发光二极管及发光二极管制备方法与流程

本公开涉及发光器件领域，特别涉及一种发光二极管及发光二极管制备方法。

背景技术：

1、发光二极管能够覆盖从紫外到红外的波长范围。当前低分辨率示器市场仍以液晶显示器（liquid crystal display，lcd）为主流，微型发光二极管（micro light emittingdiode，micro led）因为本身的优点在低分辨率显示器市场逐步受到大家的重视。

2、相关技术提供的微型发光二极管通常包括外延结构、电极、反射层和焊盘等。

3、然而，相关技术提供的微型发光二极管仍然存在尺寸较大的问题。

技术实现思路

1、本公开实施例提供了一种发光二极管及发光二极管制备方法，有利于发光二极管小型化设计。所述技术方案如下：

2、一方面，提供了一种发光二极管，所述发光二极管包括：外延结构、第一电极、第二电极、反射层、第一电极焊盘和第二电极焊盘；

3、所述外延结构包括依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述第一半导体层、所述有源层和所述第二半导体层形成台阶结构，所述第一电极位于所述台阶结构的台阶面，所述第二电极位于第二半导体层表面，所述反射层覆盖所述台阶结构以及所述第一电极和所述第二电极，所述第一电极焊盘贯穿所述反射层与所述第一电极连接，所述第二电极焊盘贯穿所述反射层与所述第二电极连接；

4、所述反射层在所述第一半导体层上的投影与所述第一半导体层重合，所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘在所述第一半导体层上的投影的边缘与所述反射层在所述第一半导体层上的投影的边缘重合。

5、可选地，所述反射层在所述第一半导体层上的投影为第一矩形，所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘在所述第一半导体层上的投影为第二矩形，每个所述第二矩形的三条边分别与所述第一矩形的三条边重合。

6、可选地，所述第二矩形的长度为20~30μm，所述第二矩形的宽度为10~15μm。

7、可选地，所述发光二极管还包括：钝化层，所述钝化层覆盖所述外延结构、所述反射层及所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘的侧壁，所述钝化层还覆盖所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘之间的间隔区域。

8、可选地，所述发光二极管还包括：衬底和键合层；

9、所述第一半导体层与所述衬底之间通过所述键合层键合。

10、另一方面，提供了一种发光二极管制备方法，所述方法包括：

11、形成依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述第二半导体层、所述有源层、所述第一半导体层构成外延结构；

12、对所述外延结构进行图形化处理，形成台阶结构；

13、制作第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述台阶结构的台阶面，所述第二电极位于第二半导体层表面；

14、制作反射层，所述反射层覆盖所述台阶结构以及所述第一电极和所述第二电极；

15、制作第一电极焊盘和第二电极焊盘，所述第一电极焊盘贯穿所述反射层与所述第一电极连接，所述第二电极焊盘贯穿所述反射层与所述第二电极连接；所述反射层在所述第一半导体层上的投影与所述第一半导体层重合，所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘在所述第一半导体层上的投影的边缘与所述反射层在所述第一半导体层上的投影的边缘重合。

16、可选地，所述制作第一电极焊盘和第二电极焊盘，包括：

17、沉积金属叠层；

18、在所述金属叠层上制作第一光刻胶掩膜层；

19、在所述第一光刻胶掩膜层遮挡下，对所述金属叠层、所述反射层和所述外延结构进行图形化，使得所述金属叠层和所述反射层在所述第一半导体层上的投影与所述第一半导体层重合；

20、去除所述第一光刻胶掩膜层；

21、在所述金属叠层上制作第二光刻胶掩膜层，所述第二光刻胶掩膜层中部镂空；

22、在所述第二光刻胶掩膜层遮挡下，对所述金属叠层进行图形化，使所述金属叠层从中部分开得到所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘；

23、去除所述第二光刻胶掩膜层。

24、可选地，所述反射层在所述第一半导体层上的投影为第一矩形，所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘在所述第一半导体层上的投影为第二矩形，每个所述第二矩形的三条边分别与所述第一矩形的三条边重合。

25、可选地，所述第二矩形的长度为20~30μm，所述第二矩形的宽度为10~15μm。

26、可选地，所述发光二极管制备方法还包括：

27、制作钝化层，所述钝化层覆盖所述外延结构、所述反射层及所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘的侧壁，所述钝化层还覆盖所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘之间的间隔区域。

28、本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果是：

29、在本公开实施例中，发光二极管的第一电极焊盘和所述第二电极焊盘的边缘与反射层的边缘重合，消除了相关技术中第一电极焊盘和第二电极焊盘的边缘与反射层边缘之间的间隙，从而使得该发光二极管的尺寸更小，有利于小型化设计。

技术特征：

1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：外延结构（1000）、第一电极（105）、第二电极（106）、反射层（107）、第一电极焊盘（108）和第二电极焊盘（109）；

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述反射层（107）在所述第一半导体层（101）上的投影为第一矩形，所述第一电极焊盘（108）和所述第二电极焊盘（109）在所述第一半导体层（101）上的投影为第二矩形，每个所述第二矩形的三条边分别与所述第一矩形的三条边重合。

3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述第二矩形的长度为20~30μm，所述第二矩形的宽度为10~15μm。

4.根据权利要求1至3任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括：钝化层（110），所述钝化层（110）覆盖所述外延结构（1000）、所述反射层（107）及所述第一电极焊盘（108）和所述第二电极焊盘（109）的侧壁，所述钝化层（110）还覆盖所述第一电极焊盘（108）和所述第二电极焊盘（109）之间的间隔区域。

5.根据权利要求1至3任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括：衬底（100）和键合层（104）；

6.一种发光二极管制备方法，其特征在于，所述方法包括：

7.根据权利要求6所述的发光二极管制备方法，其特征在于，所述制作第一电极焊盘和第二电极焊盘，包括：

8.根据权利要求6所述的发光二极管制备方法，其特征在于，所述反射层在所述第一半导体层上的投影为第一矩形，所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘在所述第一半导体层上的投影为第二矩形，每个所述第二矩形的三条边分别与所述第一矩形的三条边重合。

9.根据权利要求8所述的发光二极管制备方法，其特征在于，所述第二矩形的长度为20~30μm，所述第二矩形的宽度为10~15μm。

10.根据权利要求6至9任一项所述的发光二极管制备方法，其特征在于，所述发光二极管制备方法还包括：

技术总结
本公开提供了一种发光二极管及发光二极管制备方法。所述发光二极管包括：外延结构、第一电极、第二电极、反射层、第一电极焊盘和第二电极焊盘；所述反射层在所述第一半导体层上的投影与所述第一半导体层重合，所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘在所述第一半导体层上的投影的边缘与所述反射层在所述第一半导体层上的投影的边缘重合。

技术研发人员：兰叶,王江波,朱广敏,吴志浩,张威
受保护的技术使用者：京东方华灿光电（苏州）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/7/15