太阳能电池制备方法、太阳能电池及其光伏组件与流程

本发明涉及太阳能发电设备，更具体地，涉及一种太阳能电池制备方法、太阳能电池及其光伏组件。

背景技术：

1、激光掺杂是topcon电池制备中的重要工序，其可以在金属电极与硅基体接触部位及其附近形成重掺杂区，减少金属电极与硅基体的接触电阻，而在硅基体上金属电极之间的区域形成低掺杂，降低扩散层的复合，提高电池光电转换效率。然而，印刷网版在多次印刷后会发生形变，导致采用形变的网版印刷制得的栅线和激光掺杂区之间出现较大偏差，影响激光掺杂的效果，导致太阳能电池产品不合格。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请提供了一种太阳能电池制备方法、太阳能电池及其光伏组件，旨在改善激光掺杂区和金属电极之间存在较大偏差的问题，提高太阳能电池产品合格率。

2、第一方面，本申请提供一种太阳能电池制备方法，包括：

3、在硅基体上进行制绒和硼扩散；其中，所述硅基体包括平行于第一方向的基体中心线、关于所述基体中心线对称设置的第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一方向垂直于所述硅基体的厚度方向；

4、确定激光掺杂图案；

5、根据所述激光掺杂图案，对所述硅基体的表面进行激光掺杂；其中，所述激光掺杂图案包括多个激光线，所述激光线包括通过激光扫描而成的多个连续光斑；

6、采用印刷网版印刷栅线；其中，所述栅线包括多个沿着所述第一方向延伸的副栅线；所述副栅线包括位于所述第一掺杂区的第一子副栅，所述第一子副栅对应所述印刷网版的第一透网孔，所述第一透网孔包括至少三个不重合的标记点；

7、确定所述激光掺杂图案包括以下步骤：

8、在所述印刷网版的表面建立直角坐标系，所述第一透网孔的三个标记点的坐标分别记为（x1，y1）、（x2，y2）和（x3，y3）；

9、测量所述第一透网孔的三个标记点与所述直角坐标系的纵轴、横轴之间的距离，获得x1，x2和x3坐标值以及y1，y2和y3坐标值；

10、通过所述第一透网孔的三个标记点的坐标（x1，y1）、（x2，y2）和（x3，y3），计算得到所述第一子副栅对应激光线的图形；

11、根据所述第一掺杂区内的其他副栅线与所述第一子副栅之间的间距l，得到所述第一掺杂区内的其他副栅线对应激光线的图形，其中，l=（m+1）×d，d为相邻所述副栅线之间的预设间距，m为在所述第一掺杂区内的其他副栅线与所述第一子副栅之间的副栅线数量；

12、所述第一掺杂区内的激光线图形关于所述基体中心线镜像设置，得到所述第二掺杂区内的激光线图形。

13、可选地，所述激光线的宽度大于所述副栅线的宽度。

14、可选地，所述栅线还包括沿着第二方向延伸的主栅线，所述第二方向垂直于所述第一方向和所述硅基体的厚度方向；所述主栅线的端部设有鱼叉部，所述鱼叉部呈向外的开口；所述第一掺杂区和所述第二掺杂区均包括子区域，所述子区域内设有所述主栅线的鱼叉部；所述副栅线还包括第二子副栅，所述第二子副栅在所述鱼叉部断开；所述第二子副栅对应的激光线横穿所述鱼叉部。

15、可选地，所述第二子副栅对应的激光线的激光扫描速度为20-30m/s，激光频率为500-1000khz，激光功率为50%-100%。

16、可选地，所述激光线的激光光斑为圆形、矩形或者多边形中的至少一种。

17、可选地，所述激光线的多个激光光斑均匀分布。

18、可选地，所述激光线中相邻的所述激光光斑相互交叠。

19、可选地，所述激光线的宽度为80μm~100μm，所述副栅线的宽度为20μm～30μm。

20、第二方面，本申请提供一种太阳能电池，采用第一方面所述的太阳能电池制备方法制成。

21、第三方面，本申请提供一种光伏组件，包括本申请第二方面所述的太阳能电池。

22、与现有技术相比，本发明提供的太阳能电池及其制造方法、光伏组件，至少实现了如下的有益效果：

23、太阳能电池的制备过程中，通过在激光掺杂工序前增加确定激光掺杂图案的步骤，对待扫描的激光线进行设计，根据印刷网版的丝网形变量确定和调整激光线，使激光线符合通过变形后丝网所制备出的副栅线的形态趋势，可以降低副栅线与激光掺杂区之间的偏差程度，提高副栅线在硅基体表面的投影与激光线在硅基体表面的投影之间的重叠率，进而提升硅基体与金属电极之间的欧姆接触，提升太阳能电池产品的合格率。

24、当然，实施本发明的任一产品不必特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。

25、通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。

技术特征：

1.一种太阳能电池制备方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述激光线的宽度大于所述副栅线的宽度。

3.如权利要求1所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述栅线还包括沿着第二方向延伸的主栅线，所述第二方向垂直于所述第一方向和所述硅基体的厚度方向；

4.如权利要求3所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述第二子副栅对应激光线的激光扫描速度为20-30m/s，激光频率为500-1000khz，激光功率为50%-100%。

5.如权利要求1所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述激光线的激光光斑为圆形、矩形或者多边形中的至少一种。

6.如权利要求1所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述激光线的多个激光光斑均匀分布。

7.如权利要求1所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述激光线中相邻的所述激光光斑相互交叠。

8.如权利要求1所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述激光线的宽度为80μm~100μm，所述副栅线的宽度为20μm～30μm。

9.一种太阳能电池，其特征在于，采用如权利要求1至8任一项所述的太阳能电池制备方法制成。

10.一种光伏组件，其特征在于，包括如权利要求9所述的太阳能电池。

技术总结
本申请提供太阳能电池制备方法、太阳能电池及其光伏组件，涉及太阳能发电设备技术领域，该太阳能电池制备方法包括：在硅基体上进行制绒和硼扩散；确定激光掺杂图案；根据所述激光掺杂图案，对所述硅基体的表面进行激光掺杂；采用印刷网版印刷栅线。本申请通过在激光掺杂工序前增加确定激光掺杂图案的步骤，对待扫描的激光线进行设计，根据印刷网版的丝网形变量确定和调整激光线，使得激光线符合通过变形后丝网所制备出的副栅线的形态趋势，可以降低副栅线与激光掺杂区之间的偏差程度，提高副栅线在硅基体表面的投影与激光掺杂区在硅基体表面的投影之间的重叠率，进而提升硅基体与金属电极之间的欧姆接触，提高太阳能电池产品的合格率。

技术研发人员：冉超,苗劲飞,苗丽燕,曾庆云,邱彦凯,李威
受保护的技术使用者：晶科能源（海宁）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/17