RF系统的制作方法

本公开的示例性实施例涉及等离子体处理方法和等离子体处理装置。

背景技术：

1、在电子器件的制造中，使用等离子体处理装置来进行等离子体处理。等离子体处理装置包括腔室和基片支承台。基片支承台包括下部电极并且被设置在腔室内。在等离子体处理中，供给高频功率以激发腔室内的气体，以从该气体产生等离子体。

2、在等离子体处理期间，可以将另一高频功率供给到下部电极。另一高频功率的频率低于用于产生等离子体的高频功率的频率。即，另一高频功率是偏压高频功率。通常，偏压高频功率用于调节撞击被设置在基片支承台上的基片的离子的能量。当将具有高功率水平的偏压高频功率供给到下部电极时，撞击基片的离子的能量很高。另一方面，如果将具有低功率水平的偏压高频功率供给到下部电极，则撞击基片的离子的能量将较低。

3、专利文献1描述了用于蚀刻氮化硅膜的等离子体处理。在专利文献1描述的技术中，在蚀刻氮化硅膜的期间，将偏压高频功率的功率水平设定为高电平。此外，在专利文献1描述的技术中，当形成为通过蚀刻氮化硅膜而使氮化硅膜和氧化硅膜两者都暴露的状态时，偏压高频功率的功率水平交替地切换成高水平和低水平。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、专利文献1：日本特开平6-267895号公报。

技术实现思路

1、发明所要解决的技术方案

2、在涉及基片的等离子体处理的技术领域中，需要使去往基片支承台的离子的能量高速地改变。

3、用于解决问题的技术手段

4、根据一个示例性实施例，提供了一种等离子体处理方法。等离子体处理方法包括：在第一期间中，在腔室内执行第一等离子体处理的步骤；和在第一期间之后或接着该第一期间的第二期间中，在腔室内执行第二等离子体处理的步骤。在执行第一等离子体处理的步骤和执行第二等离子体处理的步骤中，第一高频功率被连续地供给基片支承台的下部电极。第一高频功率具有第一频率。基片支承台设置在腔室内。第二高频功率在第一期间的第一部分周期和第二期间的第二部分周期中以脉冲状的高频功率来供给。第二高频功率是用于产生等离子体的具有比第一频率高的第二频率的高频功率。第一部分周期是第一高频功率的各周期的一部分。第二部分期间是第一高频功率的各周期内的部分期间，并且是与第一部分期间不同的期间。或者，第二高频功率在第一期间内的第一高频功率的各周期内以脉冲状的高频功率和连续的高频功率中的一者来供给，在第二期间内的第一高频功率的各周期内以另一者来供给。或者，第二高频功率在第一期间内的第一高频功率的各周期内以脉冲状的高频功率来供给，在第二期间内不供给。

5、发明效果

6、根据一个示例性实施例的等离子体处理方法，能够快速地改变去往基片支承台的离子的能量。

技术特征：

1.一种在等离子体处理装置中使用的rf系统，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的rf系统，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的rf系统，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的rf系统，其特征在于，

5.根据权利要求1～4中任一项所述的rf系统，其特征在于，

6.根据权利要求1～4中任一项所述的rf系统，其特征在于，

7.一种在等离子体处理装置中使用的rf系统，其特征在于，包括：

8.根据权利要求7所述的rf系统，其特征在于，

9.根据权利要求7所述的rf系统，其特征在于，

10.根据权利要求7～9中任一项所述的rf系统，其特征在于，

11.根据权利要求7～9中任一项所述的rf系统，其特征在于，

12.一种rf系统，其特征在于，包括：

13.根据权利要求12所述的rf系统，其特征在于，

14.根据权利要求12所述的rf系统，其特征在于，

15.根据权利要求12所述的rf系统，其特征在于，

16.根据权利要求12～15中任一项所述的rf系统，其特征在于，

17.根据权利要求12～15中任一项所述的rf系统，其特征在于，

18.一种rf系统，其特征在于，包括：

19.根据权利要求18所述的rf系统，其特征在于，

20.根据权利要求18所述的rf系统，其特征在于，

21.根据权利要求18～20中任一项所述的rf系统，其特征在于，

22.根据权利要求18～20中任一项所述的rf系统，其特征在于，

技术总结
本发明提供一种在等离子体处理装置中使用的RF系统。在本发明示例性实施例的等离子体处理方法中，在第一期间中执行第一等离子体处理，在接着第一期间的第二期间中，执行第二等离子体处理。在第一期间和第二期间内，用于偏压的第一高频功率被连续地供给到下部电极。在第一期间内的第一高频功率的各周期内的第一部分期间内，能够以脉冲状的高频功率来供给用于产生等离子体的第二高频功率。在第二期间内的第一高频功率的各周期内的第二部分期间内，能够以脉冲状的高频功率来供给第二高频功率。由此，能够快速地改变去往基片支承台的离子的能量。

技术研发人员：道菅隆,久保田绅治,舆水地盐
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/6/18