半导体晶圆静电吸附装置

本发明属于半导体，具体涉及半导体晶圆的静电吸附装置。

背景技术：

1、随着我国电子信息产业规模的不断壮大，对半导体产品的需求也呈现出日益增长的态势。作为半导体产业的核心组成部分，集成电路的发展尤为引人关注。集成电路技术的不断进步体现在芯片集成度的提升和特征尺寸的减小上。

2、为确保芯片产品的质量，晶圆在工艺设备间的平稳转运以及受力均匀至关重要，这对晶圆的夹持技术提出了更高的要求，现有夹持工艺的稳定性和受力均匀程度以难以满足需求。因此，设计一种高效的半导体晶圆吸附装置，以适应现阶段的工艺高稳定性和受力均匀性要求就显得尤为必要。

技术实现思路

1、本发明的目的是提供一种半导体晶圆静电吸附装置，解决了目前在对硅片进行夹持搬运过程中出现的不稳定、受力不均匀的问题。

2、为了达到上述目的，本发明所采用的技术方案是：本发明的半导体晶圆静电吸附装置，包括连接底板，所述连接底板上涂有基底层，所述基底层上印刷有第一电极，所述第一电极上涂有中间层，所述中间层上印刷有第二电极，所述电极上涂有覆盖层，所述覆盖层上方包含有吸附层。

3、作为本发明的一种优选地方案，所述连接底板下方设有多个螺纹孔。

4、作为本发明的一种优选地方案，所述基底层、中间层、覆盖层均为由材料a组分、b组分以及乙酸乙酯制成的聚氨酯。

5、作为本发明的一种优选地方案，所述a组分、b组分以及乙酸乙酯的质量比为10-8：1-5：3-6。

6、作为本发明的一种优选地方案，所述电极的形状结构为空间双梳齿电极结构。

7、作为本发明的一种优选地方案，所述空间双梳齿电极分别接有相反电荷的电压并且电极均由银浆制成。

8、作为本发明的一种优选地方案，所述吸附层材质为氧化铝陶瓷或氮化铝陶瓷。

9、本发明的有益效果是：本发明的半导体晶圆静电吸附装置，该装置利用静电吸附原理依靠静电力对晶圆进行固定夹持，在搬运过程中，该装置不仅能确保半导体晶圆平稳的转运，而且通过均匀的静电吸附力“夹持”硅片而不使用机械夹持方法，有效避免了对晶圆表面的损伤。此外，本发明的半导体晶圆静电吸附装置，在使用过程中不会对晶圆造成污染，适用于无尘环境当中，为半导体晶圆的制造过程提供了可靠的技术支持。

技术特征：

1.半导体晶圆静电吸附装置，其特征在于，包括连接底板(1)，所述连接底板(1)上涂有基底层(2)，所述基底层(2)上印刷有第一电极(3)，所述第一电极(3)上涂有中间层(4)，所述中间层(4)上印刷有第二电极(5)，所述电极(5)上涂有覆盖层(6)，所述覆盖层(6)上方包含有吸附层(7)。

2.根据权利要求1所述的半导体晶圆静电吸附装置，其特征在于，所述连接底板(1)下方设有多个螺纹孔。

3.根据权利要求3所述的半导体晶圆静电吸附装置，其特征在于，所述基底层(2)、中间层(4)、覆盖层(6)均为由材料a组分、b组分以及乙酸乙酯制成的聚氨酯。

4.根据权利要求3所述的一种半导体晶圆静电吸附装置，其特征在于，所述a组分、b组分以及乙酸乙酯的质量比为10-8：1-5：3-6。

5.根据权利要求4所述的半导体晶圆静电吸附装置，其特征在于，所述第一电极(3)与所述第二电极(5)的形状结构均为空间双梳齿电极结构。

6.根据权利要求5所述的半导体晶圆静电吸附装置，其特征在于，所述第一电极(3)与所述第二电极(5)分别接有相反电荷的电压并且均由银浆制成。

7.根据权利要求6所述的半导体晶圆静电吸附装置，其特征在于，所述吸附层(7)是氧化铝陶瓷或氮化铝陶瓷。

技术总结
本发明公开了半导体晶圆的静电吸附装置，涉及半导体技术领域。其包括连接底板，所述连接底板上涂有基底层，所述基底层上印刷有第一电极，所述第一电极上涂有中间层，所述中间层上印刷有第二电极，所述电极上涂有覆盖层，所述覆盖层上方包含有吸附层。该装置吸附表面平整，耐磨性强，依靠静电力对半导体晶圆实施吸附，使晶圆受力均匀，保护半导体晶圆在夹持的过程中不受损害。

技术研发人员：李鹏飞,高世鹏,傅斌,汤幸,李万里
受保护的技术使用者：西安理工大学
技术研发日：
技术公布日：2024/7/15