述透明导电层的接触面的半径与所述中心区域中所述第二电极和所述透明导电层的接触面的半径的差值为1.5μm至3μm。

5、可选地，所述中心区域中所述第二电极和所述透明导电层的接触面的半径为8μm至10μm，所述环形区域中所述第二电极和所述透明导电层的接触面的半径为11μm至13μm。

6、可选地，所述衬底为圆片，所述中心区域呈圆形，所述环形区域呈圆环形，所述中心区域与所述环形区域同心；所述环形区域的面积与所述中心区域的面积的比值为0.2至0.25。

7、可选地，所述环形区域中所述透明导电层的厚度与所述中心区域中所述透明导电层的厚度的比值为0.92至0.95。

8、可选地，所述方法还包括：在所述透明导电层的远离所述衬底表面、所述第一电极的远离所述衬底的表面、所述第二电极的远离所述衬底的表面、所述台面的底部和所述台面的侧壁形成钝化层。

9、可选地，所述钝化层为分布式布拉格反射层。

10、可选地，所述钝化层具有露出所述第一电极的第一通孔和露出所述第二电极的第二通孔，所述方法还包括：在所述钝化层上形成第一焊点块和第二焊点块，所述第一焊点块通过所述第一通孔与所述第一电极连接，所述第二焊点块通过所述第二通孔与所述第二电极连接。

11、另一方面，提供了一种制品，包括衬底和位于所述衬底上的多个发光二极管器件，所述衬底具有相连的中心区域和环形区域，所述环形区域围绕所述中心区域；每个所述发光二极管器件包括发光结构、透明导电层、第一电极和第二电极，所述发光结构位于所述衬底上，所述发光结构包括沿远离所述衬底的方向依次层叠的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，所述发光结构具有从所述第二半导体层的远离所述多量子阱层的表面向所述第一半导体层延伸的台面；所述透明导电层位于所述第二半导体层的第一表面所在的一侧，所述中心区域中所述透明导电层的厚度大于所述环形区域中所述透明导电层的厚度；所述第一电极位于所述台面上，所述第二电极位于所述透明导电层上，所述中心区域中所述第二电极和所述透明导电层的接触面的面积小于所述环形区域中所述第二电极和所述透明导电层的接触面的面积。

12、本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果是：

13、本公开实施例中，衬底具有相连的中心区域和环形区域，环形区域围绕中心区域，中心区域中透明导电层的厚度大于环形区域中透明导电层的厚度，中心区域中第二电极和透明导电层的接触面的面积小于环形区域中第二电极和透明导电层的接触面的面积。由于透明导电层的厚度越大，led的电压越低，第二电极和透明导电层的接触面的面积越小，led的电压越高，因此通过在透明导电层的厚度较大的中心区域使第二电极与透明导电层的接触面的面积较小，在透明导电层的厚度较小的环形区域使第二电极与透明导电层的接触面的面积较大，可以使在衬底上的中心区域得到的led的电压与在衬底上的环形区域得到的led的电压更接近，提高了led的电压的一致性。

技术特征：

1.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述中心区域(1)中所述第二电极(51)和所述透明导电层(30)的接触面的面积与所述环形区域(2)中所述第二电极(51)和所述透明导电层(30)的接触面的面积的比值为0.5至0.7。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二电极(51)和所述透明导电层(30)的接触面为圆形，所述环形区域(2)中所述第二电极(51)和所述透明导电层(30)的接触面的半径与所述中心区域(1)中所述第二电极(51)和所述透明导电层(30)的接触面的半径的差值为1.5μm至3μm。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述中心区域(1)中所述第二电极(51)和所述透明导电层(30)的接触面的半径为8μm至10μm，所述环形区域(2)中所述第二电极(51)和所述透明导电层(30)的接触面的半径为11μm至13μm。

5.根据权利要求1至4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述衬底(10)为圆片，所述中心区域(1)呈圆形，所述环形区域(2)呈圆环形，所述中心区域(1)与所述环形区域(2)同心；所述环形区域(2)的面积与所述中心区域(1)的面积的比值为0.2至0.25。

6.根据权利要求1至4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述环形区域(2)中所述透明导电层(30)的厚度与所述中心区域(1)中所述透明导电层(30)的厚度的比值为0.92至0.95。

7.根据权利要求1至4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述钝化层(40)为分布式布拉格反射层。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述钝化层(40)具有露出所述第一电极(50)的第一通孔(41)和露出所述第二电极(51)的第二通孔(42)，所述方法还包括：

10.一种制品，其特征在于，包括衬底(10)和位于所述衬底(10)上的多个发光二极管器件，

技术总结
本公开实施例提供了一种发光二极管的制备方法及制品，属于光电子制造技术领域。该制备方法包括：在衬底上形成多个发光结构，发光结构包括沿远离衬底的方向依次层叠的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，发光结构具有从第二半导体层的远离多量子阱层的表面向第一半导体层延伸的台面；在第二半导体层的第一表面所在的一侧形成透明导电层，中心区域中透明导电层的厚度大于环形区域中透明导电层的厚度；在台面上形成第一电极，并在透明导电层上形成第二电极，中心区域中第二电极和透明导电层的接触面的面积小于环形区域中第二电极和透明导电层的接触面的面积。本公开实施例能提高LED的电压的一致性。

技术研发人员：吴俊磊,秦双娇,刘建森,傅新钧,陈沛然,杜雯丹,王欢,李昂
受保护的技术使用者：华灿光电（浙江）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/5/29