显示装置和制造显示装置的方法与流程

本公开涉及显示装置和制造显示装置的方法。

背景技术：

1、随着信息社会发展，对用于显示图像的显示装置的需求以各种形式增加。显示装置可以是诸如液晶显示器、场发射显示器和发光显示器的平板显示器。发光显示器可以包括有机发光显示器或无机发光显示器，有机发光显示器包括有机发光二极管元件作为发光元件，无机发光显示器包括无机半导体元件作为发光元件。

2、近来，已经开发了包括发光显示器的头戴式显示器。头戴式显示器是以眼镜或头盔的形式佩戴并且在用户的眼睛前方的短距离处形成焦点的虚拟现实(vr)或增强现实(ar)眼镜型监视器装置。

3、包括超小型发光二极管元件的高分辨率超小型发光二极管显示面板应用于头戴式显示器。因为超小型发光二极管元件发射单色的光，所以超小型发光二极管显示面板可以包括转换从超小型发光二极管元件发射的光的波长以显示各种颜色的颜色转换层。

技术实现思路

1、本公开的方面提供了一种能够通过使用公共电极而不使用单独的反射层来降低或防止从相邻的发光元件发射的光混合的可能性的显示装置以及制造显示装置的方法。

2、然而，本公开的方面不限于在此阐述的方面。通过参考下面给出的本公开的详细描述，本公开的上述和其他方面对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加明显。

3、根据本公开的一方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：基底，包括显示区域和非显示区域；像素电极，在所述基底上方；发光元件，在所述像素电极上方，并且在所述基底的厚度方向上延伸；颜色转换层，在所述发光元件上方，并且包括用于将来自所述发光元件的第一光转换为第二光或第三光的波长转换颗粒；以及公共电极，在所述发光元件上，并且围绕所述颜色转换层的侧表面和所述发光元件的侧表面。

4、所述公共电极可以包括反射材料。

5、所述颜色转换层可以由第三半导体层形成，所述第三半导体层包括容纳所述波长转换颗粒的孔。

6、所述发光元件可以顺序地包括第一半导体层、有源层和第二半导体层。

7、所述显示装置还可以包括第一绝缘层，所述第一绝缘层围绕所述第一半导体层的侧表面和所述有源层的侧表面。

8、所述公共电极可以包括：第一公共电极，在所述第一绝缘层上以围绕所述第一半导体层的所述侧表面和所述有源层的所述侧表面，直接接触所述第二半导体层，并且覆盖所述显示区域的非发光区域；以及第二公共电极，围绕所述颜色转换层的所述侧表面，并且覆盖所述显示区域的所述非发光区域，其中，所述非发光区域是所述显示区域中除了与所述发光元件对应的发光区域之外的部分。

9、所述第二公共电极可以在所述非发光区域中在所述第一公共电极上，并且可以在所述非发光区域中接触所述第一公共电极。

10、所述第一公共电极可以覆盖所述发光元件的下表面的一部分。

11、所述显示装置还可以包括连接电极，所述连接电极在所述发光元件的所述下表面下方并且与所述第一公共电极电绝缘。

12、所述第一公共电极可以与所述连接电极间隔开。

13、所述第一公共电极可以与所述连接电极间隔开，其中，第二绝缘层填充在所述第一公共电极与所述连接电极之间的空间。

14、所述第一公共电极可以接触所述连接电极，其中，氧化物层在所述第一公共电极与所述连接电极的接触区域中。

15、所述显示装置还可以包括公共连接电极，所述公共连接电极在所述非显示区域中并且接触所述公共电极。

16、根据本公开的另一方面，一种显示装置包括：基底，包括像素电路；第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件，在所述基底上方，并且第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件各自包括第一半导体层、有源层、第二半导体层和第三半导体层；第一绝缘层，围绕所述第一发光元件、所述第二发光元件和所述第三发光元件中的每一者的所述第一半导体层和所述有源层；以及公共电极，连续地在所述第一发光元件、所述第二发光元件和所述第三发光元件上方，包括反射材料，并且在所述第一绝缘层上以围绕所述第一发光元件、所述第二发光元件和所述第三发光元件中的每一者的所述第一半导体层、所述有源层、所述第二半导体层和所述第三半导体层。

17、所述第三半导体层可以包括容纳波长转换颗粒的孔。

18、所述第一发光元件、所述第二发光元件和所述第三发光元件可以被配置为发射第一光，其中，所述第二发光元件的所述第三半导体层在所述孔中容纳用于将所述第一光转换为第二光的第一波长转换颗粒，并且其中，所述第三发光元件的所述第三半导体层在所述孔中容纳用于将所述第一光转换成第三光的第二波长转换颗粒。

19、所述显示装置还可以包括在所述第一发光元件上方用于透射所述第一光的滤色器、在所述第二发光元件上方用于透射所述第二光的滤色器和在所述第三发光元件上方用于透射所述第三光的滤色器。

20、所述公共电极可以包括第一公共电极和第二公共电极，其中，所述第一公共电极包括：第一部分，在所述第一绝缘层上以围绕所述第一半导体层的侧表面和所述有源层的侧表面，并且直接接触所述第二半导体层；以及第二部分，覆盖所述第一发光元件、所述第二发光元件和所述第三发光元件之间的空间，并且其中，所述第二公共电极包括：第三部分，围绕所述第三半导体层的侧表面；以及第四部分，覆盖所述第一发光元件、所述第二发光元件和所述第三发光元件之间的所述空间，并且在所述第三部分上以接触所述第三部分。

21、根据本公开的另一方面，提供了一种制造显示装置的方法，所述方法包括：在基底上方顺序地形成第三半导体层、第二半导体层、有源层和第一半导体层；通过蚀刻所述第二半导体层、所述有源层和所述第一半导体层来形成多个发光元件；形成围绕所述第一半导体层的侧表面和所述有源层的侧表面的绝缘层；在所述基底上方形成第一公共电极，所述第一公共电极覆盖所述绝缘层和所述第二半导体层，并且在所述多个发光元件中的每一个的表面上限定开口；通过向所述第三半导体层施加电场、蚀刻所述第三半导体层以与所述多个发光元件中的每一个对应以及注入波长转换颗粒来形成限定孔的颜色转换层；以及形成覆盖所述颜色转换层的侧表面并接触所述第一公共电极的第二公共电极。

22、所述形成所述颜色转换层可以包括蚀刻所述第三半导体层，使得所述第三半导体层的上表面与所述第二半导体层的与所述第三半导体层接触的上表面对准。

23、所述形成所述绝缘层可以包括：在所述多个发光元件之间形成牺牲层，以覆盖所述第三半导体层的上表面和所述第二半导体层的侧表面；形成所述绝缘层以覆盖所述第一半导体层的上表面和所述侧表面、所述有源层的侧表面和所述牺牲层的上表面；各向异性地蚀刻所述绝缘层以覆盖所述第一半导体层的所述上表面和所述侧表面以及所述有源层的所述侧表面；以及去除所述牺牲层。

24、所述形成所述第一公共电极可以包括：在所述绝缘层上形成公共电极层；通过去除所述绝缘层和所述公共电极层的在所述第一半导体层的上表面上的部分来形成开口；以及在所述开口中形成连接电极。

技术特征：

1.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述公共电极包括反射材料。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述颜色转换层由第三半导体层形成，所述第三半导体层包括容纳所述波长转换颗粒的孔。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述发光元件顺序地包括第一半导体层、有源层和第二半导体层。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括第一绝缘层，所述第一绝缘层围绕所述第一半导体层的侧表面和所述有源层的侧表面。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述公共电极包括：

7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第二公共电极在所述非发光区域中在所述第一公共电极上，并且在所述非发光区域中接触所述第一公共电极。

8.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第一公共电极覆盖所述发光元件的下表面的一部分。

9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括连接电极，所述连接电极在所述发光元件的所述下表面下方并且与所述第一公共电极电绝缘。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述第一公共电极与所述连接电极间隔开。

11.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述第一公共电极与所述连接电极间隔开，并且

12.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述第一公共电极接触所述连接电极，并且

13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括公共连接电极，所述公共连接电极在所述非显示区域中并且接触所述公共电极。

14.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：

15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述第三半导体层包括容纳波长转换颗粒的孔。

16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述第一发光元件、所述第二发光元件和所述第三发光元件被配置为发射第一光，

17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括在所述第一发光元件上方用于透射所述第一光的滤色器、在所述第二发光元件上方用于透射所述第二光的滤色器和在所述第三发光元件上方用于透射所述第三光的滤色器。

18.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述公共电极包括第一公共电极和第二公共电极，

19.一种制造显示装置的方法，其中，所述方法包括：

20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述形成所述颜色转换层包括蚀刻所述第三半导体层，使得所述第三半导体层的上表面与所述第二半导体层的与所述第三半导体层接触的上表面对准。

21.根据权利要求19所述的方法，其中，所述形成所述绝缘层包括：

22.根据权利要求19所述的方法，其中，所述形成所述第一公共电极包括：

技术总结
本公开涉及显示装置和制造显示装置的方法。显示装置包括：基底，包括显示区域和非显示区域；像素电极，位于基底上；发光元件，位于像素电极上，并且在基底的厚度方向上延伸；颜色转换层，位于发光元件上，并且包括将从发光元件发射的第一光转换为第二光或第三光的波长转换颗粒；以及公共电极，位于发光元件上，并且围绕颜色转换层的侧表面和发光元件的侧表面。

技术研发人员：全亨一,宋大镐,崔镇宇
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/9/23