一种增强散热能力的陶瓷管壳的制作方法

本发明涉及一种增强散热能力的陶瓷管壳。

背景技术：

1、随着半导体技术的不断发展，电子器件不断小型化、高密度化，电子类控制开关领域的趋势是开关体积不断减小、控制电流不断增大，导致传统陶瓷管壳无法满足散热要求，致使产品体积无法进一步缩小。

2、公开号为cn203596797u的中国专利公开了一种带三端屏蔽的高隔离放大器陶瓷管壳,包括陶瓷壳体、可伐引线、金属盖板，陶瓷壳体的开口端上设金属封接环，陶瓷壳体上对称的设有金属屏蔽层形成三端隔离，输入地、输出地和电源地引出脚为模块三端独立地引出脚；但受材料自身限制，陶瓷自身散热能力有限，使用的金属封接环仅起到封接连接作用，散热作用极小，因此散热能力难以满足需求，从而导致输出电流能力难以进一步提升。

技术实现思路

1、为解决上述技术问题，本发明提供了一种增强散热能力的陶瓷管壳，该增强散热能力的陶瓷管壳解决了传统陶瓷管壳散热差的问题，提高管壳散热能力，为电子元器件小型化、高密度化提供封装技术支撑，实现传统陶瓷管壳负载能力提升的目的。

2、本发明通过以下技术方案得以实现。

3、本发明提供的一种增强散热能力的陶瓷管壳，包括管壳部分和固定片，所述管壳部分设置在固定片上。

4、所述管壳部分包括金属围框、内金属片及腔体，所述金属围框与腔体连接，所述内金属片设置在腔体内，所述腔体设置在固定片上，所述腔体内设置埋入式金属线。

5、优选地，所述金属围框的高度为陶瓷管壳高度的1/3～2/3。

6、优选地，所述式金属线数量为1根或多根。

7、优选地，所述内金属片及固定片的材质包括钼、铜、可伐合金。

8、优选地，所述内金属片与固定片可包括相同或不同材质制备。

9、优选地，所述固定片封装整形方式包括qfn方式、lcc方式、smd方式和dip方式。

10、优选地，所述腔体材质包括陶瓷，腔体的结构为多层陶瓷结构。

11、本发明的有益效果在于：该产品通过增加金属围框、埋入金属线、增加内金属片、固定片等方式，降低内热阻、增加热容，提高热均衡性，为电子元器件小型化、高密度化提供封装技术支撑，实现传统陶瓷管壳负载能力提升的目的，解决了小型化、高功率密度下开关类或功率类产品的指标及可靠性提升，同时降低了应用端热设计要求，为系统的整体性能提升提供了保障。在相同体积下，本发明的陶瓷管壳散热能力提升30％，过负载能力提升50％。

技术特征：

1.一种增强散热能力的陶瓷管壳，其特征在于：包括管壳部分和固定片(5)，所述管壳部分设置在固定片(5)上。

2.如权利要求1所述的一种增强散热能力的陶瓷管壳，其特征在于：所述管壳部分包括金属围框(1)、内金属片(2)及腔体(3)，所述金属围框(1)与腔体(3)连接，所述内金属片(2)设置在腔体(3)内，所述腔体(3)设置在固定片(5)上，所述腔体(3)内设置埋入式金属线(4)。

3.如权利要求2所述的一种增强散热能力的陶瓷管壳，其特征在于：所述金属围框(1)的高度为陶瓷管壳高度的1/3～2/3。

4.如权利要求2所述的一种增强散热能力的陶瓷管壳，其特征在于：所述式金属线(4)数量为1根或多根。

5.如权利要求2所述的一种增强散热能力的陶瓷管壳，其特征在于：所述内金属片(2)及固定片(5)的材质包括钼、铜、钼铜合金、可伐合金。

6.如权利要求2所述的一种增强散热能力的陶瓷管壳，其特征在于：所述内金属片(2)与固定片(5)可包括相同或不同材质制备。

7.如权利要求2所述的一种增强散热能力的陶瓷管壳，其特征在于：所述固定片(5)封装整形方式包括qfn方式、lcc方式、smd方式和dip方式。

8.如权利要求2所述的一种增强散热能力的陶瓷管壳，其特征在于：所述腔体(3)材质包括陶瓷，腔体(3)的结构为多层陶瓷结构。

技术总结
本发明提供了一种增强散热能力的陶瓷管壳，包括金属围框，所述金属围框通过焊料与腔体连接，所述腔体内设置有埋入式金属线，所述腔体的上端面与内金属片连接，所述腔体的下端面与固定片连接。本发明通过通过增加金属围框、埋入金属线、增加内金属片、固定片等方式，降低产品热阻、增加产品热容，在传统陶瓷管壳散热能力进一步提升管壳散热能力，为电子元器件小型化、高密度化提供封装技术支撑，实现传统陶瓷管壳负载能力提升的目的，解决了小型化、高功率密度下开关类或功率类产品的指标及可靠性提升，同时降低了应用端热设计要求，为系统的整体性能提升提供了保障。

技术研发人员：闫军政,李建华,罗海洋,文仁俊,宋伟,洪浩
受保护的技术使用者：贵州振华群英电器有限公司（国营第八九一厂）
技术研发日：
技术公布日：2024/9/17