光调制器集成型半导体激光器以及半导体发光装置的制作方法

本公开涉及光调制器集成型半导体激光器以及半导体发光装置。

背景技术：

1、在专利文献1(日本特开2001-308130号公报)中公开了与高频电路以及安装有高频电路的模块和通信机相关的技术。高频电路构成为利用第一接合线将传输高频信号的信号线与具有电容的元件连接，并利用第二接合线将具有电容的元件与阻抗匹配用的终端电阻连接。在高频电路中，由具有第一接合线、第二接合线以及电容的元件形成的传输线路的特性阻抗的大小大于高频信号的输入侧的特性阻抗的大小。另外，在高频电路中，第一接合线的电感的大小小于第二接合线的电感的大小。

技术实现思路

1、本公开提供一种光调制器集成型半导体激光器。光调制器集成型半导体激光器具备：激光器部，具有有源区域，输出激光；光调制部，具有调制区域，对激光进行调制；以及第一焊盘，用于与包含接地电位的导线连接。光调制部具有：调制电极，在调制区域中基于所输入的调制信号使激光通过或将激光阻断；以及信号用焊盘，与调制电极连接，用于与输入调制信号的其他导线连接。

技术特征：

1.一种光调制器集成型半导体激光器，其中，

2.根据权利要求1所述的光调制器集成型半导体激光器，其中，所述光调制器集成型半导体激光器还具有第二焊盘，所述第二焊盘用于与包含所述接地电位的第三导线连接。

3.根据权利要求1所述的光调制器集成型半导体激光器，其中，所述第一焊盘以及所述信号用焊盘设置于所述光调制部。

4.一种半导体发光装置，其中，

5.根据权利要求4所述的半导体发光装置，其中，所述第二焊盘设置于所述信号用焊盘的另一侧。

6.根据权利要求4所述的半导体发光装置，其中，

7.根据权利要求6所述的半导体发光装置，其中，

8.根据权利要求7所述的半导体发光装置，其中，所述第二配线图案仅与所述电阻、所述第五导线以及所述第六导线连接。

9.根据权利要求6所述的半导体发光装置，其中，所述第二配线图案仅与所述电阻和所述第五导线连接。

10.根据权利要求4所述的半导体发光装置，其中，所述第一导线以及所述第二导线设置为相互平行。

技术总结
本发明提供光调制器集成型半导体激光器以及半导体发光装置。光调制器集成型半导体激光器具备：激光器部，输出激光；光调制部，对激光进行调制；信号用焊盘，用于与第一导线连接，第一导线用于向光调制部输入调制信号；以及第一焊盘，用于与具有接地电位的第二导线连接。

技术研发人员：河村浩充
受保护的技术使用者：住友电工光电子器件创新株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/11/4