一种显示面板和显示装置的制作方法

文档序号:38277744发布日期:2024-06-12 23:26阅读:5来源:国知局
一种显示面板和显示装置的制作方法

本发明实施例涉及显示,尤其涉及一种显示面板和显示装置。


背景技术:

1、随着显示技术的不断发展,显示面板已广泛应用于人们的生产和生活中。为了更好的满足人们的需求,提高显示面板的像素密度(pixels per inch,ppi)为重要的任务,以此可以保证显示面板的更好视觉体验。


技术实现思路

1、本发明实施例提供了一种显示面板和显示装置,通过设置凸台,并且有源层覆盖侧面和至少部分第一面,栅极覆盖至少部分侧面,从而有效提升显示面板的像素密度,保证显示面板的显示效果。

2、第一方面,本发明实施例提供一种显示面板,包括衬底以及位于所述衬底一侧的像素电路,所述像素电路包括晶体管,所述晶体管包括有源层、栅极和源漏电极;

3、所述显示面板还包括凸台,所述凸台包括第一面、第二面以及连接所述第一面和所述第二面的侧面,所述第一面位于所述第二面远离所述衬底的一侧,所述侧面所在平面与所述衬底所在平面相交;

4、所述有源层覆盖所述侧面和至少部分所述第一面,所述栅极覆盖至少部分所述侧面,所述源漏电极与所述有源层电连接。

5、第二方面,本发明实施例提供一种显示装置,包括第一方面所述的显示面板。

6、本发明实施例提供一种显示面板,显示面板包括凸台,并且凸台包括第一面、第二面和侧面,侧面为连接第一面和第二面的面;显示面板还包括衬底以及位于衬底一侧的像素电路,像素电路包括晶体管,晶体管包括有源层、栅极和源漏电极;其中有源层覆盖侧面和至少部分第一面,栅极覆盖至少部分侧面,源漏电极与有源层电连接;通过设置的凸台,并且将有源层覆盖侧面和至少部分第一面,将栅极覆盖至少部分侧面,可以在保证晶体管中有源层和栅极相对面积的情况下,有效减少晶体管沿显示面板的厚度方向的占用面积,从而有效提升显示面板的像素密度。较高的像素密度能够带来显示面板更好的视觉体验,保证显示面板的显示效果。



技术特征:

1.一种显示面板,其特征在于,包括衬底以及位于所述衬底一侧的像素电路,所述像素电路包括晶体管,所述晶体管包括有源层、栅极和源漏电极;

2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述源漏电极包括第一源漏分部和第二源漏分部,所述显示面板还包括数据信号线和发光元件,所述第一源漏分部与所述数据信号线电连接,所述第二源漏分部与所述发光元件电连接;

3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括调节接触分部,所述接触调节分部与所述有源层接触且覆盖至少部分所述第一面,所述接触调节分部与所述栅极同层且绝缘设置。

4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,沿所述显示面板的厚度方向,所述第二面覆盖所述第一面。

5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,沿所述显示面板的厚度方向,所述第一面的中心与所述第二面的中心重合。

6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括发光元件,所述发光元件包括第一发光元件和第二发光元件;

7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述第一凸台的高度与所述第二凸台的高度存在差异;

8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括发光元件,所述发光元件包括第三发光元件和第四发光元件;

9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述第三发光元件和所述第四发光元件的发光颜色不同,所述第三晶体管的栅极覆盖所述凸台侧面的面积与所述第四晶体管的栅极覆盖所述凸台侧面的面积存在差异。

10.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述栅极位于所述有源层靠近所述凸台的一侧,和/或,所述栅极位于所述有源层远离所述凸台的一侧。

11.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述凸台包括有机材料。

12.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述有源层包括氧化物半导体材料。

13.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-12任一项所述的显示面板。


技术总结
本发明实施例提供一种显示面板和显示装置,该显示面板包括衬底以及位于衬底一侧的像素电路,像素电路包括晶体管,晶体管包括有源层、栅极和源漏电极;显示面板还包括凸台,凸台包括第一面、第二面以及连接第一面和第二面的侧面,第一面位于第二面远离衬底的一侧,侧面所在平面与衬底所在平面相交;有源层覆盖侧面和至少部分第一面,栅极覆盖至少部分侧面,源漏电极与有源层电连接。通过设置凸台,并且有源层覆盖侧面和至少部分第一面,栅极覆盖至少部分侧面,可以在保证晶体管中有源层和栅极相对面积的情况下,有效减少晶体管沿显示面板的厚度方向的占用面积,从而有效提升显示面板的像素密度,保证显示面板的显示效果。

技术研发人员:田盼
受保护的技术使用者:武汉天马微电子有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/6/11
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