基片处理装置和基片处理方法与流程

本发明涉及基片处理装置和基片处理方法。

背景技术：

1、以往，已知有使用将第一处理液与第二处理液混合而成的混合液来处理半导体晶片、玻璃基片等基片的基片处理装置。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2018-56293号公报

技术实现思路

1、发明要解决的技术问题

2、本发明提供能够在使用混合液的基片处理中抑制基片间的处理结果的不均的技术。

3、用于解决技术问题的技术方案

4、本发明的一个方式的基片处理装置具有基片处理部、第一路径、第二路径、第一开闭阀、第二开闭阀、温度检测部和控制部。基片处理部将第一处理液与第二处理液混合而生成混合液，将所生成的混合液供给到基片，由此对基片进行处理。第一路径向基片处理部供给第一处理液。第二路径向基片处理部供给第二处理液。第一开闭阀对第一路径进行开闭。第二开闭阀对第二路径进行开闭。温度检测部设置于第一路径和第二路径中的至少一个路径，检测至少一个路径中的处理液的温度。控制部在开始由基片处理部向基片供给混合液之前，判断使用温度检测部检测的处理液的温度是否处于容许范围内。控制部在处理液的温度处于容许范围内的情况下，打开第一开闭阀和第二开闭阀而开始向基片供给混合液。

5、发明效果

6、根据本发明，能够抑制基片间的处理结果的不均。

技术特征：

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：

4.如权利要求3所述的基片处理装置，其特征在于：

5.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：

6.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

7.如权利要求6所述的基片处理装置，其特征在于：

8.如权利要求7所述的基片处理装置，其特征在于：

9.一种基片处理方法，其特征在于：

技术总结
本发明提供抑制基片间的处理结果的不均的基片处理装置和基片处理方法。包括基片处理部、第一路径、第二路径、第一开闭阀、第二开闭阀、温度检测部和控制部。基片处理部将第一处理液与第二处理液混合而生成混合液，将混合液供给到基片，由此对基片进行处理。第一开闭阀开闭向基片处理部供给第一处理液的第一路径。第二开闭阀开闭向基片处理部供给第二处理液的第二路径。温度检测部设置于第一路径和第二路径中的至少一个路径，检测处理液的温度。控制部在开始向基片供给混合液之前，判断使用温度检测部检测的处理液的温度是否处于容许范围内。控制部在处理液的温度处于容许范围内的情况下，打开第一开闭阀和第二开闭阀而开始向基片供给混合液。

技术研发人员：丸本洋
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/8/21