太阳能电池及其制备方法与流程

本申请涉及太阳能，特别是涉及一种太阳能电池及其制备方法。

背景技术：

1、n型topcon太阳能电池的制作工艺中，在完成电极浆料的印刷烧结，形成电极的步骤之后，还需进行一次光注入，通过光注入可以使得电池的能量效率明显提升，具体主要表现在开路电压（voc）及填充因子（ff）的提升。

2、但是，经烧结后形成的电极结构在微观上的呈山峰状，因此，实际上真正与硅片形成欧姆接触的只是整个电极结构中的部分结构，电极结构中的其他部分结构反而还起到了遮盖硅片表面的效果，这部分结构没有办法通过光注入实现钝化修复的效果。

技术实现思路

1、基于此，有必要提供一种有利于改善光注入钝化修复效果的太阳能电池及其制备方法。

2、本申请提供一种太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：

3、提供硅基底，所述硅基底包括相对设置的第一表面和第二表面；

4、在所述硅基底的第一表面形成第一镀膜层，制备形成有第一镀膜层的硅基底；

5、沿所述第一镀膜层至所述硅基底的第一表面的方向，对所述形成有第一镀膜层的硅基底进行第一光注入，制备第一次光注入后的硅基底；

6、在所述第一光注入后的硅基底的第一镀膜层远离所述硅基底一侧形成第一电极，制备形成有第一电极的硅基底；

7、沿所述第一电极至所述硅基底的第一表面的方向，对所述形成有第一电极的硅基底进行第二光注入，制备太阳能电池。

8、在其中一些实施例中，进行第一光注入的设备的功率为1000w~2000w。

9、在其中一些实施例中，第一光注入的温度为200℃~600℃。

10、在其中一些实施例中，第一光注入的时间为5s~60s。

11、在其中一些实施例中，进行第二光注入的设备的功率为1000w~2000w。

12、在其中一些实施例中，第二光注入的温度为400℃~800℃。

13、在其中一些实施例中，第二光注入的时间为10s~35s。

14、在其中一些实施例中，形成所述第一电极的步骤包括：

15、在所述第一光注入后的硅基底的第一镀膜层离所述硅基底一侧，对应所述第一电极的所在区域印刷第一电极浆料，并对所述第一电极浆料进行第一烧结。

16、在其中一些实施例中，进行第一烧结的设备的功率为1000w~3000w。

17、在其中一些实施例中，第一烧结的温度为400℃~1200℃。

18、在其中一些实施例中，第一烧结的时间为10s~300s。

19、在其中一些实施例中，还包括如下步骤：

20、在所述硅基底的第二表面形成第二镀膜层；

21、在所述第二镀膜层远离所述硅基底一侧形成第二电极。

22、在其中一些实施例中，在形成所述第二镀膜层之后，形成所述第二电极之前，还包括如下步骤：

23、沿所述第二镀膜层至所述硅基底的第二表面的方向，对形成有所述第二镀膜层的硅基底进行第三光注入。

24、在其中一些实施例中，进行第三光注入的设备的功率为1000w~2000w。

25、在其中一些实施例中，第三光注入的温度为200℃~600℃。

26、在其中一些实施例中，第三光注入的时间为5s~60s。

27、在其中一些实施例中，形成所述第二电极之后，还包括如下步骤：

28、沿所述第二电极至所述硅基底的第二表面的方向，对所述形成有第二电极的硅基底进行第四光注入。

29、在其中一些实施例中，进行第四光注入的设备的功率为1000w~2000w。

30、在其中一些实施例中，第四光注入的温度为400℃~800℃。

31、在其中一些实施例中，第四光注入的时间为10s~35s。

32、在其中一些实施例中，形成所述第二电极的步骤包括：

33、在所述第二镀膜层远离所述硅基底一侧，对应所述第二电极的所在区域印刷第二电极浆料，并对所述第二电极浆料进行第二烧结。

34、在其中一些实施例中，进行第二烧结的设备的功率为1000w~3000w。

35、在其中一些实施例中，第二烧结的温度为400℃~1200℃。

36、在其中一些实施例中，第二烧结的时间为10s~300s。

37、本申请还提供了一种太阳能电池，由上述任一实施例中所述的太阳能电池的制备方法制备得到。

38、本申请提供了一种太阳能电池的制备方法，在硅基底第一表面形成第一镀膜层之后，先进行第一光注入，然后再制作第一电极，在形成第一电极之后再进行第二光注入。通过两次光注入，可以更有效地进行钝化修复，使得太阳能电池的能量转换效率明显提升。

技术特征：

1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，第一光注入的条件满足以下条件中的至少一个条件：

3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，第二光注入的条件满足以下条件中的至少一个条件：

4.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，形成所述第一电极的步骤包括：

5.根据权利要求4所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，第一烧结的条件满足以下条件中的至少一个条件：

6.根据权利要求1~5任一项所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，还包括如下步骤：

7.根据权利要求6所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，在形成所述第二镀膜层之后，形成所述第二电极之前，还包括如下步骤：

8.根据权利要求7所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，第三光注入的条件满足以下条件中的至少一个条件：

9.根据权利要求6所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，形成所述第二电极之后，还包括如下步骤：

10.根据权利要求9所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，第四光注入的条件满足以下条件中的至少一个条件：

11.根据权利要求6所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，形成所述第二电极的步骤包括：

12.根据权利要求11所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，进行第二烧结的条件满足以下条件中的至少一个条件：

13.一种太阳能电池，其特征在于，由权利要求1~12任一项所述的太阳能电池的制备方法制备得到。

技术总结
本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法。一种太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：在硅基底表面镀覆膜层，制备镀膜后的电池半成品；对所述镀膜后的电池半成品进行第一光注入，制备第一光注入后的电池半成品；在所述第一光注入后的电池半成品的电极图案所在区域印刷电极浆料，并烧结，制备带有电极的电池半成品；对所述带有电极的电池半成品进行第二光注入，制备太阳能电池。本申请提供了一种太阳能电池的制备方法，在硅基底表面镀覆膜层之后，先进行第一光注入，然后印刷电极浆料制作电极，在形成电极之后再进行第二光注入。通过两次光注入，可以更有效地进行钝化修复，使得太阳能电池的能量转换效率明显提升。

技术研发人员：王天成,陈红,丁留伟,邹杨,陈文军,苏晓峰,汪宏迪
受保护的技术使用者：天合光能股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/5/19