薄膜晶体管及其制造方法与流程

本发明涉及一种薄膜晶体管及其制造方法。

背景技术：

1、目前，薄膜晶体管被广泛的运用于各种电子产品中，例如手机、电视、平板电脑、智能窗户等。一般而言，薄膜晶体管包含栅极、半导体通道层、源极以及漏极，其中电流从源极经过半导体通道层流至漏极，而栅极用于提供电场至半导体通道层，以决定半导体通道层的导通与否。随着科技的进展，薄膜晶体管的尺寸逐年缩小。为了减小薄膜晶体管的尺寸，许多厂商致力于研发新的半导体材料以及新的薄膜晶体管结构。

技术实现思路

1、本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法，能减少寄生电容所造成的问题。

2、本发明的至少一实施例提供一种薄膜晶体管，其包括第一源极/漏极、隔离结构、第二源极/漏极、半导体结构、栅介电层、突起结构以及栅极。第一源极/漏极位于基板之上。隔离结构位于第一源极/漏极上，且具有重叠于第一源极/漏极的第一通孔。第二源极/漏极设置于隔离结构上。半导体结构从第二源极/漏极沿着第一通孔的侧壁延伸至第一源极/漏极。栅介电层位于半导体结构上。突起结构，位于第二源极/漏极之上，且具有重叠于第一通孔的第二通孔。栅极位于栅介电层上，且从突起结构上方延伸进入第二通孔中以及第一通孔中。第一源极/漏极、隔离结构、第二源极/漏极、突起结构以及栅极在第一方向上依序堆叠。

3、本发明的至少一实施例提供一种薄膜晶体管的制造方法，包括以下步骤。形成第一源极/漏极于基板之上。形成隔离结构于第一源极/漏极上，其中隔离结构具有重叠于第一源极/漏极的第一通孔。形成第二源极/漏极于第一源极/漏极之上。形成半导体结构于第二源极/漏极上，且半导体结构从第二源极/漏极沿着第一通孔的侧壁沿伸至第一源极/漏极。形成栅介电层于半导体结构上。形成突起结构于第一源极/漏极之上，且突起结构具有。第二通孔。形成栅极于栅介电层上，其中第一通孔重叠于第二通孔，且栅极从突起结构上方延伸进入第二通孔中以及第一通孔中，其中第一源极/漏极、隔离结构、第二源极/漏极、突起结构以及栅极在第一方向上依序堆叠。

技术特征：

1.一种薄膜晶体管，包括：

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中该突起结构的厚度为1微米至1.5微米，且该隔离结构的厚度小于或等于0.5微米。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中该半导体结构从该突起结构的顶面延伸进该第二通孔中以及该第一通孔中，且该半导体结构接触该突起结构的该顶面以及该第二通孔的侧壁。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中该栅极从该突起结构的顶面延伸进该第二通孔中以及该第一通孔中，且该栅极接触该突起结构的该顶面以及该第二通孔的侧壁。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中该栅介电层从该突起结构以及该第二源极/漏极之间延伸进入该第一通孔中。

6.一种薄膜晶体管的制造方法，包括：

7.如权利要求6所述的制造方法，其中形成该隔离结构于该第一源极/漏极上的方法包括：

8.如权利要求6所述的制造方法，其中形成该突起结构的方法包括：

9.如权利要求8所述的制造方法，其中该第一源极/漏极包括透明导电层，且部分的该光线穿过该第一源极/漏极。

10.如权利要求8所述的制造方法，其中形成该光致抗蚀剂材料层于该栅介电层上，且部分的该光线依序穿过该第一源极/漏极、该半导体结构以及该栅介电层。

技术总结
本发明公开一种薄膜晶体管及其制造方法，其中薄膜晶体管包括第一源极/漏极、隔离结构、第二源极/漏极、半导体结构、栅介电层、突起结构以及栅极。第一源极/漏极位于基板之上。隔离结构位于第一源极/漏极上，且具有重叠于第一源极/漏极的第一通孔。第二源极/漏极设置于隔离结构上。半导体结构从第二源极/漏极沿着第一通孔的侧壁延伸至第一源极/漏极。栅介电层位于半导体结构上。突起结构，位于第二源极/漏极之上，且具有重叠于第一通孔的第二通孔。栅极位于栅介电层上，且从突起结构上方延伸进入第二通孔中以及第一通孔中。第一源极/漏极、隔离结构、第二源极/漏极、突起结构以及栅极在第一方向上依序堆叠。

技术研发人员：廖柏咏,黄颂祐
受保护的技术使用者：友达光电股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/9/5