载置台和基片处理装置的制作方法

本发明涉及载置台和基片处理装置。

背景技术：

1、基片处理装置中，在处理容器内具有载置基片的载置台。载置台的底面与配置于载置台的下部的部件之间设置有o形环，将处理容器内的真空空间密封而与载置台下的大气空间隔绝，来维持处理容器内的真空状态。

2、例如在专利文献1中公开了一种技术，其在处理容器内的载置台设置有静电吸附基片的静电吸盘，静电吸盘的底面与配置于静电吸盘的下部的基材之间设置有o形环。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开2018－107433号公报

技术实现思路

1、发明要解决的技术问题

2、本发明提供一种能够抑制密封部件的密封性能降低的技术。

3、用于解决技术问题的技术方案

4、依照本发明的一个方式，为具有基台的、能够载置基片的载置台。上述基台具有：供第1温度的热媒流动的第1流路；配置于上述第1流路的下部的第1隔热层；和配置于上述第1隔热层的下部的密封部件。

5、发明效果

6、依照本发明的一个方面，能够抑制密封部件的密封性能降低。

技术特征：

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

3.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：

4.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

5.如权利要求1～4中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

6.如权利要求5所述的基片处理装置，其特征在于：

7.如权利要求5或6所述的基片处理装置，其特征在于：

8.如权利要求5～7中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

9.如权利要求5～8中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

10.如权利要求5～8中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

11.如权利要求5～10中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

12.如权利要求1～11中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

13.如权利要求1～11中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

14.如权利要求1～13中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

15.如权利要求1～14中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

16.一种载置台，其特征在于：

17.如权利要求16所述的载置台，其特征在于：

18.如权利要求16或17所述的载置台，其特征在于：

19.如权利要求16～18中任一项所述的载置台，其特征在于：

20.如权利要求16～19中任一项所述的载置台，其特征在于：

21.如权利要求20所述的载置台，其特征在于：

22.如权利要求20或21所述的载置台，其特征在于：

23.如权利要求20～22中任一项所述的载置台，其特征在于：

24.如权利要求20～23中任一项所述的载置台，其特征在于：

25.如权利要求20～23中任一项所述的载置台，其特征在于：

26.如权利要求20～25中任一项所述的载置台，其特征在于：

27.如权利要求16～26中任一项所述的载置台，其特征在于：

28.如权利要求16～26中任一项所述的载置台，其特征在于：

29.如权利要求16～28中任一项所述的载置台，其特征在于：

30.如权利要求16～29中任一项所述的载置台，其特征在于：

技术总结
本发明提供载置台和基片处理装置。基片处理装置包括：处理容器；和配置在所述处理容器内的一体形成的基台，所述基台在其内部包括：供第1温度的热媒流动的第1流路；配置在所述第1流路的下部的第1隔热空间；和第2流路，其配置在所述第1隔热空间的下部，供第2温度的热媒流动。

技术研发人员：斋藤道茂,金子彰太
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/4/7