太阳能电池、光伏组件和光伏系统的制作方法

文档序号:38439357发布日期:2024-06-24 14:27阅读:25来源:国知局
太阳能电池、光伏组件和光伏系统的制作方法

本申请涉及光伏,具体地,涉及太阳能电池、光伏组件和光伏系统。


背景技术:

1、异质结电池结合了晶体硅电池和硅基薄膜电池的特征,具有制造流程短、工艺温度低、转换效率高、无光致衰减、无光致热衰减问题、适合薄片化、弱光响应好等诸多优点,受到了光伏领域研究和企业的持续关注。但是,目前的太阳能电池在实际生产和应用过程中仍然存在着诸多的不足,有待进一步提高。


技术实现思路

1、在本申请的第一方面,本申请提出了一种太阳能电池,包括:硅基底,第一透明导电薄膜,所述第一透明导电薄膜位于所述硅基底的一侧;第二透明导电薄膜,所述第二透明导电薄膜位于所述硅基底远离所述第一透明导电薄膜的一侧,所述第二透明导电薄膜与所述第一透明导电薄膜的化学组成相同,其中,在第一方向上,所述第一透明导电薄膜的厚度为d1,所述第二透明导电薄膜的厚度为d2,|d2-d1|/d1≤3%。由此,该太阳能电池具有制备成本较低、光电转换效率较高的优势。

2、在一些实施例中,d1和d2分别独立地为50nm-100nm。由此,第一透明导电薄膜具有较优高的透过率,第二透明导电薄膜具有较优的导电性。

3、在一些实施例中,d2≤d1。由此,可以进一步提高太阳能电池的光电转换效率。

4、在一些实施例中,还包括:第一电极层,所述第一电极层包括多个间隔排布的第一子电极,所述第一电极位于所述第一透明导电薄膜远离所述硅基底的一侧;第二电极层,所述第二电极层包括多个间隔排布的第二子电极,所述第二电极层位于所述第二透明导电薄膜远离所述硅基底的一侧;其中,在第二方向上,所述第一子电极的宽度大于所述第二子电极的宽度。由此,可以改善电池背光面的导电性。

5、在一些实施例中,在第二方向上,所述第一子电极的宽度与所述第二子电极的宽度的差值为5μm-20μm。由此,可以进一步改善电池背光面的导电性。

6、在一些实施例中,所述第一子电极的数量大于所述第二子电极的数量。由此,可以进一步改善电池背光面的导电性。

7、在一些实施例中,所述第一子电极的数量为n1,所述第二子电极的数量为n2,n1/n2为1.1-2。由此,可以进一步改善电池背光面的导电性。

8、在一些实施例中,所述硅基底包括单晶硅片,所述单晶硅片具有朝向所述第一透明导电薄膜的第一表面,以及朝向所述第二透明导电薄膜的第二表面,所述第一表面为制绒表面和/或抛光表面,所述第二表面为制绒表面。由此,可以提高太阳能电池的光电转换效率。

9、在本申请的第二方面,本申请提出了一种光伏组件,包括至少一个电池串,所述电池串包括至少两个前述的太阳能电池。

10、在本申请的第三方面,本申请提出了一种光伏系统,包括前述的光伏组件。



技术特征:

1.一种太阳能电池,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,d1和d2分别独立地为50nm-100nm。

3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池,其特征在于,d2≤d1。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,还包括:

5.根据权利要求4所述的太阳能电池,其特征在于,在第二方向上,所述第一子电极的宽度与所述第二子电极的宽度的差值为5μm-20μm。

6.根据权利要求4或5所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一子电极的数量大于所述第二子电极的数量。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一子电极的数量为n1,所述第二子电极的数量为n2,n1/n2为1.1-2。

8.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述硅基底包括单晶硅片,所述单晶硅片具有朝向所述第一透明导电薄膜的第一表面,以及朝向所述第二透明导电薄膜的第二表面,所述第一表面为制绒表面和/或抛光表面,所述第二表面为制绒表面。

9.一种光伏组件,其特征在于,包括至少一个电池串,所述电池串包括至少两个权利要求1-8中任一项所述的太阳能电池。

10.一种光伏系统,其特征在于,包括权利要求9所述的光伏组件。


技术总结
本申请公开了太阳能电池、光伏组件和光伏系统,太阳能电池包括:硅基底,第一透明导电薄膜,所述第一透明导电薄膜位于所述硅基底的一侧;第二透明导电薄膜,所述第二透明导电薄膜位于所述硅基底远离所述第一透明导电薄膜的一侧,所述第二透明导电薄膜与所述第一透明导电薄膜的化学组成相同,其中,在第一方向上,所述第一透明导电薄膜的厚度为d<subgt;1</subgt;,所述第二透明导电薄膜的厚度为d<subgt;2</subgt;,|d<subgt;2</subgt;‑d<subgt;1</subgt;|/d<subgt;1</subgt;≤3%。由此,该太阳能电池具有制备成本较低、光电转换效率较高的优势。

技术研发人员:李宏伟,段誉,杨广涛,陈达明
受保护的技术使用者:天合光能股份有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/6/23
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