本申请属于太阳能电池,尤其涉及一种背接触太阳能电池和光伏组件。
背景技术:
1、太阳能电池是把光能转化成电能的装置,作为一种可持续的清洁能源来源,具有巨大的发展前景。区别于传统双面电极接触的太阳能电池,背接触电池把金属电极设于电池的背光面,电池的受光面无任何遮挡,光利用率高,具有更高的短路电流和转换效率。
2、然而,背接触电池的正负极均设在背面,两种极性的电极结构交错分布,容易出现正负极接触的短路现象,使得电池失效。
技术实现思路
1、本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本申请提出一种背接触太阳能电池和光伏组件,可以避免不同极性电极接触短路的情况发生,防止电池失效。
2、第一方面,本申请提供了一种背接触太阳能电池,包括:
3、基板;
4、导电层,所述导电层设于所述基板的一面,多个所述导电层沿第一方向排列,相邻所述导电层导电极性相反且电绝缘设置;
5、电极结构,所述电极结构设于所述导电层上远离所述基板的一面,所述电极结构包括栅极和与所述栅极相交且电连接的栅线,导电极性相反的所述栅极沿与所述第一方向相交的第二方向间隔排列,导电极性相反的所述栅线沿所述第一方向间隔排列,所述栅线位于导电极性相同的所述导电层上;
6、其中,导电极性相反的所述栅极和所述栅线具有相交处,所述相交处的所述栅线断开以与所述栅极在所述第二方向上间隔开,断开的所述栅线通过导电极性相同的所述导电层电连接,所述相交处的所述栅极与所述导电层之间设有绝缘层。
7、根据本申请的背接触太阳能电池,通过在导电极性相反的栅极和栅线的相交处,将栅线断开并设置绝缘层,使得栅线与栅极间隔开,断开栅线通过导电层电连接,可以避免不同极性电极接触短路的情况发生,防止电池失效,同时还可以减少电极制备的原料消耗,降低电池制造成本。
8、根据本申请的一个实施例,在所述相交处,所述绝缘层在所述第二方向上的宽度大于或等于所述栅极在所述第二方向上的宽度。
9、根据本申请的一个实施例,在所述相交处,所述栅线断开的距离大于所述栅极在所述第二方向上的宽度。
10、根据本申请的一个实施例,在所述相交处,所述绝缘层在所述第二方向上的宽度大于或等于所述栅线断开的距离。
11、根据本申请的一个实施例,所述导电层的方阻为20 ohm/sq -1000 ohm/sq。
12、根据本申请的一个实施例,所述相交处还设有靠近所述导电层的连接层,所述连接层的方阻小于所述导电层的方阻,断开的所述栅线通过所述连接层形成导电通道,所述绝缘层将所述连接层和所述栅极间隔开。
13、根据本申请的一个实施例,所述绝缘层在所述基板上的投影区域大于或等于所述连接层在所述基板上的投影区域。
14、根据本申请的一个实施例,在所述相交处,所述连接层在所述第二方向上的宽度大于或等于所述栅线断开的距离。
15、根据本申请的一个实施例,所述背接触太阳能电池沿所述第二方向相对的两侧的所述相交处设有所述连接层和所述导电层。
16、根据本申请的一个实施例,所述背接触太阳能电池沿所述第二方向中间部分的所述相交处设有所述导电层,或者,设有所述连接层和所述导电层。
17、根据本申请的一个实施例,所述连接层包括导电金属。
18、根据本申请的一个实施例,所述导电金属为银和/或铜。
19、根据本申请的一个实施例,所述导电金属的尺寸为纳米级、亚微米级和微米级中的至少一个。
20、根据本申请的一个实施例,所述连接层的方阻为0.001 ohm/sq-10 ohm/sq。
21、根据本申请的一个实施例,所述连接层在所述基板上的投影形状为矩形、圆形、椭圆形或异形。
22、根据本申请的一个实施例,所述基板包括沿远离所述导电层的方向依次设置的掺杂半导体层、钝化层和半导体衬底。
23、第二方面,本申请提供了一种光伏组件,包括:
24、如上述第一方面所述的背接触太阳能电池。
25、根据本申请的光伏组件,光伏组件的背接触太阳能电池通过在导电极性相反的栅极和栅线的相交处,将栅线断开并设置绝缘层,使得栅线与栅极间隔开,断开栅线通过导电层电连接,可以避免不同极性电极接触短路的情况发生,防止电池失效,同时还可以减少电极制备的原料消耗,降低电池制造成本。
26、本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本申请的实践了解到。
1.一种背接触太阳能电池,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池,其特征在于,在所述相交处,所述绝缘层在所述第二方向上的宽度大于或等于所述栅极在所述第二方向上的宽度。
3.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池,其特征在于,在所述相交处,所述栅线断开的距离大于所述栅极在所述第二方向上的宽度。
4.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池,其特征在于,在所述相交处,所述绝缘层在所述第二方向上的宽度大于或等于所述栅线断开的距离。
5.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池,其特征在于,所述导电层的方阻为20ohm/sq -1000 ohm/sq。
6.根据权利要求1-5任一项所述的背接触太阳能电池,其特征在于,所述相交处还设有靠近所述导电层的连接层,所述连接层的方阻小于所述导电层的方阻,断开的所述栅线通过所述连接层形成导电通道,所述绝缘层将所述连接层和所述栅极间隔开。
7.根据权利要求6所述的背接触太阳能电池,其特征在于,所述绝缘层在所述基板上的投影区域大于或等于所述连接层在所述基板上的投影区域。
8.根据权利要求6所述的背接触太阳能电池,其特征在于,在所述相交处,所述连接层在所述第二方向上的宽度大于或等于所述栅线断开的距离。
9.根据权利要求6所述的背接触太阳能电池,其特征在于,所述背接触太阳能电池沿所述第二方向相对的两侧的所述相交处设有所述连接层和所述导电层。
10.根据权利要求6所述的背接触太阳能电池,其特征在于,所述背接触太阳能电池沿所述第二方向中间部分的所述相交处设有所述导电层,或者,设有所述连接层和所述导电层。
11.根据权利要求6所述的背接触太阳能电池,其特征在于,所述连接层包括导电金属。
12.根据权利要求11所述的背接触太阳能电池,其特征在于,所述导电金属为银和/或铜。
13.根据权利要求11所述的背接触太阳能电池,其特征在于,所述导电金属的尺寸为纳米级、亚微米级和微米级中的至少一个。
14.根据权利要求6所述的背接触太阳能电池,其特征在于,所述连接层的方阻为0.001ohm/sq-10 ohm/sq。
15.根据权利要求6所述的背接触太阳能电池,其特征在于,所述连接层在所述基板上的投影形状为矩形、圆形、椭圆形或异形。
16.根据权利要求1-5任一项所述的背接触太阳能电池,其特征在于,所述基板包括沿远离所述导电层的方向依次设置的掺杂半导体层、钝化层和半导体衬底。
17.一种光伏组件,其特征在于,包括: