一种提高AMB局部镀银基板封装结合力的方法与流程

本发明涉及基板封装，具体为一种提高amb局部镀银基板封装结合力的方法。

背景技术：

1、在电子工业中，封装的芯片以及部分元器件需要通过引线框架与其他电路进行电气连接。由于集成电路变得越来越复杂，包括的装置和功能越来越多，电路的连线密度也越来越高，引线框架的形状和密度(线间距)也要求得越高。由于线条和形状细小复杂，而电路的可靠性又非常重要，通常采用镀银的办法提高焊接的可靠性。但由于银镀层的迁移较快，容易导致电路失效。因此局部镀银的应用使用越来越广泛。封装的结合力与基板的粗糙度存在关联，由于银相对稳定，粗糙度不易做改善，镀银区域的存在，某种程度上限制了封装结合力的提升。

2、为提高模块的封装结合力，现提出一种方法，从改变粗糙度形貌的角度，大大优化铜面的封装结合力；且对产品的其他性能无明显影响。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种提高amb局部镀银基板封装结合力的方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

2、为了解决上述技术问题，本发明提供如下技术方案：一种提高amb局部镀银基板封装结合力的方法，包括以下步骤：

3、步骤1：

4、s11：将添加剂、硫酸和去离子水混合，得到除油剂；采用除油剂对基板表面进行除油，并用去离子水对除油后的基板进行两次水洗；所述基板由陶瓷基板、覆盖在陶瓷基板两面的铜层以及镀覆在铜层表面的镀银层组成的局部镀银基板，镀银方法选用化银工艺；

5、s12：用脱脂剂对基板进行脱脂处理，并用去离子水对基板进行两次水洗；

6、s13：将基板浸泡在预浸剂中，再使用棕化剂对基板表面进行棕化，在铜面表面形成棕化膜，并采用去离子水重复洗涤3次，

7、s14：将s13中洗涤后的局部镀银基板进行风干、烘干，并测试棕化膜表面粗糙度；

8、步骤2：

9、s21：用退膜液对基板表面棕化膜进行减薄，再使用酸性药液进行清洗；

10、s22：将基板风干、烘干后，进行粗糙度确认和打线勾力确认。

11、进一步的，s11中，除油剂中溶质质量浓度为15～25％，其中各组分含量，按重量百分数计，10％添加剂、5～15％硫酸、75～85％去离子水。

12、进一步的，s12中，脱脂剂为质量浓度5～20％的氢氧化钠溶液。

13、进一步的，s13中，预浸剂中各组分含量，按重量百分数计，3～7％咪唑类化合物，余量为水。

14、进一步的，s13中，棕化剂中各组分含量，按重量百分数计，2～5％双氧水、3～7％硫酸、15～25％棕化剂，余量为去离子水。

15、进一步的，s13中，棕化剂为咪唑类化合物和硫酸的混合物。

16、进一步的，s13中，棕化膜表面粗糙度sdr为1.0～2.0。

17、进一步的，s21中，退膜液为质量浓度3～5％的氢氧化钠溶液。

18、进一步的，s21中，酸性药液为质量浓度2～6％的硫酸溶液。

19、与现有技术相比，本发明所达到的有益效果是：本发明提供了一种提高amb局部镀银基板封装结合力的方法，通过改变基板表面的粗糙度实现封装结合力的提高。选用的局部镀银基板采用化学沉银的方式在铜层表面镀覆银层，因此同时存在银和铜两种金属，为了确保两种材料的性能均需满足，考虑到银具有更好的化学稳定性能，因此考虑使用棕化药水对铜面进行处理，使得铜面达到一定条件的粗糙度要求，通过控制调整棕化药水中的组分及含量，需确保棕化药水对银面无太大影响。由于银和硫酸、双氧水会发生反应(反应方程式为：2ag+h2o2+h2so4＝ag2so4+2h2o)，故双氧水浓度不可过高，但双氧水的浓度直接影响到微蚀速率，而微蚀速率会影响到粗糙度，故双氧水浓度也不能太低。本发明中控制棕化药水中双氧水的质量浓度为2～5％，从而确保棕化前后银面基本无变化，铜面的粗糙度也可以满足产品需求，sdr可达到1.0～2.0，大大提高了封装结合力。由于直接在棕化膜上打线，会降低打线勾力，对棕化膜进行减薄处理。该棕化膜既不耐酸又不耐碱，减薄后勾力明显提升，且减薄前后的粗糙度值无明显差异。

技术特征：

1.一种提高amb局部镀银基板封装结合力的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种提高amb局部镀银基板封装结合力的方法，其特征在于：局部镀银基板由陶瓷基板、覆盖在陶瓷基板两面的铜层以及通过化学沉银在铜层表面形成的银层组成。

3.根据权利要求1所述的一种提高amb局部镀银基板封装结合力的方法，其特征在于：s11中，除油剂中溶质质量浓度为15～25％，其中各组分含量，按重量百分数计，10％添加剂、5～15％硫酸、75～85％去离子水。

4.根据权利要求1所述的一种提高amb局部镀银基板封装结合力的方法，其特征在于：s12中，脱脂剂为质量浓度5～20％的氢氧化钠溶液。

5.根据权利要求1所述的一种提高amb局部镀银基板封装结合力的方法，其特征在于：s13中，预浸剂中各组分含量，按重量百分数计，3～7％咪唑类化合物，余量为水。

6.根据权利要求1所述的一种提高amb局部镀银基板封装结合力的方法，其特征在于：s13中，棕化剂中各组分含量，按重量百分数计，2～5％双氧水、3～7％硫酸、15～25％棕化剂，余量为去离子水。

7.根据权利要求6所述的一种提高amb局部镀银基板封装结合力的方法，其特征在于：棕化剂为咪唑类化合物和硫酸的混合物。

8.根据权利要求1所述的一种提高amb局部镀银基板封装结合力的方法，其特征在于：s13中，棕化膜表面粗糙度sdr为1～2。

9.根据权利要求1所述的一种提高amb局部镀银基板封装结合力的方法，其特征在于：s21中，退膜液为质量浓度3～5％的氢氧化钠溶液。

10.根据权利要求1所述的一种提高amb局部镀银基板封装结合力的方法，其特征在于：s21中，酸性药液为质量浓度2～6％的硫酸溶液。

技术总结
本发明涉及基板封装技术领域，具体为一种提高AMB局部镀银基板封装结合力的方法。本发明先对局部镀银基板表面进行除油、脱脂，再用棕化剂对基板进行棕化，形成棕化膜；最后采用酸洗液对棕化膜进行减薄，并用碱性液清洗。本发明方案提升了铜表面粗糙度，提高了封装结合力，同时对银层无明显影响。

技术研发人员：曹海洋,李炎,马敬伟,李辛未,于明洋
受保护的技术使用者：江苏富乐华半导体科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/7/15