降低晶圆表面金属残留的清洗设备及12寸晶圆上的应用的制作方法

本发明涉及晶圆清洗，尤其涉及降低晶圆表面金属残留的清洗设备及12寸晶圆上的应用。

背景技术：

1、再生晶圆表面大多含有大量的金属杂质，再生晶圆回收加工的过程中需要进行深度的加工清洗；以去除晶圆表面的金属残留，保证晶圆后续生产加工的正常进行。

2、再生晶圆大多是进行批量清洗的，清洗过程中将多个晶圆集中放置于片盒内，将片盒和晶圆集中浸泡于清洗液体内进行化学清洗或者超声清洗；传统的清洗设备在清洗的过程中，晶圆和片盒位于预定的位置处于相对静止的状态，晶圆底部恒定处于承载的状态与片盒内壁相抵紧，存在难以深度清洗的贴合死角。

3、在清洗的过程中控制片盒以及晶圆翻转，并且在底部对晶圆承托，能够改变晶圆清洗的位置，实现对晶圆表面的深度清洗，提高晶圆表面清洗的质量；但是对于不同尺寸的晶圆来说，需要适配不同尺寸的底部承托结构，以保证晶圆在翻转后承托状态的稳定；通过更换不同尺寸的承托结构能够解决上述问题，但是需要配套多种承托结构，并且不同尺寸批次的晶圆在交叉清洗的过程中需要人工对承托结构进行更换，影响再生晶圆清洗的效率，同时，拆装结构频繁更换影响承托结构连接处的寿命，影响晶圆放置的稳定性。

技术实现思路

1、针对上述问题，本发明提供降低晶圆表面金属残留的清洗设备及12寸晶圆上的应用，该发明能够对不同尺寸大小的晶圆进行适应性调整，提高了晶圆批量清洁的效率以及质量。

2、为解决上述问题，本发明所采用的技术方案是：

3、降低晶圆表面金属残留的清洗设备，包括清洗池以及用于转运内置晶圆片盒的转运装置，所述转运装置包括第一承载主体，所述第一承载主体内壁转动连接有第二承载主体，所述片盒设置于第二承载主体表面，所述第二承载主体外侧安装有限位承载装置，所述限位承载装置包括两个承载杆，所述承载杆沿着所述片盒长度方向延伸，所述限位承载装置还包括控制两个承载杆间距的第一调节组件以及控制两个承载杆与片盒间距的第二调节组件，根据晶圆尺寸大小调节两个承载杆间距完成对晶圆顶部的承载限位。

4、优选地，所述第二承载主体侧壁安装有第二旋转关节，通过所述第二旋转关节调节两个承载杆的偏转角度。

5、优选地，所述承载杆表面套设有柔性限位套，所述柔性限位套内填充有承载限位介质。

6、优选地，所述承载限位介质为电流变液，所述柔性限位套内置有导电组件。

7、优选地，所述第二承载主体下方设置有液力清洁装置，控制所述液力清洁装置伸入片盒底部对晶圆进行限位并且对片盒内壁进行清洁。

8、优选地，所述液力清洁装置包括清洁承载板，所述清洁承载板上端固定有与片盒适配的液力清洁组件，所述清洁承载板与第二承载主体之间安装有第三调节组件。

9、优选地，两个所述承载杆之间安装有第一定位组件，所述第一定位组件与所述第一调节组件电性连接用于调整两个承载杆间距。

10、优选地，所述承载杆与第二承载主体之间安装有第二定位组件，所述第二定位组件与所述第二调节组件电性连接用于调整承载杆与第二承载主体间距。

11、优选地，所述第一承载主体和第二承载主体均为中空的框架结构，所述第一承载主体包括外围矩形框架，所述矩形框架与第二承载主体之间通过驱动转轴转动连接，所述矩形框架外壁固定有控制驱动转轴转动的电控组件。

12、降低晶圆表面金属残留的清洗设备在12寸晶圆上的应用，使用上述的降低晶圆表面金属残留的清洗设备，包括如下步骤：s1、将容纳有寸晶圆的片盒固定于第二承载主体上端表面；s2、根据12寸晶圆的尺寸大小调整两个承载杆之间的距离，随后控制两个承载杆下降与12寸晶圆上端相抵紧完成一次清洗；s3、一次清洗预定时间后，控制第二承载主体和片盒同步翻转，完成二次清洗，在二次清洗过程中，调整第二调节组件下伸预定的长度。

13、本发明的有益效果为：

14、通过上述结构设计，能够对不同尺寸大小的晶圆进行适应性承载支撑，保证了晶圆在翻转清洗过程中的稳定性；同时整体结构调整过程中无需工作人员对限位承载装置进行更换，整体调节操作过程自动进行，无需对内部结构进行拆卸更换，提高了晶圆清洁过程中的稳定性、适配性以及效率。

技术特征：

1.降低晶圆表面金属残留的清洗设备，包括清洗池（100）以及用于转运内置晶圆（200）片盒（300）的转运装置，其特征在于：

2.根据权利要求1所述的降低晶圆表面金属残留的清洗设备，其特征在于，所述第二承载主体（500）侧壁安装有第二旋转关节（650），通过所述第二旋转关节（650）调节两个承载杆（620）的偏转角度。

3.根据权利要求1所述的降低晶圆表面金属残留的清洗设备，其特征在于，所述承载杆（620）表面套设有柔性限位套（610），所述柔性限位套（610）内填充有承载限位介质。

4.根据权利要求3所述的降低晶圆表面金属残留的清洗设备，其特征在于，所述承载限位介质为电流变液，所述柔性限位套（610）内置有导电组件。

5.根据权利要求1所述的降低晶圆表面金属残留的清洗设备，其特征在于，所述第二承载主体（500）下方设置有液力清洁装置（700），控制所述液力清洁装置（700）伸入片盒（300）底部对晶圆（200）进行限位并且对片盒（300）内壁进行清洁。

6.根据权利要求5所述的降低晶圆表面金属残留的清洗设备，其特征在于，所述液力清洁装置（700）包括清洁承载板（710），所述清洁承载板（710）上端固定有与片盒（300）适配的液力清洁组件（720），所述清洁承载板（710）与第二承载主体（500）之间安装有第三调节组件（730）。

7.根据权利要求1所述的降低晶圆表面金属残留的清洗设备，其特征在于，两个所述承载杆（620）之间安装有第一定位组件，所述第一定位组件与所述第一调节组件（630）电性连接用于调整两个承载杆（620）间距。

8.根据权利要求1所述的降低晶圆表面金属残留的清洗设备，其特征在于，所述承载杆（620）与第二承载主体（500）之间安装有第二定位组件，所述第二定位组件与所述第二调节组件（640）电性连接用于调整承载杆（620）与第二承载主体（500）间距。

9.根据权利要求1所述的降低晶圆表面金属残留的清洗设备，其特征在于，所述第一承载主体（400）和第二承载主体（500）均为中空的框架结构，所述第一承载主体（400）包括外围矩形框架（410），所述矩形框架（410）与第二承载主体（500）之间通过驱动转轴（421）转动连接，所述矩形框架（410）外壁固定有控制驱动转轴（421）转动的电控组件（420）。

10.降低晶圆表面金属残留的清洗设备在12寸晶圆上的应用，其特征在于，使用权利要求1-9任意一项所述的降低晶圆表面金属残留的清洗设备，包括如下步骤：

技术总结
本发明提供降低晶圆表面金属残留的清洗设备及12寸晶圆上的应用，包括清洗池以及用于转运内置晶圆片盒的转运装置，所述转运装置包括第一承载主体，所述第一承载主体内壁转动连接有第二承载主体，所述片盒设置于第二承载主体表面，所述第二承载主体外侧安装有限位承载装置，所述限位承载装置包括两个承载杆，所述承载杆沿着所述片盒长度方向延伸，所述限位承载装置还包括控制两个承载杆间距的第一调节组件以及控制两个承载杆与片盒间距的第二调节组件。该发明能够对不同尺寸大小的晶圆进行适应性调整，提高了晶圆批量清洁的效率以及质量。

技术研发人员：肖飞,张德海,孙臣,冯校亮
受保护的技术使用者：安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/9/5