半导体器件以及使用绝缘层形成细间距互连的方法与流程

本发明一般涉及半导体器件，并且更特别地涉及一种半导体器件以及使用在导电焊盘上形成的绝缘层形成细间距互连的方法。

背景技术：

1、普遍在现代电子产品中发现半导体器件。半导体器件执行广泛范围的功能，诸如信号处理、高速计算、发射和接收电磁信号、控制电子设备、光电以及创建电视显示器的视觉图像。在通信、功率转换、网络、计算机、娱乐和消费产品领域中发现半导体器件。在军事应用、航空、汽车、工业控制器和办公装备中也发现半导体器件。

2、半导体晶圆通常包含由锯道(saw street)隔开的多个半导体管芯。半导体晶圆被单一化成多个单独的半导体管芯。半导体封装可以包含安装到互连基板的半导体管芯。半导体管芯和互连基板之间的电气互连可以具有细间距，以最大化互连性。细间距电气互连，通常是凸块或在焊盘上的凸块，经受电气短路或桥接故障，特别是在结合过程期间。细间距电气互连也可以作为开路留下。这两种场景都不合期望，并且会导致产品缺陷、较低产量和高制造成本。

技术实现思路

技术特征：

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一导电焊盘包括细间距。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一绝缘层是在第一导电焊盘的侧表面和顶表面上形成的。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述互连基板包括：

5.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

6.一种半导体器件，包括：

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述第一导电焊盘包括细间距。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述第一绝缘层是在第一导电焊盘的侧表面和顶表面上形成的。

9.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述互连基板包括：

10.根据权利要求6所述的半导体器件，进一步包括：

11.一种制作半导体器件的方法，包括：

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一导电焊盘包括细间距。

13.根据权利要求11所述的方法，进一步包括在第一导电焊盘的侧表面和顶表面上形成第一绝缘层。

14.根据权利要求11所述的方法，其中提供互连基板包括：

15.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：

技术总结
半导体器件以及使用绝缘层形成细间距互连的方法。一种半导体器件具有互连基板和在互连基板的第一表面上形成的多个导电焊盘。导电焊盘具有细间距。绝缘层是在导电焊盘上形成的。绝缘层是在导电焊盘的侧表面和顶表面上形成的。电气组件被设置在互连基板的第一表面上。电气组件具有互连结构，所述互连结构通过绝缘层电气连接到导电焊盘，同时在互连结构的侧表面上留下绝缘层的一部分。互连结构通过TCB在力和压力下突破绝缘层，以在互连结构的侧表面上留下绝缘层的部分，从而避免导电焊盘之间的电气短路。

技术研发人员：李承炫,李勋择,李相勋,李喜秀
受保护的技术使用者：JCET 星科金朋韩国有限公司
技术研发日：
技术公布日：2025/3/20