形成集成电路封装件的方法与流程

本发明实施方式涉及一种形成集成电路的方法，且尤其是涉及一种形成集成电路封装件的方法。

背景技术：

1、由于多种电子构件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的整合密度的持续提高，半导体行业已经历快速成长。整合密度的提高主要源自于最小特征大小的持续减小，以允许在给定的区域中整合更多的构件。随着对于缩小电子组件需求的增长，需要更小的半导体管芯以及更具创造性的封装技术。此类封装系统的实例为叠层封装(package-on-package；pop)技术。在pop组件中，顶部半导体封装堆叠于底部半导体封装的顶部上，以提供高水平的整合及构件密度。pop技术一般能够在印刷电路板(pcb)上生产功能性增强且占据面积小的半导体组件。

技术实现思路

1、在本发明的实施例中，一种形成集成电路封装件的方法，包括：在第一晶圆中形成多个第一半导体管芯，所述多个第一半导体管芯中的每个管芯包括：多个第一有源组件，在第一半导体衬底的前侧上方；以及第一内连结构，在所述多个第一有源组件上方；对所述第一晶圆进行多个第一探针测试；基于所述多个第一探针测试，将所述多个第一半导体管芯中的每个管芯分类为第一良好管芯、第一边缘管芯或第一不良管芯；在第二晶圆中形成多个第二半导体管芯，所述多个第二半导体管芯的每个管芯包括：多个第二有源组件，在第二半导体衬底的前侧上方；以及第二内连结构，在所述多个第二有源组件上方；对所述第二晶圆进行多个第二探针测试；基于所述多个第二探针测试，将所述多个第二半导体管芯中的每个管芯分类为第二良好管芯、第二边缘管芯或第二不良管芯；以及接合所述第二晶圆至所述第一晶圆，所述多个第一半导体管芯中的每个管芯与所述多个第二半导体管芯中对应的管芯对齐。

2、在本发明的实施例中，一种形成集成电路封装件的方法，包括：形成包括第一半导体管芯的第一晶圆；对所述多个第一半导体管芯进行多个第一探针测试；执行第一分组程序，以将所述多个第一半导体管芯归类为包括多个第一良好管芯、多个第一边缘管芯和多个第一不良管芯；形成包括多个第二半导体管芯的第二晶圆；对所述多个第二半导体管芯进行多个第二探针测试；执行第二分组程序，以将所述多个第二半导体管芯归类为包括多个第二良好管芯、多个第二边缘管芯和多个第二不良管芯；以及形成多个半导体封装件，所述多个半导体封装件包括：第一高性能封装件，包括所述多个第一良好管芯中的第一个良好管芯和所述多个第二良好管芯中的第一个良好管芯；以及第一边缘性能封装件，包括所述多个第一边缘管芯中的第一个边缘管芯和所述多个第二边缘管芯的第一个边缘管芯。

3、在本发明的实施例中，一种形成集成电路封装件的方法，包括：在第一晶圆中形成第一半导体管芯；执行第一分组程序，以将所述第一半导体管芯分配在第一类别；将所述第一晶圆的前侧连接到第一承载衬底；在第二晶圆中形成第二半导体管芯；执行第二分组程序，以将所述第二半导体管芯分配在第二类别；接合所述第二半导体管芯至所述第一半导体管芯；接合多个管芯的第三半导体管芯到所述第二半导体管芯、所述的多个管芯包括：多个性能充足管芯以及多个性能不足管芯，其中附接所述第三半导体管芯包括基于所述第一半导体管芯的所述第一类别以及所述第二半导体管芯的所述第二类别在所述多个性能充足管芯和所述多个性能不足管芯之间进行选择。

技术特征：

1.一种形成集成电路封装件的方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的形成集成电路封装件的方法，其特征在于，其中所述多个第一探针测试测量每一个所述多个第一半导体管芯中的功能性核心的第一数量，其中所述第一数量确定每一个所述多个第一半导体管芯的第一分类。

3.根据权利要求1所述的形成集成电路封装件的方法，其特征在于，其中所述多个第二探针测试测量每一个所述多个第二半导体管芯中的功能性核心的第二数量，其中所述第二数量确定每一个所述多个第二半导体管芯的第二分类。

4.根据权利要求3所述的形成集成电路封装件的方法，其特征在于，还包括确定所述多个第一半导体管芯中的第一示例性管芯以及所述多个第二半导体管芯中的对应的第二示例性管芯的第三分类。

5.一种形成集成电路封装件的方法，其特征在于，包括：

6.根据权利要求5所述的形成集成电路封装件的方法，其特征在于，其中所述多个半导体封装件还包括第一低性能封装件，所述第一低性能封装件包括所述多个第一不良管芯的第一个不良管芯和所述多个第二不良管芯的第一个不良管芯。

7.根据权利要求5所述的形成集成电路封装件的方法，其特征在于，其中所述多个半导体封装件还包括：

8.根据权利要求7所述的形成集成电路封装件的方法，其特征在于，其中所述多个半导体封装件还包括：

9.一种形成集成电路封装件的方法，其特征在于，包括：

10.根据权利要求9所述的形成集成电路封装件的方法，其特征在于，其中如果所述第一类别或所述第二类别中的至少一者高于预定性能阈值，则选择所述多个性能充足管芯的其中一个，并且其中如果所述第一类别和所述第二类别两者都低于所述预定性能阈值，则选择所述多个性能不足管芯的其中一个。

技术总结
本发明实施例提供一种形成集成电路封装件的方法，包括：在第一晶圆中形成多个第一半导体管芯，多个第一半导体管芯中的每个管芯包括：在第一半导体衬底的前侧之上的多个第一有源组件；对第一晶圆执行多个第一探针测试；基于多个第一探针测试，将多个第一半导体管芯中的每个管芯分类为第一良好管芯、第一边缘管芯或第一不良管芯；在第二晶圆中形成多个第二半导体管芯；对第二晶圆进行多个第二探针测试；基于多个第二探针测试，将多个第二半导体管芯中的每个管芯分类为第二良好管芯、第二边缘管芯或第二不良管芯；以及接合第二晶圆到第一晶圆，多个第一半导体管芯的每个管芯与多个第二半导体管芯的对应管芯对准。

技术研发人员：林振昇,史朝文,丁国强,陈燕铭
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/11/7