发光元件的制作方法

本揭露是有关于一种发光元件，且特别是关于一种覆晶式的发光元件。

背景技术：

1、发光二极管(light emitting diode,led)是半导体材料制成的发光元件，可将电能转换成光，其具有体积小、能量转换效率高、寿命长、省电等优点，因此广泛应用于各式电子装置的光源。

2、目前覆晶式发光二极管虽提升了传统发光二极管的发光效率，但却存在着电流扩散不均导致发光亮度偏低，且共晶面不平整导致应力抵抗能力低。有鉴于此，现有技术实有待改善的必要。

技术实现思路

1、本揭露的一实施方式的目的在于提供一种发光元件，以达成均匀发光与高应力抵抗能力的效果。

2、本揭露的一实施方式提供了一种发光元件，包含半导体结构、反射结构、第一绝缘结构、导电结构、第二绝缘结构、第一焊垫、以及第二焊垫。反射结构设置于半导体结构上的一部分。第一绝缘结构包含第一凸出部、第二凸出部、第一凹陷部、以及第二凹陷部。第一凸出部覆盖反射结构的第一部分。第二凸出部覆盖反射结构的第二部分。第一凹陷部露出反射结构的第一部分与第二部分之间的第三部分，且区隔第一凸出部与第二凸出部。第二凹陷部露出半导体结构的第一周缘上表面。导电结构包含第一导电部、第二导电部、以及凹沟部。第一导电部设置于第一凸出部上，并通过第二凹陷部以接触半导体结构的第一周缘上表面。第二导电部设置于第二凸出部上，并通过第一凹陷部以接触反射结构的第三部分。凹沟部区隔第一导电部与第二导电部。第一焊垫设置于第一导电部上，第二焊垫设置于第二导电部上。其中，第一焊垫与第二焊垫的正下方的各个结构皆呈平坦状堆叠，且不存在任何凸出或凹陷的设计。

3、在一些实施方式中，导电结构还包含多个内凹部，这些内凹部位于导电结构的周缘，且以水平方向朝导电结构的中心内缩。

4、在一些实施方式中，第一绝缘结构还包含第三凸出部，覆盖半导体结构的第二周缘上表面，其中第二周缘上表面位于第一周缘上表面的外侧。

5、在一些实施方式中，发光元件还包含第二绝缘结构，第二绝缘结构覆盖于导电结构与第三凸出部，并通过凹沟部以接触第一绝缘结构的这些第一凸出部，其中第二绝缘结构包含一形状以对应露出第一焊垫与第二焊垫。

6、在一些实施方式中，第二绝缘结构还包含与第一焊垫与第二焊垫不相连接。

7、在一些实施方式中，半导体结构由下而上依序包含第一半导体层、活性层与第二半导体层。

8、在一些实施方式中，发光元件还包含至少一通孔，通孔穿过活性层、第二半导体层、反射结构的第一部分、与第一绝缘结构的第一凸出部并露出第一半导体层，第一导电部通过通孔以接触第一半导体层。

9、在一些实施方式中，发光元件还包含基板，半导体结构设置在基板上。

10、在一些实施方式中，第一绝缘结构还包含布拉格反射镜，布拉格反射镜形成在反射结构的上表面以及半导体结构的侧壁，其中，布拉格反射镜结构包含多对次层，并且每一次层具有一折射率与相邻次层的折射率不同。

技术特征：

1.一种发光元件，其特征在于，包含：

2.根据权利要求1所述的发光元件，其中，在俯视图中，该第一焊垫与该第二焊垫分别包含从边缘朝内部凹陷的形状。

3.根据权利要求1所述的发光元件，其中，在俯视图中，该些通孔设置于该第一焊垫与该第二焊垫之间。

4.根据权利要求1所述的发光元件，其中，在俯视图中，该些通孔的该其中二者在水平方向上对称设置于该形状几何中心的左右二侧，该些通孔的该其中另外二者在垂直方向上对称设置于该形状几何中心的上下二侧。

5.一种发光元件，其特征在于，包含：

6.根据权利要求5所述的发光元件，其中，在俯视图中，该些通孔设置于该第一焊垫与该第二焊垫之间。

7.一种发光元件，其特征在于，包含：

8.根据权利要求7所述的发光元件，其中该些通孔的其中一个设置于该凹口中远离边缘的一端。

9.根据权利要求7所述的发光元件，其中，在俯视图中，该些通孔设置于该第一焊垫与该第二焊垫之间。

10.根据权利要求7所述的发光元件，其中，在俯视图中，该第一焊垫与该第二焊垫包含从边缘朝内部凹陷的形状。

技术总结
提供一种发光元件包含半导体结构、反射结构、第一及第二绝缘结构、导电结构、第一及第二焊垫。反射结构设置于半导体结构上。第一绝缘结构包含第一及第二凸出部分别覆盖反射结构的第一、第二部分、及第一凹陷部露出第一与第二部分间的第三部分。导电结构包含第一及第二导电部。第一导电部设置于第一凸出部上以接触半导体结构。第二导电部设置于第二凸出部上，并通过第一凹陷部以接触第三部分。第一、第二焊垫分别设置于第一、第二导电部上。第一与第二焊垫的正下方的各个结构皆呈平坦状堆叠，以提升应力抵抗能力。

技术研发人员：蔡沛修,陈怡如,许乃伟,余威徵
受保护的技术使用者：隆达电子股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/7/4