双模谐振器及滤波器的制作方法

本申请涉及移动通信，特别是涉及一种双模谐振器及滤波器。

背景技术：

1、滤波器是一种选频器件，是通信设备不可或缺的一部分。提高滤波器抑制、降低插入损耗，同时兼顾产品尺寸，是滤波器设计必须考虑的问题。通常，在传统滤波器中，在频率通带内，一个谐振腔存在一个谐振频率，为了提升滤波器的抑制，需要增加多个谐振腔。然而，滤波器的尺寸将会随着滤波器的谐振腔的数量增加而增大。

技术实现思路

1、基于此，有必要克服现有技术的缺陷，提供一种双模谐振器及滤波器，它能够降低产品尺寸，同时能提升抑制，减小插损。

2、一种双模谐振器，所述双模谐振器包括：

3、谐振腔体及设于所述谐振腔体内的谐振片，所述谐振片包括连接枝节与三个分支，三个所述分支的一端分别与所述连接枝节相连，三个所述分支的另一端设为自由端，三个所述分支沿所述连接枝节的长度方向依次间隔布置，且均位于所述连接枝节的同一侧。

4、在其中一个实施例中，其中两个所述分支分别与所述连接枝节的相对两端相连，另一个所述分支与所述连接枝节的中部部位相连。

5、在其中一个实施例中，所述双模谐振器能形成至少两个谐振频率；其中，各个所述分支的长度l及宽度w能进行调整，以调整两个谐振频率的大小及两个所述谐振频率的相对带宽；和/或，任意相邻两个所述分支的间距s能进行调整，以调整两个谐振频率的大小及两个所述谐振频率的相对带宽。

6、在其中一个实施例中，所述连接枝节及各个所述分支的形状各自独立设置，并包括直线条状或弯曲线条状。

7、在其中一个实施例中，三个所述分支包括两个第一分支及位于两个所述第一分支之间的第二分支；各个所述第一分支的自由端均设有朝向所述第二分支弯曲的第一弯曲部。

8、在其中一个实施例中，三个所述分支包括两个第一分支及位于两个所述第一分支之间的第二分支；所述第二分支包括与所述连接枝节相连的主体段及与所述主体段相连的第二弯曲部，所述主体段设为直线段或弯曲段。

9、在其中一个实施例中，所述谐振片为金属片材、金属膜材、金属板材或金属涂层。

10、在其中一个实施例中，所述谐振片为钣金一体成型、压铸一体成型、铣切一体成型、3d打印成型或焊接连接在一起的金属片；或者，所述谐振片为pcb谐振板，所述连接枝节及三个所述分支为设于所述pcb谐振板的线路层；或者，所述谐振片为采用低温共烧陶瓷工艺形成的结构件。

11、在其中一个实施例中，所述谐振腔体包括金属腔体；所述谐振片设置于所述金属腔体的内部，并与所述金属腔体的内壁形成有绝缘间隔。

12、在其中一个实施例中，所述双模谐振器还包括至少一个绝缘支撑件，所述谐振片与所述绝缘支撑件相连。

13、在其中一个实施例中，所述绝缘支撑件包括绝缘支撑柱与绝缘固定套，所述绝缘支撑柱的端部上设有插入部，所述双模谐振器上设有与所述插入部对应的定位孔，所述插入部穿过所述定位孔并插入到所述绝缘固定套中，所述绝缘支撑柱及所述绝缘固定套远离于彼此的端部均与所述金属腔体的内壁抵接。

14、在其中一个实施例中，所述支撑件设置为陶瓷介质，所述谐振片采用低温共烧陶瓷工艺形成于所述陶瓷介质件上。

15、在其中一个实施例中，所述谐振片为pcb谐振板，所述连接枝节及三个所述分支为设于所述pcb谐振板的线路层；所述pcb谐振板采用至少一个紧固件固定于所述金属腔体的内部。

16、在其中一个实施例中，所述谐振片为pcb谐振板，所述连接枝节及三个所述分支为设于所述pcb谐振板的线路层；所述pcb谐振板的顶面设置第一金属屏蔽层，所述pcb谐振板的底面设置第二金属屏蔽层，所述pcb谐振板的四周侧壁设置第三金属屏蔽层，或者，所述pcb谐振板的四周边缘设置有多个金属化过孔，所述金属化过孔贯穿所述pcb谐振板底面与顶面，并绕所述pcb谐振板的四周边缘间隔布置；所述第一金属屏蔽层、所述第二金属屏蔽层与所述第三金属屏蔽层配合形成所述谐振腔体，或者，所述第一金属屏蔽层、所述第二金属屏蔽层与所述金属化过孔配合形成谐振腔体。

17、在其中一个实施例中，所述pcb谐振板设置为至少两个，各个所述pcb谐振板依次层叠设置。

18、在其中一个实施例中，所述pcb谐振板上还设有位于所述分支的任一侧并沿所述分支的边缘间隔设置的多个金属调试块，和/或位于所述连接枝节的任一侧并沿所述连接枝节的边缘间隔设置的多个金属调试块；各个所述金属调试块电连接在一起。

19、一种滤波器，所述滤波器包括所述的双模谐振器。

20、上述的双模谐振器及滤波器，谐振片集成于单个谐振腔体的内部组合成滤波器，经过仿真试验数据可知，能产生两个可利用的谐振频率，也即位于滤波器的通带内。其中一个可利用的谐振频率的电磁场主要集中在第一个分支与第三个分支处，另一个可利用的谐振频率的电磁场主要集中在第二个分支处。相比于相关技术中需要通过增加谐振腔体的数量来拓宽谐振频率的方式，由于无需设置更多数量谐振腔体，设置一个谐振腔体即可，这样产品尺寸得以减小，从而能节省物料及简化产品结构，使得成本降低，生产效率大大提高。另外，同时能提升抑制，减小插损，起到改善电气性能的作用。

技术特征：

1.一种双模谐振器，其特征在于，所述双模谐振器包括：

2.根据权利要求1所述的双模谐振器，其特征在于，其中两个所述分支分别与所述连接枝节的相对两端相连，另一个所述分支与所述连接枝节的中部部位相连。

3.根据权利要求1所述的双模谐振器，其特征在于，所述双模谐振器能形成至少两个谐振频率；其中，各个所述分支的长度l及宽度w能进行调整，以调整两个谐振频率的大小及两个所述谐振频率的相对带宽；和/或，任意相邻两个所述分支的间距s能进行调整，以调整两个谐振频率的大小及两个所述谐振频率的相对带宽。

4.根据权利要求1所述的双模谐振器，其特征在于，所述连接枝节及各个所述分支的形状各自独立设置，并包括直线条状或弯曲线条状。

5.根据权利要求4所述的双模谐振器，其特征在于，三个所述分支包括两个第一分支及位于两个所述第一分支之间的第二分支；各个所述第一分支的自由端均设有朝向所述第二分支弯曲的第一弯曲部。

6.根据权利要求4所述的双模谐振器，其特征在于，三个所述分支包括两个第一分支及位于两个所述第一分支之间的第二分支；所述第二分支包括与所述连接枝节相连的主体段及与所述主体段相连的第二弯曲部，所述主体段设为直线段或弯曲段。

7.根据权利要求1所述的双模谐振器，其特征在于，所述谐振片为金属片材、金属膜材、金属板材或金属涂层。

8.根据权利要求7所述的双模谐振器，其特征在于，所述谐振片为钣金一体成型、压铸一体成型、铣切一体成型、3d打印成型或焊接连接在一起的金属片；或者，所述谐振片为pcb谐振板，所述连接枝节及三个所述分支为设于所述pcb谐振板的线路层；或者，所述谐振片为采用低温共烧陶瓷工艺形成的结构件。

9.根据权利要求1所述的双模谐振器，其特征在于，所述谐振腔体包括金属腔体；所述谐振片设置于所述金属腔体的内部，并与所述金属腔体的内壁形成有绝缘间隔。

10.根据权利要求9所述的双模谐振器，其特征在于，所述双模谐振器还包括至少一个绝缘支撑件，所述谐振片与所述绝缘支撑件相连。

11.根据权利要求10所述的双模谐振器，其特征在于，所述绝缘支撑件包括绝缘支撑柱与绝缘固定套，所述绝缘支撑柱的端部上设有插入部，所述双模谐振器上设有与所述插入部对应的定位孔，所述插入部穿过所述定位孔并插入到所述绝缘固定套中，所述绝缘支撑柱及所述绝缘固定套远离于彼此的端部均与所述金属腔体的内壁抵接。

12.根据权利要求11所述的双模谐振器，其特征在于，所述支撑件设置为陶瓷介质，所述谐振片采用低温共烧陶瓷工艺形成于所述陶瓷介质件上。

13.根据权利要求9所述的双模谐振器，其特征在于，所述谐振片为pcb谐振板，所述连接枝节及三个所述分支为设于所述pcb谐振板的线路层；所述pcb谐振板采用至少一个紧固件固定于所述金属腔体的内部。

14.根据权利要求9所述的双模谐振器，其特征在于，所述谐振片为pcb谐振板，所述连接枝节及三个所述分支为设于所述pcb谐振板的线路层；所述pcb谐振板的顶面设置第一金属屏蔽层，所述pcb谐振板的底面设置第二金属屏蔽层，所述pcb谐振板的四周侧壁设置第三金属屏蔽层，或者，所述pcb谐振板的四周边缘设置有多个金属化过孔，所述金属化过孔贯穿所述pcb谐振板底面与顶面，并绕所述pcb谐振板的四周边缘间隔布置；所述第一金属屏蔽层、所述第二金属屏蔽层与所述第三金属屏蔽层配合形成所述谐振腔体，或者，所述第一金属屏蔽层、所述第二金属屏蔽层与所述金属化过孔配合形成谐振腔体。

15.根据权利要求14所述的双模谐振器，其特征在于，所述pcb谐振板设置为至少两个，各个所述pcb谐振板依次层叠设置。

16.根据权利要求13至15任一项所述的双模谐振器，其特征在于，所述pcb谐振板上还设有位于所述分支的任一侧并沿所述分支的边缘间隔设置的多个金属调试块，和/或位于所述连接枝节的任一侧并沿所述连接枝节的边缘间隔设置的多个金属调试块；各个所述金属调试块电连接在一起。

17.一种滤波器，其特征在于，所述滤波器包括如权利要求1至16任一项所述的双模谐振器。

技术总结
本申请涉及一种双模谐振器及滤波器，双模谐振器包括谐振腔体及设于谐振腔体内的谐振片。谐振片包括连接枝节与三个分支，三个分支的一端分别与连接枝节相连，三个分支的另一端设为自由端，三个分支沿连接枝节的长度方向依次间隔布置，且均位于连接枝节的同一侧。上述的双模谐振器，能产生两个可利用的谐振频率，也即位于滤波器的通带内。其中一个可利用的谐振频率的电磁场主要集中在第一个分支与第三个分支处，另一个可利用的谐振频率的电磁场主要集中在第二个分支处。相比于相关技术中需要通过增加谐振腔体的数量来拓宽谐振频率的方式，能使得滤波器的产品体积尺寸缩小达到50%，同时能提升抑制，降低插损，大大提升了电性能。

技术研发人员：谢懿非
受保护的技术使用者：京信射频技术（广州）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/6/2