发光二极管及发光二极管制备方法与流程

本公开涉及发光器件领域，特别涉及一种发光二极管及发光二极管制备方法。

背景技术：

1、发光二极管(light emitting diode，led)是一种能发光的半导体器件。

2、相关技术提供了一种发光二极管，发光二极管结构包括背金、衬底、键合层、镜面层、透明导电层、介质层、氧化铟锡(indium tin oxide，ito)导电层、外延结构和电极焊盘。

3、在相关技术中，介质层开设多个通孔，ito导电层位于多个通孔内，透明导电层通过多个通孔与ito导电层连接。然而上述设计，导致电流横向扩展差，不利于发光二极管发光。

技术实现思路

1、本公开实施例提供了一种发光二极管及发光二极管制备方法，有利于发光二极管的电性能；同时能够改善发光二极管的静电释放效果。所述技术方案如下：

2、一方面，提供了一种发光二极管，所述发光二极管包括：背金、衬底、键合层、镜面层、透明导电层、介质层、ito导电层、外延结构和电极焊盘；

3、所述ito导电层、所述介质层、所述透明导电层、所述镜面层依次层叠在所述外延结构的一面，所述介质层上开设有多个通孔，所述透明导电层通过所述通孔与所述ito导电层连接，所述衬底的一面通过所述键合层与所述镜面层键合；所述电极焊盘位于所述外延结构的另一面，所述背金位于所述衬底的另一面；

4、所述ito导电层包括间隔设置的多个导电部，多个所述导电部在所述衬底上的投影围绕所述电极焊盘在所述衬底上的投影，且多个所述通孔在所述衬底上的投影位于多个所述导电部在所述衬底上的投影内。

5、可选地，所述电极焊盘包括主体部和从所述主体部延伸出的间隔分布的多个延伸部；多个所述导电部在所述衬底上的投影围绕所述主体部在所述衬底上的投影内，且每个所述延伸部在所述衬底上的投影与至少一个所述导电部在所述衬底上的投影相靠近。

6、可选地，所述多个导电部包括多个凹字型导电部和多个l型导电部；每个所述凹字型导电部的缺口或每个所述l型导电部的缺口与一个所述延伸部的端部相对。

7、可选地，所述多个导电部包括多个具有缺口的矩形导电部和多个圆形导电部；每个所述具有缺口的矩形导电部的缺口或每个所述圆形导电部与一个所述延伸部的端部相对。

8、可选地，所述多个导电部包括矩形环状导电部和多个圆形导电部；所述矩形环状导电部围绕所述多个圆形导电部和所述电极焊盘，每个所述圆形导电部与一个所述延伸部的端部相对。

9、可选地，所述多个导电部包括多个v型导电部和多个所述圆形导电部；每个所述v型导电部的开口与一个所述延伸部的端部相对，多个所述圆形导电部分为多组，每组所述圆形导电部与一个所述延伸部的端部相对。

10、可选地，所述多个导电部包括多个v型导电部和多个条形导电部；每个所述v型导电部的开口或每个所述条形导电部与一个所述延伸部的端部相对。

11、另一方面，一种发光二极管制备方法，所述方法包括：

12、在临时衬底上形成外延结构；

13、在所述外延结构的一面依次制作ito导电层、介质层、透明导电层和镜面层；所述介质层上开设有多个通孔，所述透明导电层通过所述通孔与所述ito导电层连接；所述ito导电层包括间隔设置的多个导电部，多个所述导电部在所述衬底上的投影围绕电极焊盘在衬底上的投影，且多个所述通孔在所述衬底上的投影位于多个所述导电部在所述衬底上的投影内；

14、通过键合层将镜面层键合到所述衬底的一面，并去掉所述临时衬底；

15、在所述外延结构的另一面制作电极焊盘；

16、在所述衬底的另一面制作背金。

17、可选地，所述电极焊盘包括主体部和从所述主体部延伸出的间隔分布的多个延伸部；多个所述导电部在所述衬底上的投影围绕所述主体部在所述衬底上的投影，且每个所述延伸部在所述衬底上的投影与至少一个所述导电部在所述衬底上的投影相靠近。

18、可选地，所述ito导电层的厚度为5nm～300nm。

19、可选地，所述ito导电层面积与外延结构面积之比为15％～25％。

20、本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果是：

21、ito导电层设置成多个导电部，多个导电部围绕电极焊盘设计，且通孔在衬底上的投影位于多个导电部在衬底上的投影内，而非将ito导电层设置在通孔内，上述方式设计的ito导电层不会造成电流易集中在通孔附近的问题，提高了电流扩展效果，有利于发光二极管的电性能。同时能够改善发光二极管的静电释放效果。

技术特征：

1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：背金(101)、衬底(102)、键合层(103)、镜面层(104)、透明导电层(105)、介质层(106)、ito导电层(107)、外延结构(20)和电极焊盘(111)；

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述电极焊盘(111)包括主体部(1111)和从所述主体部(1111)延伸出的间隔分布的多个延伸部(1112)；多个所述导电部(1070)在所述衬底(102)上的投影围绕所述主体部(1111)在所述衬底(102)上的投影，且每个所述延伸部(1112)在所述衬底(102)上的投影与至少一个所述导电部(1070)在所述衬底(102)上的投影相靠近。

3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述多个导电部(1070)包括多个凹字型导电部(171)和多个l型导电部(172)；每个所述凹字型导电部(171)的缺口或每个所述l型导电部(172)的缺口与一个所述延伸部(1112)的端部相对。

4.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述多个导电部(1070)包括多个具有缺口的矩形导电部(173)和多个圆形导电部(174)；每个所述具有缺口的矩形导电部(173)的缺口或每个所述圆形导电部(174)与一个所述延伸部(1112)的端部相对。

5.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述多个导电部(1070)包括矩形环状导电部(175)和多个圆形导电部(174)；所述矩形环状导电部(175)围绕所述多个圆形导电部(174)和所述电极焊盘(111)，每个所述圆形导电部(174)与一个所述延伸部(1112)的端部相对。

6.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述多个导电部(1070)包括多个v型导电部(176)和多个圆形导电部(174)；每个所述v型导电部(176)的开口与一个所述延伸部(1112)的端部相对，多个所述圆形导电部(174)分为多组，每组所述圆形导电部(174)与一个所述延伸部(1112)的端部相对。

7.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述多个导电部(1070)包括多个v型导电部(176)和多个条形导电部(177)；每个所述v型导电部(176)的开口或每个所述条形导电部(177)与一个所述延伸部(1112)的端部相对。

8.一种发光二极管制备方法，其特征在于，所述方法包括：

9.根据权利要求8所述的发光二极管制备方法，其特征在于，所述电极焊盘包括主体部和从所述主体部延伸出的间隔分布的多个延伸部；多个所述导电部在所述衬底上的投影围绕所述主体部在所述衬底上的投影，且每个所述延伸部在所述衬底上的投影与至少一个所述导电部在所述衬底上的投影相靠近。

10.根据权利要求8或9所述的发光二极管制备方法，其特征在于，所述ito导电层的厚度为5nm～300nm。

技术总结
本公开提供了一种发光二极管及发光二极管制备方法。发光二极管包括：背金、衬底、键合层、镜面层、透明导电层、介质层、ITO导电层、外延结构和电极焊盘；ITO导电层设置成多个导电部，多个导电部围绕电极焊盘设计，且通孔在衬底上的投影位于多个导电部在衬底上的投影内，而非将ITO导电层设置在通孔内，上述方式设计的ITO导电层不会造成电流易集中在通孔附近的问题，提高了电流扩展效果，有利于发光二极管的电性能。同时能够改善发光二极管的静电释放效果。

技术研发人员：石时曼,王洪占,杭伟,赵付花
受保护的技术使用者：京东方华灿光电（苏州）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/10/31